В конце декабря 2002 года состоялась поездка академика Ж.И.Алферова на остров Тайвань, целью которой являлось обсуждение результатов и дальнейшего развития Совместной Научной программы между Industrial Technology Research Institute и ФТИ “Advanced semiconductor light sources”. В состав делегации также входили члены Российской Академии Наук Ю.В.Гуляев (директор Института Радиотехники и Электроники), В.А.Назаренко (директор Петербургского Института Ядерной Физики), и Н.Н.Леденцов. 25 декабря в здании Международного Выставочного Центра Тайпея состоялся Workshop on ITRI-IOFFE Joint Scientific Program “GaAs-based Long-wavelength lasers ”, или как это называли неофициально в ИТРИ – ITRI-Ioffe show. Первый раз подобное мероприятие проводилось в июле 2000 года. Ниже представлены фотографии с обоих мероприятий, а также доклад Алексея Ковша – “Technologies and materials developing in ITRI-Ioffe Joint Scientific Program: results of two-year joint work on MBE-grown devices” July 2000 December 2002 Posters