руководство лаборатории

Игорь Анатольевич Андреев

Игорь Анатольевич Андреев родился 23 апреля 1960 года. Окончил Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина) в 1983 году и поступил на работу в Физико-Технической институт им. А.Ф. Иоффе, где в 1994 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование процессов ударной ионизации и лавинного умножения в узкозонных твердых растворах А³В⁵, на основе GaSb и InAs».

В настоящее время является старшим научным сотрудником лаборатории инфракрасной оптоэлектроники (ЛИКО) и руководит группой R&D фотодиодов. Основные научные интересы: ударная ионизация и процессы умножения фототока в узкозонных материалах на основе соединений А³В⁵; фотодиоды для ИК диапазона. Научная работа И.А. Андреева с коллегами была поддержана Американским физическим обществом, РФФИ, МНТС и другими  научными фондами.

И.А. Андреев является автором изобретений, более 50 статей и обзоров. 

Ряд основных публикаций представлен ниже:

• A. Andreev, M. A. Afrailov, A. N. Baranov, N. N. Mar'inskaya, M. A. Mirsagatov, M. P. Mikhailova, and Yu. P. Yakovlev. “Low-noise avalanche photodiodes with separated absorption and multiplication regions for the spectral interval 1.6--2.4 μm”. Sov. Tech. Phys. Lett. 15, 692 (1989).
• I. A. Andreev, M. P. Mikhalova, S. V. Mel'nikov, Yu. P. Smorchkova, and Yu. P. Yakovlev. “Avalanche multiplication and ionization coefficients of GaInAsSb” Sov. Phys. Semicond. 25, 861 (1991)
• I.A.Andreev, E.V.Kunitsyna, M.P.Mikhailova, Yu.P.Yakovlev “Long-wavelength photodiodes based on GaInAsSb with composition near the miscibility boundary”. Semiconductors 33, 216 (1999)
• N. D. Stoyanov, M. P. Mikhalova, O. V. Andrechuk, K. D. Moiseev, I. A. Andreev, M. A. Afrailov, and Yu. P. Yakovlev. “Photodiodes for a 1.5--4.8 μm Spectral Range Based on Type-II GaSb/InGaAsSb Heterostructures”. Semiconductors 35, 453 (2001) 
• A. Andreev, N. D. Il'inskaya, E. V. Kunitsyna, M. P. Mikhailova, and Yu. P. Yakovlev. High-Efficiency GaInAsSb/GaAlAsSb Photodiodes for 0.9 to 2.55-μm Spectral Range with a Large-Diameter Active Area. Semiconductors 37, 949 (2003)
• Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, S.S. Kizhayev, E.V. Kunitsyna, and M.P. Mikhailova. High-speed photodiodes for 2.0-4.0 μm spectral range. 19 International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Proc.SPIE, 2006.
• M.P.Mikhailova, I.A.Andreev. “High-speed Avalanche Photodiode for the 2-5 μm Spectral Range”.  In book “Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics”. A. Krier (Ed.). Springer series in optical sciences. 2006. pp.547-592.