Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 25425 |
Цитируемость | |
суммарная | 326761 |
на статью | 12,9 |
Индекс Хирша | 169 |
G-индекс | 286 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 28655 |
Цитируемость | |
суммарная | 364193 |
на статью | 12,7 |
Индекс Хирша | 180 |
G-индекс | 304 |
Методом высокотемпературной сублимации были выращены уникальные образцы карбида кремния (SiC), обогащённые изотопом 28Si до 99%. В этих образцах созданы азотно-вакансионные дефекты (NV) с помощью облучения электронами и высокотемпературного отжига. Использование микроволновой спектроскопии показало уникальные свойства NV дефектов. Оптическая поляризация спиновых состояний при комнатной температуре составляет порядка 100%, время спада сигнала свободной индукции (когерентность) T2* = 1,5 мкс, что в пять раз превосходит T2* NV дефектов в SiC с естественным содержанием изотопов и аналогично времени когерентности одиночных NV дефектов в алмазах. Эти результаты однозначно показывают, что полупроводниковая платформа NV:28SiC конкурентоспособна с NV дефектами в алмазе. Результаты демонстрируют возможность создания высокотехнологичных квантовых сенсоров, приборов квантовой связи и вычислений на базе NV:28SiC и находятся на самом высоком научном уровне [1].
Иллюстрации
Рис. 1. (a) Кривая спин-решёточной релаксации (T1) NV дефектов, измеренная избирательно для одной сверхтонкой компоненты в спектре (выделена на правой вставке серым цветом). Левая вставка отображает последовательность микроволновых импульсов инверсного восстановления намагниченности, использованную для измерения. Кривая релаксации, снятая при температуре 300 K (изображена зелёным цветом), аппроксимирована экспоненциальной функцией (показана серым), что выявляет время релаксации T1= 0.1 мс. (b) Сигнал FID (спад свободной индукции) зарегистрирован при селективном возбуждении π/2 импульсом той же сверхтонкой компоненты.
Работа выполнена в рамках Государственного задания, тема № FFUG-2024-0024.
Направление ПФНИ: 1.3.2.4.
Публикации