руководство лаборатории

Майя Павловна Михайлова

Майя Павловна Михайлова — профессор, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Физико-Технического института им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, заместитель заведующего лабораторией инфракрасной оптоэлектроники (ЛИКО).

Основные научные интересы: резонансная ударная ионизация в III-V полупроводниках, оптические и квантовые магнитотранспортные явления в гетероструктурах II типа, узкозонные наногетероструктуры и квантовые точки.

Майя Павловна Михайлова родилась в Ленинграде 10 августа 1931 года. Окончила физический факультет Ленинградского университета в 1954 году и поступила на работу в Физико-Технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, где проводила научные исследования в лаборатории, возглавляемой профессором Дмитрием Николаевичем Наследовым, затем профессором Александром Александровичем Рогачевым. В 1967 году Майя Павловна защитила кандидатскую диссертацию, а в 1984 году — докторскую диссертацию, и ей была присвоена степень доктора физико-математических наук.

Первые работы профессора М. П. Михайловой связаны с изучением фотоэлектрических и фотомагнитных явлений в арсениде индия, а также созданием фотоприемников для ИК диапазона. Ее докторская диссертация посвящена исследованию резонансной ударной ионизации в III-V полупроводниках с шириной запрещенной зоны равной величине спин-орбитального расщепления валентной зоны. Полученные результаты позволили предложить и создать малошумящие лавинные фотодиоды с большим отношением коэффициентов ударной ионизации. С 1990 года Майя Павловна руководит исследованиями оптических и квантовых магнитотранспортных явлений в гетероструктурах II типа с самосогласованными квантовыми ямами в системе GaSb-InAs. За работы в данной области М. П. Михайлова с коллегами в 1995 году были удостоены премии им. А.Ф. Иоффе. Новое направление ее научных исследований — узкозонные наногетероструктуры и квантовые точки.

М. П. Михайловой опубликовано свыше 200 работ в области создания и исследования III-V полупроводниковых гетероструктур и приборов на их основе. Результаты ее фундаментальных исследований были применены в оптоэлектронных сенсорах для экологического мониторинга и медицинской диагностики.

Некоторые из ее основных публикаций представлены ниже:

• D.N.Nasledov, M. P. Mikhailova, S. V. Slobodchikov, M. Khamrokulov, «Electron heating by light in n-InAs at low temperature», Fizika Tverdogo Tela, 3, 390-394 (1973).
• M.P.Mikhailova, A. A. Rogachev, I. N. Yassievich «Impact ionization and Auger Recombination in InAs», Fizika I Tekhnika Poluprov. (Sov.Phys.Semicond.),10, 191-194 (1976).
• A.P.Dmitriev, M. P. Mikhailova, I. N. Yassievich, «Impact ionization in A3B5 semiconductors in high electric field», Phys.Stat.Sol.(b), v.140, 9-37 (1987).
• «Type II heterojunction in the system of GaInAsSb/InAs (topical review)», Semicond. Sci.Technol., v.9, 1279-1285 (1994).
• M.P.Mikhailova, N. D. Stoysnov, O. V. Andreychuk, K. D. Moiseev, I. A. Andreev, M. A. Afrailov and Yu.P.Yakovlev, «Type II GaSb based photodiodes operating in the spectral range 1.5-4.8 мкм at room temperature», IEE Proc.-Optoelectronics, vol. 149, 41-44 (2003).
• M.P. Mikhailova, K. D. Moiseev and Yu.P. Yakovlev «Interface-induced optical and transport phenomena in type II broken-gap single heterostructures»(topical review), Semicond. Sci. Technol., v.19, 109-128 (2004).
• M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitzyna, Kh. Salikhov and Yu.P. Yakovlev, «Optoelectronic sensors on GaSb- and InAs-based heterostructures for ecological monitoring and medical diagnostics", SPIE vol 6585, «Optical Sensors», 125-234 (2007).