Conferences materials

2003

VI Российская конференция по физике полупроводников

St Petersburg, Russia, November 27–28

• Лазеры на квантовых точках (современное состояние и перспективы развития)
  В. М.Устинов
  
  
• Влияние конструкции активной области лазеров с квантовой ямой InGaAsN на приборные характеристики
  Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, В. А. Одноблюдов, Н. В. Крыжановская Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов
  
  
• Температурные характеристики низкопороговых, высокоэффективных длинноволновых лазеров на квантовых точках
  И. И. Новиков, М. В.Максимов, Ю.М.Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А. Р. Ковш, А. Е.Жуков, С. С. Михрин, Н. А. Малеев, А.П. Васильев, В. М.Устинов, Ж. И.Алферов, Н. Н.Леденцов, Д. Бимберг
  
  
• Исследование оптических свойств структур со сверхплотными массивами кватновых точек Ge в матрице Si
  А. Г.Макаров, Н. Н. Леденцов, Г.Э.Цырлин, Н. Д. Захаров, P.Werner
  
  
• Оптические свойства InGaAsN/GaAs квантовых ям излучающих в диапазоне 1,3–1,55 мкм
  Н. В. Крыжановская, А. Г.Гладышев, А. Р. К овш, Ю.Г.Мусихин, А.Ф.Цацульников, J.Y. Chi, J. S.Wang, L. P.Chen, Н. Н. Леденцов, В.М.Устинов
  
  
• Фото- и электролюминесценция в диапазоне 1,5–1,6 мкм при комнатной температуре от многослойных структур Ge/Si
  Г. Э.Цырлин, В. Г. Талалаев, А. А. Тонких, Н.Д. Захаров, В.А. Егоров, В.М.Устинов, P.Werner
  
  
• Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных МПЭ
  И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Н. Н. Леденцов, А. Ю. Егоров, В. В.Мамутин, В. А. Одноблюдов, В.М.Устинов, О.М. Горбенко, H. Kirmse, W.Neumann, D. Bimberg
  
  
• Исследование влияния начальной стадии роста на структурные и оптические свойства GaN
  Е. Е. Заварин, Д.С.Сизов, А. И. Бесюлькин, В. В.Лундин, А.В.Сахаров, В. С. Сизов, А.Ф.Цацульников
  
  
• Оптические свойства нитридов III-группы с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры
  А. И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, А. П. Карташова, А. Г.Колмаков, В.В. Криволапчук, В. В.Лундин, М. М. Мездрогина, А. В.Сахаров, Н. М.Шмидт
  
  
• Фотолюминесценция в диапазоне 1.5–1.6 мкм от наногетероструктур InGaAs/GaAs, выращенных при низкой температуре
  А. А. Тонких, Г.Э.Цырлин, В. Г. Талалаев, Б.В.Новиков, Н.Д. Захаров, P.Werner, В.А. Егоров, Ю.Б.Самсоненко, Н. К . Поляков, В.М. Устинов
  
  

Nanostructures: Physics and Technology, 11th International Symposium

St Petersburg, Russia, June 23-28, 2003

• Si-Ge quantum dots formed by ultrathin insertions
  A. G. Makarov, N. N. Ledentsov, A. F. Tsatsul'nikov, G. E. Cirlin, V. A. Egorov, M. V. Maximov, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, N. D. Zakharov and P. Werner
  
  
• Peculiarities of the carrier recombination in InGaAsN lasers
  A. Yu. Egorov, D. A. Livshits, V. A. Odnoblyudov, A. E. Zhukov and V. M. Ustinov
  
  
• Quantum-well structures suitable for the 1.3-µm laser applications grown on metamorphic GaAs substrates
  S. S. Mikhrin, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, E. S. Semenova, N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, M. V. Maximov, V. M. Ustinov and N. N. Ledentsov
  
  
• MBE-grown vertical cavity lasers with combined AlO/GaAs-AlGaAs/GaAs DBRs
  A. P. Vasilyev, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. R. Kovsh, A. G. Kuzmenkov, Yu. M. Shernyakov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, J. Wang, J. Chi and A. S. Shulenkov
  
  
• Theoretical and experimental studies of growth rate and substrate temperature dependence of quantum dot array morphology
  V. G. Dubrovskii, A. A. Tonkikh, N. K. Polyakov, Yu. B. Samsonenko, V. A. Egorov, G. E. Cirlin, A. F. Tsatsul'nikov, N. V. Kryzhanovskaya, P. Werner and V. M. Ustinov
  
  
• Structural and optical properties of Ga(As,N)/GaAs epilayers grown with continuous and pulsed deposition and nitridization
  I. P. Soshnikov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. V. Kryzhanovskaya, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, H. Kirmse, W. Neumann, O. M. Gorbenko, J. Wang, R. S. Hsiao and J. Chi
  
  
• 1.6 µm photoluminescence from InAs/GaAs nanostructure arrays grown at low temperature
  A. A. Tonkikh, G. E. Cirlin, V. A. Egorov, Yu. B. Samsonenko, N. K. Polyakov, V. G. Talalaev, N. D. Zakharov, P. Werner and V. M. Ustinov
  
  

2-я Всероссийская конференция

Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы

St. Petersburg, Russia, February 3-4

• Мощные одномодовые лазеры диапазона 1.3мкм на основе квантовых ям InGaAsN/GaAs
  А.Р.Ковш, Д.А.Ливщиц, В.М.Устинов, J.S.Wang, R.S.Hsiao, L.P.Chen, J.Y.Chi, G.Lin
  
  
• Структурные и оптические свойства сверхрешеток GaAsN/GaAs выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
  Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, А.Р. Ковш, И.П. Сошников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов, J.Y. Chi, J.S. Wang, L. Wei
  
  
• Фотолюминесценция с длиной волны 1.55 мкм при температуре 300К из структур с квантовыми точками InAs/InGaAsN на подложках GaAs.
  В.А.Одноблюдов, А.Ю.Егоров, Н.В.Крыжановская, В.В.Мамутин, А.Ф.Цацульников, Ю.Г.Мусихин, В.М.Устинов
  
  
• Начальные стадии роста GaN c использованием низкотемпературных слоев (Al)GaN И AlN
  Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, А.И.Бесюлькин, Д.С. Сизов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Н.Н.Леденцов
  
  
• Выращивание эпитаксиальных слоев AlN и гетероструктур AlN/GaN на сапфировых подложках методом ГФЭ МОС
  В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, А.И.Бесюлькин, Д.С.Сизов, А.В.Сахаров, А.Ф.Цацульников, Н.Н.Леденцов.
  
  
• Гетероструктуры с высокой подвижностью электронов на основе III-N, выращенные методом ГФЭ МОС
  В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, А.И.Бесюлькин, А.Г.Гладышев, А.В.Сахаров, Н.М.Шмидт, А.Ф.Цацульников, Н.Н.Леденцов., М.Ф.Кокорев
  
  
• Формирование зарощенных мезаполосковых III-N структур с помощью комбинации сухого и жидкостного травления с последующим заращиванием
  В.В.Лундин, А.В.Сахаров, А.И.Бесюлькин, Е.Е.Заварин, А.Ф.Цацульников, С.А.Гуревич, Е.М.Аракчеева, Е.М.Танклевская и Н.Н.Леденцов, Jim Y. Chi and Ru Chin Tu
  
  

2002

ICPS26

Edinburgh, July 29 - August 2, 2002

• Structural and optical properties of the nanostructures formed by Ge sub-critical insertions in a Si matrix
  G.E. Cirlin, V.A. Egorov, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Goesele, A.G. Makarov, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov
  
  
• Optical and Structural Properties of the InAs Quantum Dots Formed in an AlGaAs matrix
  A.F. Tsatsulnikov, D.S. Sizov, N.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladishev, Yu.V. Samsonenko, G.E. Cirlin, N.K. Polyakov, V.A. Egorov, A.A. Tonkih, Yu.G. Musikhin, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg
  
  
• Evidence of quantum dots in „quantum well“ InGaN/GaN structures
  I.L. Krestnikov, A. Strittmatter, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, Yu.G. Musikhin, D. Gertsen, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg
  
  
• Reduction of dislocation density during epitaxial growthof self-organised quantum dots
  M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kajander, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, N.A. Cherkashin, Zh.I. Alferov, D Bimberg
  
  
• High-gain low-current long-wavelength lasers based on InAs/InGaAs quantum dots
  A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.S. Sizov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov
  
  
• 6W CW power and 58% conversion efficiency of 0.94-µm submonolayer quantum dot laser
  S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, D.A. Livshits, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.A. Pihtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov
  
  
• Experimental and Theoretical Studies of Carrier Lateral Transport from Small (3-0.2 µm) Mesas with Self-Organized Quantum Dots
  M.V. Maximov, D.A. Bedarev, V.V. Nikolaev, C. M. Sotomayor Torres, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg
  
  
• Submonolayer InAs/GaAs Heterostructures: structure and properties.
  I.P. Soshnikov, B.V. Volovik, A.F. Tsatsul'nikov, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.D. Zakharov, P. Werner
  
  
• Quantum-confined Stark effect in InAs/GaAs vertically coupled quantum dots.
  M.M. Sobolev, V.M. Ustinov, A.Yu Egorov, N.N. Ledensov
  
  

Nanostructures: Physics and Technology, 10th International Symposium

St Petersburg, Russia, June 17-21, 2002

• Investigation of the formation of InAs QD's in a AlGaAs matrix
  D. S. Sizov, N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, Yu. B. Samsonenko, G. E. Cirlin, N. K. Polyakov, V. A. Egorov, A. A. Tonkih, Yu. G. Musikhin A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov and V. M. Ustinov
  
  
• Formation specifity of InAs/GaAs submonolayer superlattice
  I. P. Soshnikov, B. V. Volovik, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, A. F. Tsatsul'nikov, O. M. Gorbenko, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, P. Werner, N. D. Zakharov and D. Gerthsen
  
  
• High power lasers based on submonolayer InAs-GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells
  A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, A. V. Vasil'ev, Yu. M. Shernyakov, D. A. Livshits, M. V. Maximov, D. S. Sizov, N. V. Kryzhanovskaya, N. A. Pikhtin, V. A. Kapitonov, I. S. Tarasov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, J. S. Wang, L. Wei, G. Lin and J. Y.Chi
  
  
• MBE growth of low-threshold long-wavelength QD lasers on GaAs substrates
  N. A. Maleev, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. P. Vasilev, E. S. Semenova, Yu. M. Shernyakov, E. V. Nikitina, N. V. Kryjanovskaya, D. S. Sizov, I. P. Soshnikov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, D.Bimberg and Zh. I. Alferov
  
  
• The carriers localization influence on the optical properties of GaAsN/GaAs heterostructures grown by molecular-beam epitaxy
  N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, D. S. Sizov, A. R. Kovsh, A. F. Tsatsul'nikov, J. Y. Chi, J. S. Wang, L. Wei and V. M. Ustinov
  
  

2001

Nanostructures: Physics and Technology, 9th International Symposium

St Petersburg, Russia, June 18-22, 2001

• Effect of growth conditions on optical properties of Ge submonolayer nanoiclusions in a Si matrix grown by molecular beam epitaxy
  G. E. Cirlin, V. A. Egorov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, N. D. Zakharov, P. Werner and U. G?sele
  
  
• MBE growth of high quality GaAsN bulk layers
  A. R. Kovsh, J. Y. Chi, J. S. Wang, L. Wei, Y. T. Wu, C. H. Chen, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov and V. M. Ustinov
  
  
• Thermodynamic analysis of MBE growth of quarternary InGaAsN compounds
  V. A. Odnoblyudov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev and V. M. Ustinov
  
  
• Nitrogen-activated phase separation in InGaAsN/GaAs heterostructures grown by MBE
  I. P. Soshnikov, N. N. Ledentsov, B. V. Volovik, A. Kovsh, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, O. M. Gorbenko, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, V. M. Ustinov, H. Kirmse, W. Neuman, P. Werner, N. D. Zakharov, D. Bimberg and Zh. I. Alferov
  
  
• A comparative study of QD and nitrogen - based 1.3 µm VCSELs.
  A. P. Vasil'ev, N. A. Maleev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, I. L. Krestnikov, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov and Zh. I. Alferov
  
  

ICNS-4 The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors

Denver, Colorado USA July 16-20, 2001

• Growth, optical and structural characterization of InGaN/GaN/AlGaN optically pumped lasers
  W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, D.A. Bedarev, Ru-Chin Tu, Jim Y. Chi
  
  
• Comparative study of InGaN/GaN structures grown by MOCVD using various growth sequences
  A.V. Sakharov, A.S. Usikov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, Ru-Chin Tu, Jim Y. Chi
  
  
• Laser-like emission in a blue-green spectral range from InGaN/GaN/AlGaN structures under optical pumping
  A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg,
  
  
• Growth and characterization of AlGaN/GaN superlattices
  W.V.Lundin, A.S. Usikov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, M.F. Kokorev, R.N. Kutt, V.Yu. Davydov, V.V. Tretyakov
  
  
• MOCVD growth and characterization of GaN layers and AlGaN/GaN heterostructures on HVPE grown templates
  A.S. Usikov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, A.V. Sakharov, A.A. Fomin, A.I. Pechnicov, V.A. Dmitriev, I.P. Nikitina
  
  

---

2000

ICPS 25

Osaka, Japan, September 17-22, 2000

• Formation of GaAsN nanoinsertions in a GaN matrix by MOVPE
  A. F. Tsatsul'nikov, I. L. Krestnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, D. A. Bedarev, A. S. Usikov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, A. Strittmatter, A. Hoffmann, D. Bimberg, I. P. Soshnikov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, T. Riemann, and J. Christen
  
  
• Time-resolved studies of large InGaAs/GaAs quantum dots
  I. L. Krestnikov, H. Born, T. Luttgert, R. Heitz, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, M. V. Maximov, Yu. G. Musikhin, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg
  
  
• Reversibility of the island shape and density in Stranski-Krastanow growth
  N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, V. M. Ustinov, Yu. G. Musikhin, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, B. V. Volovik, and D. Bimberg
  
  

IWN 2000

Nagoya, Japan, September 24-27, 2000

• Influence of Growth Interruptions and Gas Ambient on Optical and Structural Properties of InGaN/GaN Multilayer Structures
  A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A.Bedarev, A.F.Tsatsul’nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, and D. Bimberg
  
  
• Influence of the Thick GaN Buffer Growth Conditions on the Electroluminescence Properties of GaN/InGaN Multylayer Heterostructures
  A.S. Usikov, W.V. Lundin, D.A. Bedarev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, A.F.Tsatsul'nikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann and D.Bimberg
  
  

Nanostructures: Physics and Technology, 8th International Symposium

St Petersburg, Russia, June 19–23, 2000

• Effect of annealing on phase separation in ternary III–N alloys
  A. V. Sakharov, W. V. Lundin, I. L. Krestnikov, E. E. Zavarin, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg and Zh. I. Alferov
  
  
• Optical properties of InGaAsN/GaAs quantum well and quantum dot structures for longwavelength emission
  B. V. Volovik, A. R. Kovsh, W. Passenberg, H. K?nzel, Yu. G. Musikhin, V. A. Odnoblyudov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, and V. M. Ustinov
  
  
• 1.3 µm photoluminescence emission from InAs/GaAs quantum dots multilayer structures
  V. A. Egorov, V. N. Petrov, N. K. Polyakov, G. E. Cirlin, B. V. Volovik, A. E. Zhukov, A. F. Tsatsul'nikov and V. M. Ustinov
  
  
• Formation of defect-free InGaAs-GaAs quantum dots for 1.3 µm spectral range grown by metal-organic chemical vapor deposition
  I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, M. V. Maximov, D. Bimberg, D. A. Bedarev, I. V. Kochnev, V. M. Lantratov, N. A. Cherkashin, Yu. G. Musikhin and Zh. I. Alferov
  
  
• Carrier relaxation in InGaAs-GaAs quantum dots formed by activated alloy phase separation
  M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, T. Maka and C. M. Sotomayor Torres
  
  
• Long wavelength quantum dot lasers on GaAs substrates
  V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, N. A. Maleev, B. V. Volovik, Yu. G. Musikhin, Yu. M. Shernyakov, E. Yu. Kondrat'eva, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott and D. Bimberg
  
  
• Power conversion efficiency in a quantum dot based diode laser
  A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, N. A. Maleev, V. A. Odnoblyudov, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, E. Yu. Kondat'eva, D. A. Livshits, I. S. Tarasov, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg
  
  

Gallium, Aluminum and Indium Nitrides, 4th International Workshop

St. Petersburg, Russia, September 18-19, 2000

• MOCVD growth of III-V structures in Ioffe
  A.S. Usikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, N.M. Shmidt
  
  
• Study of the III-nitrides MOCVD growth process with in-situ optical reflectance monitoring
  W.V. Lundin, E.E. Zavarin , D.A. Bedarev , A.I. Besulkin, I.L. Krestnikov, A.S. Usikov
  
  
• Influence of growth interruptions and gas ambient on optical and structural properties of InGaN/GaN multilayer structures
  E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov
  
  
• Light-emitting diodes based on InGaN/GaN/AlGaN heterostructures
  A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.A. Bedarev, A.S. Usikov, N.M. Shmidt, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov
  
  
• Some features of phase separation in InGaN/GaN/AlGaN light emitting diodes
  W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, D.A. Bedarev, A.I. Besulkin, N.N. Ledentsov, and A.S. Usikov
  
  

---

1999

Nanostructures: Physics and Technology, 7th International Symposium

St. Petersburg, Russia, June 14-18, 1999

• 1.3 µm emission from 2ML InAs quantum dots in a GaAs matrix
  A. F. Tsatsul'nikov, D. A. Bedarev, A. R. Kovsh, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, N. A. Maleev, Yu. G. Musikhin, M. V. Maximov, A. A. Suvorova, V. M. Ustinov, B. V. Volovik, A. E. Zhukov, D. Bimberg, and P. Werner
  
  
• Surface-mode lasing from optically pumped InGaN/GaN heterostructures
  A. V. Sakharov, W. V. Lundin, V. A. Semenov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, A. Hoffmann and D. Bimberg
  
  
• 1.06 and 1.3 µm resonant cavity-enhanced photodetectors based on InGaAs quantum dots
  I. L. Krestnikov, N. A. Maleev, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, I. V. Kochnev, N. M. Shmidt, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg
  
  
• Lasing from quantum dots formed by activated alloy spinodal decomposition on InAs stressors
  M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, I. N. Kaiander, N. N. Ledentsov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg
  
  
• 3.3 W injection heterolaser based on self-organized quantum dots
  A. R. Kovsh, D. A. Livshits, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, P. S. Kop`ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg
  
  
• Growth and characterization of InGaN/GaN nanoscale heterostructures
  W. V. Lundin, A. V. Sakharov, V. A. Semenov, A. S. Usikov, M. V. Baidakova, I. L. Krestnikov and N. N. Ledentsov
  
  
• Transport properties of InAlAs/InGaAs/InP graded channel pseudomorphic high electron mobility structures
  N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Y. Wu, R. Zhang, S. F. Li
  
  
• Optical and structural properties of InGaAsN/GaAs heterostructures
  A. Yu. Egorov, D. Bernklau, M. Schuster, Yu. Sherniakov, V. M. Ustinov and H. Riechert
  
  
• Volmer–Webber epitaxial growth of InAs nanoscale islands on Si (100)
  G. E. Cirlin, N. K. Polyakov, Yu. B. Samsonenko, V. G. Dubrovskii, V. N. Petrov, D. V. Denisov, V. M. Busov, V. M. Ustinov
  
  

---

1998

ICPS 24

Jerusalem, August 2-7, 1998

• Middle infrared emission from InAs quantum dots in a GaAs matrix.
  M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Bert, V. M. Ustinov, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, I. P. Soshnikov and P. Werner
  
  
• Optimization of quantum dot lasers by seeding of quantum dots.
  M. V. Maximov, D. A. Bedarev, A. Yu. Egorov, P. S. Kop’ev, A. R. Kovsh, A. V. Lunev, Yu. G. Musikhin, Yu. M. Shernyakov, A. F. Tsatsul’nikov, V. M. Ustinov, B. V. Volovik, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov and D. Bimberg.
  
  
• Formation of InAs quantum dots in a silicon matrix
  A. F. Tsatsul’nikov, A. Yu. Egorov, P. S. Kop’ev, A. R. Kovsh, M. V. Maximov, N. A. Bert, V. M. Ustinov, B. V. Volovik, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, G. E. Cirlin, A. O. Golubok, S. A. Masalov, V. N. Petrov, N. N. Ledentsov, R. Heitz, M. Grundmann, D. Bimberg, I. P. Soshnikov, P. Werner, and U. Gosele.
  
  
• Vertical arrangement and wavefunction control in structures with 2D quantum dots (invited).
  I. L. Krestnikov, M. Strassburg, M. Caesar, V. A. Shchukin, A. Hoffmann, U. W. Pohl, D. Bimberg, N. N. Ledentsov, V. G. Malyshkin, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, D. Litvinov, A. Rosenauer, and D. Gerthsen.
  
  
• Influence of gain spectrum on cavity modes in quantum dot vertical cavity lasers
  N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, D. Bimberg, V. P. Kalosha, J. A. Lott, A. O. Kosogov and P. Werner
  
  
• Lasing in structures with InAs submonolayer insertions in an AlGaAs matrix without external optical confinement
  B. V. Volovik, A. Yu. Egorov, P. S. Kop’ev, A. R. Kovsh, I. E. Kozin, I. L. Krestnikov, M. V. Maximov, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul’nikov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, M. Strassburg, A. Hoffmann, D. Bimberg, I. P. Soshnikov, P. Werner
  
  

Nanostructures: Physics and Technology, 6th International Symposium

St Petersburg, June 22-26, 1998

• Injection laser based on composite InAlAs/InAs vertically coupled quantum dots in AlGaAs matrix
  A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, N. V. Lukovskaya, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, B. V. Volovik, A. V. Lunev, N. N. Ledentsov, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg
  
  
• Resonant waveguiding and lasing in structures with InAs submonolayers in an AlGaAs matrix
  A. F. Tsatsul’nikov, N. N. Ledentsov, M. V. Maximov, B. V. Volovik, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, I. E. Kozin, M. V. Belousov and D. Bimberg
  
  
• Self-assembled formation of quantum dots during InGaAlAs quantum well growth
  I. L. Krestnikov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, I. P. Soshnikov, Yu. G. Musikhin, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, I. V. Kochnev, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov and D. Bimberg
  
  
• Vertical coupling of quantum islands in CdSe/ZnSe submonolayer superlattices
  I. L. Krestnikov, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, M. Stra?burg, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg and C. M. Sotomayor  Torres,
  
  

---

The page designed by Dennis Bedarev