ОСНОВНОЕ МЕСТО РАБОТЫ:  Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской Академии наук, Санкт-Петербург, Россия

ВРЕМЯ И МЕСТО РОЖДЕНИЯ: 11 июля 1954 года, село Станивцы, Глыбокский район, Черновицкая область, Украина

ОБЛАСТЬ НАУЧНЫХ ИНТЕРЕСОВ

• Нанотехнологии в физике, биологии и медицине
• Гетероструктуры и сверхрешетки
• Квантовые ямы, квантовые нити и квантовые точки
• Оже-рекомбинация в объемных полупроводниках и наноструктурах
• Оже-инженерия
• Квантовый эффект Холла
• Люминесценция в полупроводниках и наноструктурах
• Лазеры, основанные на гетеропереходах

ОБРАЗОВАНИЕ

НАУЧНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской Академии наук, Санкт-Петербург, Россия:

ПЕДАГОГИЧЕСКАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия:

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ), Санкт-Петербург, Россия:

Академический физико-технологический университет (АФТУ) Российской Академии наук:

УЧАСТИЕ В УЧЕНЫХ СОВЕТАХ И НАУЧНЫХ СЕМИНАРАХ

ПРЕМИИ И НАГРАДЫ ЗА НАУЧНУЮ И ПЕДАГОГИЧЕСКУЮ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

• Почетный диплом Российской Академии наук (1999 г.)
• Премии Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе за лучшие работы 1992–1999 гг.
• Президентская премия для выдающихся ученых (1997 г.)

ОСНОВНЫЕ ДОСТИЖЕНИЯ

• Новый метод диагностики биологических молекул (аминокислоты) с использованием полупроводниковых квантовых точек.
• Теоретическое исследование поверхностной Оже-рекомбинации в гетероструктурах.
• Новый подход к теории Оже-рекомбинации в квантовых ямах.
• Изобретение лазера на редкоземельных элементах (в сотрудничестве с В. Ф. Мастеровым).
• Участие в создании и организации обучения магистров и аспирантов Академического физико-технологического университета РАН.
• Организация Межведомственного научного центра "Нанотехнологии для биологии и медицины", объединяющего усилия многих физических, биологических и медицинских институтов с целью решения проблемы рака.

ПУБЛИКАЦИИ

• Опубликовано в российских, украинских, американских и других научных журналах более 220 работ, посвященных теории электрических, фотоэлектрических и оптических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, теории оптоэлектронных приборов, физике полупроводниковых лазеров и наноструктур.
• Оформлен один патент.

ОПУБЛИКОВАННЫЕ В ПЕЧАТИ КНИГИ И УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ

1. Бодюл П. П., Гицу Д. В., Долма В. А., Миглей М. Ф., Зегря Г. Г. Термоэдс нитевидных кристаллов висмута. В кн. "Экситоны и биэкситоны в полупроводниках", 1982, Кишинев, Штиинца.
2. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Основы зонной теории полупроводников (часть I). Препринт ФТИ © 1330, Ленинград, 1989, 61 с.
3. Гельмонт Б.  Л., Зегря Г. Г. Основы теории полупроводников (часть II), Препринт ФТИ © 1331, Ленинград, 1989, 42 с.
4. Лев Эммануилович Гуревич. Воспоминания друзей, коллег и учеников. Избранные труды. Под ред. В. И. Переля и Г. Г. Зегри: Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 1997, 336 c.
5. Зегря Г. Г., Векслер М. И. Элементарные задачи по квантовой механике (учебное пособие). Препринт 1686, С.-Петербург, 1997, ФТИ им. Иоффе, 70 с.
6. Векслер М. И., Зегря Г. Г. Задачи по квантовой механике (учебное пособие). Препринт 1685, Санкт-Петербург, 1997, ФТИ им. Иоффе, 70  с.
7. Zegrya G. G. Mid-Infrared Strained Diode Lasers. In: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed. M. O. Manasreh, Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, The Netherlands, 1997.
8. Зегря Г.  Г., Мастеров В. A., Паршин Д.  А. Динамика материальной точки (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1998, 44 с.
9. Паршин Д. А., Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Кинематика материальной точки (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1998, 43 с.
10. Мастеров В. Ф., Паршин Д. А., Зегря Г. Г. Момент импульса. Динамика твердого тела (учебное пособие). Санкт-Петербург: ПИЯФ, 1999, 47 с.
11. Паршин Д. А., Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Колебания (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1999, 48 с.
12. Воробьев Л. Е., Данилов С. Н., Зегря Г. Г., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А., Яссиевич И. Н., Берегулин Е. В. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах. Санкт-Петербург: Наука, 2001, 248 с.
13. Векслер М. И., Зегря Г. Г. Расчет стационарных магнитных полей. ФТИ им. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 2003, 63 с.
14. Векслер М.И., Зегря Г. Г. Расчет стационарных электрических полей. ФТИ им. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 2003, 70 с.
15. Зегря Г. Г., Перель В. И. Основы физики полупроводников. Книга рекомендована в качестве учебника для студентов-физиков Министерством науки и образования РФ. Москва: Физматлит, 2009, 336 с.

ПУБЛИКАЦИИ В ИНТЕРНЕТЕ

1. Zegrya G. G. Interactive Database: New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, RAS, 2002.
2. Паршин Д. А., Зегря Г. Г. Курс общей физики: классическая механика, специальная теория относительности, основы общей теории относительности. Февраль 2001. Последнее обновление произведено 31.01.2003 отделом научно-технической информации Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. Дистантное образование по физике. Система создается на базе образовательной программы Научно-образовательного центра Физико-технического института им. Иоффе РАН.