Electronic archive New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties |
Введение
Электронный архив: «Новые полупроводниковые материалы: Характеристики и свойства» содержит большой объем информации об основных полупроводниковых материалах и гетероструктурах на их основе. Представлены как экспериментальные данные, так и модельные расчеты.1. Свойства полупроводников
Архив содержит физические cвойства и параметры для следующих полупроводников:| Si | - Silicon | Ge | - Germanium |
| GaP | - Gallium Phosphide | GaAs | - Gallium Arsenide |
| InAs | - Indium Arsenide | C | - Diamond |
| GaSb | - Gallium Antimonide | InSb | - Indium Antimonide |
| InP | - Indium Phosphide | GaAs1-xSbx | - Gallium Arsenide Antimonide |
| AlxGa1-xAs | - Aluminium Gallium Arsenide | GaxIn1-xP | - Gallium Indium Phosphide |
| GaxIn1-xAs | - Gallium Indium Arsenide | GaxIn1-xSb | - Gallium Indium Antimonide |
| InAs1-xSbx | - Indium Arsenide Antimonide | GaxIn1-xAsyP1-y | - Gallium Indium Arsenide Phosphide |
| GaxIn1-xAsySb1-y | - Gallium Indium Arsenide Antimonide | GaN | - Gallium Nitride |
| AlN | - Aluminium Nitride | InN | - Indium Nitride |
Для данных полупроводниковых материалов Вы можете найти в нашем Архиве следующие данные:
Основные параметры: |
Тип кристаллической структуры, группу симметрии, Температуру Дебая, Плотность, Диэлектрическую постоянную (статическую и высокочастотную), Эффективные массы электронов и дырок, Коэффициент электронного сродства, Постоянную решетки, и др. |
Зонная структура и носители заряда: |
Вид зонной структуры, Энергетические растояния между зонами и подзонами, Плотности состояний в валентной зоне и зоне проводимости, массы электронов и дырок в зонах и подзонах, а так же глубину залегания основных доноров и акцепторов. |
Оптические свойства: |
Спектры коэффициентов отражения, преломления и поглощения, энергии оптических фононов и зависимость этих параметров от температуры и величины легирования. |
Электрические свойства: |
Подвижность электронов и дырок, коэффициенты диффузии и тепловых скоростей, Коэффициенты Холла, Транспортные свойства в сильных электрических полях, Параметры ударной ионизации, Коэффициенты рекомбинации и значения ОЖЕ коэффициентов. |
Механические свойства: |
Константы упругости и твердости, Скорости акустических волн и фононные частоты. |
Температурные свойства: |
Температура плавления, Температурная проводимость и диффузия, Коэффициент теплового расширения. |
Ссылки: |
Ссылки на оригинальные статьи и сборники. |
2. Архив Оптических констант
Представлены значения оптических констант n и k для множества материалов (металлы, полупроводники, диэлектрики, жидкости, стекла).3. Модель расчета Оже коэффициента для гетероструктуры In1-x1Gax1Asy1P1-y1/In1-x2Gax2Asy2P1-y2
Представленна теоретическая модель расчета излучательных и безизлучательных Оже переходов для гетероструктуры 4. Модель расчета энергетических уровней электронов и дырок
Организован on-line расчет положения энергетических уровней в зависимости от состава, и толщины слоев.webmaster Алексей Толмачев
© Copyright 1998-2001 ФТИ им А.Ф.Иоффе РАН
|
|