|
|
организована в 2000 году в Физико-техническом институте им Иоффе РАН.
Структура лаборатории:
Группа МПЭ - рост материалов III-As и Si
Группа IIIN материалов - рост и исследование IIIN материалов
Оптическая группа - характеризация
Руководство лаборатории:
Зав. лаб. Алферов Жорес Иванович
Зам. зав. лаб. Устинов Виктор Михайлович
Зам. зав. лаб. Леденцов Николай Николаевич
Ученый секретарь: Лундин Всеволод
Секретарь - экономист: Бекман Юлия Германовна
Область исследований:
- Физика и технология выращивания (МПЭ и ГФЭМОС) полупроводниковых гетероструктур
- Оптическая и структурная характеризация полупроводниковых структур
- Оптоэлектроника и наноэлектроника (низкоразмерные гетероструктуры - квантовые точки, квантовые ямы)
- Полупроводниковые лазерные диоды, фотодетекторы, мощные и высокочастотные полупроводниковые приборы
- Постростовая обработка полупроводниковых приборов
В штате лаборатории работают 28 исследователей, включая 4 доктора наук и 12 кандидатов.
Контактная информация
почтовый адрес:
26 ул. Политехническая
Санкт-Петербург
194021, Россия
тел. 7-(812) 297-3182, 7-(812) 247-9132 тел./факс. 7-(812) 297-3178
Публикации
Награды
Фотогалерея
English version 
|
|
