руководство лаборатории

Николай Стоянов

Николай Деев Стоянов — к.ф.-м.н., научный сотрудник лаборатории инфракрасной оптоэлектроники (ЛИКО), руководитель группы R&D светодиодов и лазеров.

Николай Стоянов родился 27 января 1965 года в городе Тырговиште, Болгария. Окончил Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина) (кафедра полупроводников и диэлектриков) в 1991 году. До 1995 года работал над созданием газовых сенсоров на основе MOSFET структур в Институте Физики твердого тела Болгарской академии наук в Софии.
В 1995 году начал научные исследования в Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе в области оптоэлектронных приборов для ИК диапазона. Основные научные интересы: создание и исследование светодиодов, лазеров и фотодиодов для спектрального диапазона 1600-4700 nm на основе твердых растворов в системе GaSb-InAs — оптические и электрические параметры, оптимизация конструкции приборов. Николай Стоянов также работает в компании АИБИ (IBSG), где с 1997 года является заместителем директора. В 2005 году защитил в ФТИ им. А.Ф. Иоффе кандидатскую диссертацию, посвященную лазерам и фотодиодам для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/GaInAsSb.

Николай Стоянов -- автор и соавтор более 30 научных статей.

Некоторые из его основных публикаций представлены ниже:

• Н.Д. Стоянов, М. П. Михайлова, О. В. Андрейчук, К. Д. Моисеев, И. А. Андреев, М. А. Афраилов и Ю.П. Яковлев «Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм» // Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.4 стр.467-473.
• Н.Д. Стоянов, Б. Е. Журтанов, А. П. Астахова, А. Н. Именков и Ю.П. Яковлев «Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга» // Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.8 стр.996-1009.
• А.П. Астахова, А. Н. Баранов, А. Висе, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Н. Д. Стоянов, А. Черняев, Д. А. Яреха и Ю.П. Яковлев «Тепловая и токовая перестройка длины волны излучения квантово-размерных лазеров диапазона 2.0-2.4 мкм» // Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.4 стр.502-507.
• Стоянов Н.Д., Журтанов  Б. Е., Именков  А. Н., Астахова  А. П., Михайлова  М. П. и Яковлев Ю.П. «Высокоэффективные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры II типа n‑GaSb/p‑GaSb/n-GaInAsSb/P-AlGaAsSb» // Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып.7, стр.878-882.