лаб. Оптоэлектронных явлений в гетероструктурах

Области исследований:

• Изучение электрических и фотоэлектрических процессов в резких и плавных гетероструктурах и разработка на их основе новых приборов для сверхбыстрой электроники, оптоэлектроники и импульсной техники.
• Разработка методов получения нелегированных эпитаксиальных слоёв и создание на их основе высоковольтных p-n переходов.
• Исследование полупроводниковых квантовых точек в стёклах методами оптической спектроскопии (Рамановское рассеяние, поглощение, фотолюминесценция).

Основные полупроводниковые материалы:

• GaAs-AlGaAs
• GaAs-InGaAs
• InP-InGaAsP
• GaP-InGaP

Разработки:

• Лабораторное производство сверхбыстродействующих субнаносекундных Фотонно-инжекционных импульсных коммутаторов (на базе гетеропереходов GaAs-AlGaAs) и импульсных генераторов на их основе.
• Высокоэффективные p-i-n фотодиоды (1.0-1.6 мкм) пикосекундного быстродействия на основе слаболегированных эпитаксиальных слоёв InP и твёрдых растворов InGaAsP.

Сотрудники:

• В лаборатории работают 11 исследователей, включая 1 доктора физ.-мат. наук и 9 кандидатов.

Руководитель лаборатории:

• Проф. В.И. Корольков, Лауреат Ленинской премии
  Тел: +7 (812) 247-99-31
  Факс: +7 (812) 247-59-11
  E-mail: Vladimir.Korolkov@mail.ioffe.ru или Korolkov@argot.ioffe.rssi.ru

Почтовый адрес:

• ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
  194021, Россия, С.-Петербург,
  Политехническая, 26