Страницы: 205 - 209
Авторы:Osipov,VYu; Baranov,AV; Ermakov,VA; Makarova,TL; Chungong,LF; Shames,AI; Takai,K; Enoki,T; Kaburagi,Y; Endo,M; Vul,AYa
Авторы (ФТИ):Osipov,VYu; Makarova,TL; Vul,AYa
Подразделения:

• лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
• лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)

DOI:http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2010.12.006 Scopus® times cited:34 Scopus® ID:2-s2.0-79551557937 Web of Science® times cited:32 Web of Science® ID:WOS:000288145500030
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2010.12.006