Theory of resonant Raman scattering due to spin flips of resident charge carriers and excitons in perovskite semiconductors
2022 , Phys. Rev. B, v.106, 24
ISSN: 2469-9950

Номер статьи: #245202
Авторы:Rodina,AV; Ivchenko,EL
Авторы (ФТИ):Rodina,AV; Ivchenko,EL
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.106.245202 Scopus® times cited:6 Scopus® ID:2-s2.0-85143664393 Web of Science® times cited:4 Web of Science® ID:WOS:000909786700006
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.106.245202