Куликов Дмитрий Вадимович

Дмитрий Вадимович Куликов родился в Ленинграде 22-го декабря 1970 года.

В 1988 г. закончил Физико-математическую школу N239 .
С 1988 по 1994 год обучался на кафедре Физики твёрдого тела Физико-технического факультета Санкт-Петербургского Государственного Технического Университета. В 1994 году с отличием закончил университет (степень магистра). С 1994 по 1998 год обучался там же в аспирантуре и в 1998 г. защитил диссертацию кандидата физико-математических наук по теме "Компьютерное моделирование диффузионных процессов в многокомпонентных материалах".

После защиты был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской Академии наук. С этого времени Д.Куликоов работает в группе Теории и компьютерного моделирования дефектов в кристаллах   сектора Теоретических основ микроэлектроники   Отделения Твердотельной электроники Физико-технического института.

За время научной работы Д.В.Куликов опубликовал в российских и зарубежных научных журналах более 25 статей касающихся физики дефектов в многокомпонентных материалах (сверхпроводники, полупроводники, ферроэлектрики).

Научные интересы

• Физика радиационных повреждений в многокомпонентных материалах (таких как высокотемпературные всерхпроводники, полупроводники, ферроэлектрики);
• Радиационное воздействие на структуру и свойства твёрдых тел;
• Компьютерное моделирование диффузионных процессов в материалах, включая реакции между дефектами, образование кластеров, воздействие полей напряжений;
• Образование и рост кластеров.

Список публикаций

Текущая должность

• научный сотрудник сектора Теоретических основ микроэлектроники Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН.

Контактная информация