| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024
⇤ первая
« предыдущая
…
24
25
26
27
28
29
30
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 610
-
Дата: 27 февраля 2003 г. Автор: Маслов,АЮ Тип: Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: Д 002.205.02 Название: Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности Подразделения: - лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
-
Дата: 27 февраля 2003 г. Автор: Тарасов,ИС Тип: Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: Д 002.205.02 Название: Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Дата: 17 февраля 2003 г. Автор: Котельников,ЕЮ Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: К 002.205.02 Название: Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров Руководитель(и) (консультант): Евтихиев,ВП Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Дата: 17 февраля 2003 г. Автор: Мурашова,АВ Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: К 002.205.02 Название: Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости Руководитель(и) (консультант): Тарасов,ИС Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Дата: 30 января 2003 г. Автор: Копцевич,АБ Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: астрофизика и радиоастрономия (01.03.02) Совет: Д 002.205.03 Название: Исследование оптического излучения радиопульсаров Руководитель(и) (консультант): Шибанов,ЮА Подразделения: - сектор теоретической астрофизики (Иванчика,АВ)
-
Дата: 23 января 2003 г. Автор: Щербаков,АВ Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: К 002.205.01 Название: Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах -
Дата: 20 января 2003 г. Автор: Дмитриев,ИА Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: К 002.205.02 Название: Электрические свойства сверхрешеток из квантовых ям Руководитель(и) (консультант): Сурис,РА Подразделения: - сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)
-
Дата: 20 января 2003 г. Автор: Лифшиц,МБ Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: К 002.205.02 Название: Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа A3B5 и A2B6 Подразделения: - лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
-
Дата: 26 декабря 2002 г. Автор: Жуков,АЕ Тип: Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: Д 002.205.02 Название: Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек Подразделения: - лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
-
Дата: 19 декабря 2002 г. Автор: Варнашев,КБ Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика конденсированного состояния (01.04.07) Совет: К 002.205.01 Название: Ренормгрупповой анализ магнитных и структурных фазовых переходов в кристаллах со сложными видами упорядочения Руководитель(и) (консультант): Соколов,АИ -
Дата: 16 декабря 2002 г. Автор: Коновалов,ИИ Тип: Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук Специальность: физика конденсированного состояния (01.04.07) Совет: Д 002.205.01 Название: Теория и расчет газово-вакансионного распухания уранового металлического ядерного топлива -
Дата: 16 декабря 2002 г. Автор: Костко,ИА Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: К 002.205.02 Название: Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров Руководитель(и) (консультант): Зегря,ГГ Подразделения: Суриса,РА -
Дата: 16 декабря 2002 г. Автор: Михрин,СС Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: К 002.205.02 Название: Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме (выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) Руководитель(и) (консультант): Устинов,ВМ Подразделения: - лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
-
Дата: 5 декабря 2002 г. Автор: Каминкер,АД Тип: Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук Специальность: астрофизика и радиоастрономия (01.03.02) Совет: Д 002.205.03 Название: Нейтринное излучение нейтронных звезд Подразделения: - сектор теоретической астрофизики (Иванчика,АВ)
-
Дата: 25 ноября 2002 г. Автор: Грудинкин,СА Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: К 002.205.02 Название: Термическое газофазное осаждение алмазных пленок с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза в качестве центров зародышеобразования Руководитель(и) (консультант): Голубев,ВГ Подразделения: - лаб. физики аморфных полупроводников (Стовпяга,ЕЮ)
-
Дата: 25 ноября 2002 г. Автор: Куницын,АЕ Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: К 002.205.02 Название: Оптические исследования точечных дефектов в ионно-импланттированном GaAs и в слоях, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией при низкой температуре Руководитель(и) (консультант): Голубев,ВГ Подразделения: - лаб. физики аморфных полупроводников (Стовпяга,ЕЮ)
-
Дата: 21 ноября 2002 г. Автор: Гаврилюк,АИ Тип: Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: Д 002.205.02 Название: Фотоинжекция водорода в твердых телах Подразделения: - лаб. физики фазовых переходов в твердых телах (Шадрина,ЕБ)
-
Дата: 21 ноября 2002 г. Автор: Сутурин,СМ Тип: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук Специальность: физика конденсированного состояния (01.04.07) Совет: К 002.205.01 Название: Эпитаксиальные фториды кальция и кадмия на Si(l 11) и Si(001): рост и свойства низкоразмерных гетероструктур Руководитель(и) (консультант): Соколов,НС Подразделения: - лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
-
Дата: 31 октября 2002 г. Автор: Остряков,ВМ Тип: Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук Специальность: астрофизика и радиоастрономия (01.03.02) Совет: Д 002.205.03 Название: Распространение и зарядовосогласованное ускорение тяжелых частиц в гелиосфере -
Дата: 24 октября 2002 г. Автор: Асрян,ЛВ Тип: Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук Специальность: физика полупроводников (01.04.10) Совет: Д 002.205.02 Название: Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках Подразделения: - сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)
-
Телефон: +7 (812) 297-22-45
-
Email: post@mail.ioffe.ru
-
Адрес:194021, Санкт-Петербург,
Политехническая ул., 26
Copyright © 2021 - All Rights Reserved - ioffe.ru
Template by OS Templates