Preparation and study of carbidized porous silicon
2002
, Semiconductors, v.36, 5
ISSN: 1063-7826
Страницы:
574 - 580
Авторы:Sreseli,OM; Goryachev,DN; Osipov,VY; Belyakov,LV; Vul`,SP; Serenkov,IT; Sakharov,VI; Vul`,AY
Авторы (ФТИ):Sreseli,OM; Goryachev,DN; Osipov,VY; Belyakov,LV; Vul`,SP; Serenkov,IT; Sakharov,VI; Vul`,AY
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1134/1.1478551
Scopus® times cited:13
Scopus® ID:2-s2.0-0036588596
Web of Science® times cited:11
Web of Science® ID:WOS:000175232000017
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/1.1478551