Разработана технология изготовления сегнетоэлектрических микроэлектронных элементов памяти, обеспечивающих хранение информации без потребления энергии (энергонезависимая память). Усовершенствована методика измерений остаточной поляризации, разработаны оригинальные методы контроля важнейших параметров, определяющих надежность работы сегнетоэлектрических элементов памяти: плотности и асимметрии ловушечных состояний на интерфейсах структуры, величины связанных с ними встроенных внутренних полей. Разработанные методы обеспечивают возможность контроля технологии и оптимизации характеристик устройств памяти, а также повышение их надежности.