|
Спектроскопия полумагнитных наноструктур:
Квантовые ямы, двойные квантовые ямы, самоорганизованные квантовые
точки
Полумагнитные квантовые ямы и квантовые точки представляют
интерес, как с точки зрения их фундаментальных физических свойств,
так и в качестве возможных приложений в спинтронике.
Hаши исследования охватывали четыре группы полумагнитных
наноструктур:
- Одиночная квантовая яма CdMnSe/CdMgSe толщиной 3.8 нм
- Асимметричные двойные квантовые ямы CdSe/CdMgSe/CdMnSe с барьерами
CdMgSe разной толщины. Одна из ям была полумагнитной.
- Асимметричные двойные квантовые ямы CdSe/CdMnSe/CdSe с полумагнитными
барьерами разной ширины.
- Самоорганизованные квантовые точки Cd(Mn)Se/Zn(Mn)Se.
Исследования квантовых ям проводились на базе сравнительно новой
перспективной системы CdSe/CdMgSe, выращенной методом МЛЭ на подложках
InAs.
Проводились измерения спектров фотолюминесценции (ФЛ), возбуждения
фотолюминесценции и отражения в разных поляризациях в магнитных
полях до 7 тесла в конфигурациях Фарадея и Фойгта.
В двойных квантовых ямах CdSe/CdMgSe/CdMnSe, разделенными узкими
барьерами CdMgSe разной толщины наблюдались прямые экситоны из обеих
ям и пространственно непрямой экситон, образованный электроном в
яме CdSe и тяжелой дыркой в яме CdMnSe, Рис.1. Исследовано туннелирование
экситонов из полумагнитной квантовой ямы в немагнитную в зависимости
от ширины барьера и величины приложенного магнитного поля. В случае
узкого барьера наблюдалось туннелирование спина из квантовой ямы
CdMnSe в CdSe. Рассматривалась проблема образования локализованных
магнитных поляронов для непрямых и прямых экситонов в структурах
с разной толщиной барьеров. Вопросы образования магнитного полярона
и измерение его энергии связи исследовались также для одиночной
квантовой ямы CdMnSe/CdMgSe.
 |
Рис.1 Спектр фотолюминесценции двойной
|
В двойных квантовых ямах с полумагнитным барьером
CdSe/CdMnSe/CdSe наблюдались большие сдвиги экситонных пиков квантовых
ям CdSe в магнитном поле, которые существенно превышали расчетные
значения, полученные в стандартной теории для межъямных барьеров
с резкими интерфейсами. Эффект имеет размерный характер, т.е. он
сильнее выражен в структурах с межъямным барьером меньшей толщины.
Была предложена более сложная, но и более реалистичная модель ступенчатого
межъямного барьера, учитывающая интер-диффузию ионов Cd и Mn в пределах
2-3 монослоев, что облегчало проникновение волновой функции экситона
в полумагнитный барьер и увеличивало магнетизацию. Учитывалось также
увеличение магнетизации за счет уменьшения числа антиферромагнитных
пар ионов Mn, вследствие уменьшения в интерфейсах числа ближайших
соседей. Расчеты, проведенные в этой модели, удовлетворительно объясняют
экспериментальные результаты, Рис.2.
 |
Рис.2 Сдвиг экситона в магнитном поле в CdSe/CdMnSe/CdSe
Эксперимент: красные квадраты
Расчет для двух моделей: синие значки |
Рамановское рассеяние магнитными возбуждениями в квантовых точках
Cd(Mn)Se в матрице Zn(Mn)Se
Проведено исследование в сильных магнитных полях резонансного рамановского
рассеяния в самоорганизованных полумагнитных квантовых точках в
структуре CdSe(Mn)/ZnSe(Mn) на трех типах магнитных возбуждений:
спин-флип процессы между спиновыми состояниями +1/2 и -1/,2 донорных
электронов, локализованных в квантовых точках; рамановское рассеяние
с изменением спина в антиферромагнитных парах Mn2+ и
коллективное спин-флип рассеяние в зеемановском мультиплете иона
Mn2+. Во всех процессах резонансного рамановского рассеяния
промежуточными состояниями являлись нульмерные экситоны, локализованные
в квантовых точках.
 |
Рис.3 Раман на спин-флип переходах в квантовых точках
в разных магнитных полях
|
Статьи
- I.I. Reshina, S.V. Ivanov, D.N. Mirlin, I.V. Sedova and S.V.
Sorokin,
Direct and indirect excitons and magnetic polarons in CdSe/CdMgSe/CdMnSe
semimagnetic double quantum wells, Phys. Rev. B, 74, 1, 235324-235331
(2006).
- И.И. Решина С.В. Иванов, Магнитооптика одиночной квантовой ямы
СdMnSe/CdMgSe, ФТП 42, 1348, 2008.
- I.I.Reshina, S.V. Ivanov, I.V. Sedova and S.V. Sorokin, Magneto-opticalspectroscopy
of asymmetric double quantum wells CdSe/CdMnSe/CdSe with semimagnetic
coupling barriers, Semiconductor Science and Technology 23, 075029,
2008.
- I.I.Reshina, S.V. Ivanov, I.V. Sedova and S.V. Sorokin, Excitons
and magnetic polarons in semimagnetic double quantum wells CdSe/CdMgSe/CdMnSe
and CdSe/CdMnSe/CdSe, Physica E, 40,1197, 2008.Reshina, S.V. Ivanov,
D.N. Mirlin, A.A. Toropov, A. Waag and G. Landwehr
Raman scattering by magnetic excitations and phonons in diluted
magnetic structures formed by self-organized quantum disks of
CdZn(Mn)Se in a Zn(Mn)Se matrix,
Phys. Rev. B, 64, 0353303-035310, 2001
Контакты
Решина Ирина Исааковна
Лаборатория оптики полупроводников
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Reshina@dnm.ioffe.ru
<<
К списку направлений исследований
|