Проект посвящен изучению влияние электронной структуры подложки на термическую ионизацию атомов и молекул на полупроводниковых подложках, а также ее влияние на электронно-стимулированную десорбцию (ЭСД) атомов щелочных металлов с полупроводниковых подложек. Оксиды металлов в настоящее время являются одними из востребованных материалов. Окислы WO3 и MoO3 нашли широкое применение в электронике, при создании различных сенсоров и датчиков, в накопителях энергии, в электро- и фотохромных системах, солнечных элементах, катализаторах в окислительных и восстановительных реакций и т.д. Окислы WO3 и MoO3 широко используются в качестве эмиттеров при термической ионизации металлов и органических молекул, а также в детекторах органических азотосодержащих молекул, работающих на воздухе при нормальном давлении. Одним из наиболее простых способов получения окислов металлов (WO3 и MoO3) является термическое окисление металлов в атмосфере кислорода, электронная структура поверхностей, полученных термическим окислением металлов в атмосфере кислорода, до сих пор не изучена. Полученные результаты позволят объяснить наблюдаемых к настоящему времени экспериментов по термической ионизации частиц, которые невозможно объяснить в рамках классической теории поверхностной ионизации. и разработать модель термической ионизации атомов и молекул на поверхности широкозонных полупроводников, учитывающих электронную структуру поверхности и модель электронно-стимулированной десорбции атомов поверхности широкозонных полупроводников, учитывающих электронную структуру поверхности