TM Department   Group of the Theory and Computer Simulation of Radiation Defects and Processes in Multicomponent Materials  
 Home People Publications Conferences&Visits Grants&Projects Photos

 Eng / Rus  

 

   

Шмидт Александр Александрович

Александр Александрович Шмидт родился в Ленинграде 19-го октября 1980 года.

В 1997 закончил лицей "Физико-техническая школа" и поступил на на кафедру Физики твёрдого тела Физико-технического факультета  Санкт-Петербургского Государственного Политехнического Университета

В 2001 получил степень бакалавра, и в 2003 закончил Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет (красный диплом, степень магистра).

Название бакалаврской работы:

  • "Пороговые энергии смещения примесей в полупроводниковых гетероструктурах на основе GaAs".

    Название магистерской работы:

  • "Моделирование методом Монте-Карло ионного распыления и нейтронно-трансмутационного легирования полупроводниковых гетероструктур".

    С 1999 года А.А.Шмидт является членом группы Теории и компьютерного моделирования дефектов в кристаллах   сектора Теоретических основ микроэлектроники   Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН.

    Премии и гранты

  • В 2001-2002 академическом году: грант фонда поддержки образования и науки (фонд Ж.И.Алфёрова);
  • В 2002 г.: студенческий грант Международной Соросовской научно-образовательной программы;
  • В 2004 г.: грант фонда "Династия";
  • В 2004 г.: аспирантский грант правительства Санкт-Петербурга;

    • Конференции

    А.А.Шмидт участвовал в 4 студенческий и 12 международных конференциях и научных школах, включая:
  • Ferien-Akademie 2001;
  • Fifth ISTC scientific advisory committee seminar, ”Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology”;
  • 16th European Material Research Society Fall Meeting 2003;
  • 7th International Conference on Computer Simulation of Radiation Effects in Solids 2004;

    • Научные интересы

    • Моделирование эпитаксиального роста гетероструктур с большим несоответствием параметров решетки;
    • Теория и компьютерное моделирование физических процессов в твёрдых телах при облучении;
    • Ионное и нейтронное облучение при создании и исследовании гетероструктур.

    Список публикаций

    Текущая должность

    • Аспирант кафедры Физики твёрдого тела Санкт-Петербургского Государственного Политехнического Университета;
    • сотрудник группы Теории и компьютерного моделирования дефектов в кристаллах сектора Теоретических основ микроэлектроники Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН.

    Контактная информация

    E-mail: schmidt@theory.ioffe.ru
    Тел.:   +7 (812) 247-9147
    Факс:   +7 (812) 247-1017
    Адрес: 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая д.26, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН.

     


    TM Department homepage    Ioffe Institute homepage