Spin depolarization of holes and lineshape of the Hanle effect in semiconductor nanostructures
2009 , Phys. Rev. B, v.80, 11
ISSN: 1098-0121

Номер статьи: #113301
Авторы:Andreev,SV; Namozov,BR; Koudinov,AV; Kusrayev,YG; Furdyna,JK
Авторы (ФТИ):Andreev,SV; Namozov,BR; Koudinov,AV; Kusrayev,YG DOI:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.113301 Scopus® times cited:7 Scopus® ID:2-s2.0-70350578697 Web of Science® times cited:8 Web of Science® ID:WOS:000270383200006
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.113301