|
|
 |
|
 |
|
Области исследования
Физика III-V материалов и приборов на их основе.
Фундаментальные исследования.
- Исследование электрических, рекомбинационных и оптических явлений в узкозонных полупроводниковых материалах и гетероструктурах I и II типа на основе соединений A3B5
- Транспортные свойства
- Дефекты и примеси
- Оптические и транспортные явления на поверхности и границах раздела
- Излучательная и безызлучательная рекомбинация
- Стимулированное излучение, электролюминесценция
- Ударная ионизация и процессы умножения фототока
- Квантовые явления в низкоразмерных гетероструктурах
- Квантовый магнитотранспорт
- Новые физические принципы создания перестраиваемых лазеров для ИК диапазона
- Создание и исследование высокоэффективных фотодиодов для ИК диапазона
- Создание лазеров среднего ИК диапазона — (перестраиваемые лазеры, туннельно-инжекционные, кольцевые (WGM) лазеры
Технология создания гетероструктур на основе III-V полупроводников
ЖФЭ (Жидкофазная эпитаксия)
- Материалы и гетероструктуры на основе GaSb (InAsSb, GaInAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb)
- Материалы и гетероструктуры на основе InAs (InAsSb, GaInAsSb, InAsSbP)
- InSb
- Наногетероструктуры
MOVPE (Metaorganic Vapor Phase Epitaxy)
- Материалы и гетероструктуры на основе GaSb (GaSb, GaAsSb, GaInAsSb, GaAlAsSb)
- Материалы и гетероструктуры на основе InAs ( InAsSb, InAsSbP)
Постростовая обработка III-V and II-VI материалов
- Фотолитография
- Химическое и электрохимическое травление
- Омические контакты
- Поверхностные защитные покрытия
- Разработка новой поверхностной геометрии
Приборы для среднего ИК диапазона
- Светодиоды
- Лазеры
- Фотодиоды
- Иммерсионные светодиоды и фотодиоды
- Электронные приборы
|
|
 |
|
 |
|
