Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 24465 |
Цитируемость | |
суммарная | 320835 |
на статью | 13,1 |
Индекс Хирша | 168 |
G-индекс | 284 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 27734 |
Цитируемость | |
суммарная | 344960 |
на статью | 12,4 |
Индекс Хирша | 177 |
G-индекс | 295 |
Понижение симметрии низкоразмерных гетероструктур по сравнению с объёмными полупроводниками приводит к анизотропии физических свойств этих систем. Нами предсказано, что такая анизотропия может проявляться в виде подавления одних механизмов спиновой релаксации другими. Для обнаружения эффекта был разработан специальный дизайн структуры, реализованный методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Эффект анизотропии времен спиновой релаксации обнаружен по зависимости ширины контура Ханле от ориентации магнитного поля в плоскости ямы. Предложен дизайн «оптимальной»структуры для создания приборов, использующих спиновые степени свободы, c максимально длинными временами спиновой релаксации.