Руководитель группы - доктор физико-математических наук, профессор Иванов Сергей Викторович, тел.: +7 (812) 292-7124 факс: +7 (812) 297-1017 e-mail: ivan@beam.ioffe.ru
Основные направления научной деятельности:
Молекулярно-пучковая эпитаксия и исследование фундаментальных физических свойств низкоразмерных
полупроводниковых гетероструктур (квантовых ям, серхрешеток, квантовых точек) на основе:
узкозонных соединений А3В5 - (Al,Ga,In)/(As,Sb) - для оптоэлектроники среднего ИК диапазона и сверхвысокочастотных HEMT-транзисторов на основе InAs и InSb;
широкозонных полупроводниковых соединений А2В6 - (Zn,Cd,Mg)/(Se,S,Te), а также ZnO - для оптоэлектроники видимого (сине-зеленого) и УФ спектральных диапазонов, включая лазеры с электронно-лучевой и оптической накачкой, и фундаментальных исследований в области спин-электроники с использованием разбавленных магнитных полупроводников;
гибридных А3В5/А2В6 структур с гетеровалентным интерфейсом для лазеров и светодиодов среднего ИК диапазона, а также спинтронных применений;
А3 -нитридов - (Ga,In,Al)/(N) - для оптоэлектронных применений в видимой области спектра и в среднем и глубоком УФ, а также для изучения фундаментальных физических свойств In-обогащенных соединений и композитных структур металл-полупроводник.
Наши координаты:
194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул. 26, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
