Номер статьи: #195315
Авторы:Poltavtsev,SV; Solovev,IA; Akimov,IA; Chaldyshev,VV; Lundin,WV; Sakharov,AV; Tsatsulnikov,AF; Yakovlev,DR; Bayer,M
Авторы (ФТИ):Akimov,IA; Chaldyshev,VV; Lundin,WV; Sakharov,AV; Yakovlev,DR; Bayer,M
Подразделения:

• лаб. физики аморфных полупроводников (Стовпяга,ЕЮ)
• лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)

DOI:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.98.195315 Scopus® times cited:7 Scopus® ID:2-s2.0-85057419732 Web of Science® times cited:6 Web of Science® ID:WOS:000451607600002
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.98.195315