/
| Все | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 |
| 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 |
| 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 |
| 2004 | 2003 | 2002 | 2001 | 2000 |
| 1999 | Патенты | ⇑Наверх |
Список публикаций сотрудников
Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур
| Все | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 |
| 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 |
| 2005 | 2004 | 2003 | 2002 | 2001 | 2000 | 1999 |
| Патенты |
G. Pozina, A.R. Gubaydullin, M.I. Mitrofanov, M.A. Kaliteevski, I.V. Levitskii, G.V. Voznyuk, E.E. Tatarinov, V.P. Evtikhiev, S.N. Rodin, V.N. Kaliteevskiy, L.S. Chechurin Approach to high quality GaN lateral nanowires and planar cavities fabricated by focused ion beam and metal-organic vapor phase epitaxy // Scientific Reports. 2018. - V.8. №1. - P. 7218.
DOI: 10.1038/s41598-018-25647-7.
М.И. Митрофанов, Я.В. Левицкий, Г.В. Вознюк, Е.Е. Татаринов, С.Н. Родин, М.А. Калитеевский, В.П. Евтихиев Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления // Физика и Техника Полупроводников. 2018. - Т. 52. №7. - С. 816–818.
DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46058.8797.
M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevski, V. P. Evtikhiev Concentric Hexagonal GaN Structures for Nanophotonics, Fabricated by Selective Vapor-Phase Epitaxy with Ion-Beam Etching // Semiconductors. 2018. - V.52. №7. - P. 954-956.
DOI: 10.1134/S1063782618070151.
Исследование статистического уширения в твёрдых растворах InGaN / Артеев Д. С., Сахаров А. В., Заварин Е. Е., Лундин В. В., Смирнов А. Н., Давыдов В. Ю., Яговкина М.А., Усов С. О., Цацульников А. Ф. // Тезисы докладов международной конференции ФизикА.СПб, Санкт-Петербург, 23-25 октября 2018.
Investigation of the statistical broadening in the InGaN solid solutions / D.S. Arteev, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, M.A. Yagovkina, S.O. Usov, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of international conference Physics.SPb (St. Petersburg, 23-25 October 2018). - St. Petersburg, 2018.
Arteev D.S., Sakharov A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Usov S.O., Chaldyshev V.V., Bolshakov A.S., Yagovkina M.A., Tsatsulnikov A.F., Investigation of Statistical Broadening in InGaN Alloys // Journal of Physics: Conference Series. 2018. - V. 1135. - P. 012050/1-6.
DOI: 10.1088/1742-6596/1135/1/012050.
Poltavtsev S.V., Solovev I.A., Akimov I.A., Chaldyshev V.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Yakovlev D.R., Bayer M. Long coherent dynamics of localized excitons in (In,Ga)N/GaN quantum wells // Physical Review B. 2018. - V. 98. №1. - P. 195315.
DOI: 10.1103/PhysRevB.98.195315.
Применение искусственных нейронных сетей для предсказания параметров эпитаксиальных слоёв AlGaN, выращенных методом МОГФЭ / Д.С. Артеев, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников / Тезисы докладов 20-ой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, (Санкт-Петербург, 26-30 ноября 2018г.). – Санкт-Петербург, 2018. – C. 13.
The application of the artificial neural networks for prediction of the parameters of the AlGaN epitaxial layers grown by MOVPE eptaxy / D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of the 20th All-Russian Youth Conference on the Physics of Semiconductors and Nanostructures, (St. Petersburg, 26-30 November 2018). - St. Petersburg, 2018. - P. 13.
Оборудование и технология эпитаксиального роста AlGaInN гетероструктур для транзисторов методом МОС-гидридной эпитаксии / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Д.А. Закгейм, А.Е. Николаев, В.М. Устинов // Тезисы докладов I-ой международной научно-технической конференции «ОПТО-, МИКРО- И СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА – 2018», (Минск, Беларусь, 22–26 октября 2018 г.). – Минск, 2018. – C. 66-69.
The equipment and technology for epitaxial growth of AlGaInN heterostructures for transistors by MOVPE epitaxy method / А.F. Tsatsulnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, D.A. Zakheim, A.E. Nikolaev, V.M. Ustinov // Abstracts of the 1st International Scientific and Technical Conference "OPTO-, MICRO- and UHF-ELECTRONICS - 2018", (Minsk, Belarus, October 22–26, 2018). - Minsk, 2018. - p. 66-69.
Осаждение Si3N4 и твердых растворов Si3N4-GaN и Si3N4-AlN для электронных применений в установке газофазной эпитаксии / А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, С.Н. Родин, Т.Б. Попова, М.В. Заморянская, М.А. Яговкина, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.Г. Тихомиров, А.C. Евсеенков / Тезисы докладов I-ой международной научно-технической конференции «ОПТО-, МИКРО- И СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА – 2018», (Минск, Беларусь, 22–26 октября 2018 г.). – Минск, 2018. – C. 90-93.
Deposition of the Si3N4 and Si3N4-GaN and Si3N4-AlN solid solutions for electronic applications in the MOVPE epitaxy system / A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, V.V. Lundin, A.E. Nikolaev, S.N. Rodin, TB Popova, M.V. Zamoryanskaya, M.A. Yagovkina, S.O. Usov, A.F. Tsatsulnikov, V.G. Tikhomirov, A.C. Evseenkov / Proceedings of the 1st International scientific and technical conference "OPTO-, MICRO- and MICROWAVE –ELECTRONICS – 2018», (Minsk, Belarus, 22–26 October, 2018). – Minsk, 2018. – PP. 90-93.
Lundin W.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Zakheim D.A., Davydov V.Yu., Smirnov A.N., Eliseyev I.A., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Lundina E.Yu., Markov L.K., Tsatsulnikov A.F. Growth of III-N/graphene heterostructures in single vapor phase epitaxial process // Journal of Crystal Growth. 2018. - V. 504. - P. 1-6.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.017.
Study of growth conditions effect on GaN doping with carbon from propane and methane / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, D.Yu. Kazantsev, B.Ya. Ber, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of IC MOVPE-XIX (Nara, Japan, 3-8 June 2018).
Study of silicon nitride deposition in III-N MOVPE reactors / W.V. Lundin, S.N. Rodin, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, A.E.Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of IC MOVPE-XIX (Nara, Japan, 3-8 June 2018).
Carrier Redistribution in Blue-Cyan InGaN Dichromatic Light-Emitting Diodes / D.S. Arteev, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, S.O. Usov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov / Proceedings of the International Conference Laser Optics (ICLO) 2018, (St. Petersburg, 4-8 June 2018). – St. Petersburg, 2018 – p. 134-134.
DOI: 10.1109/LO.2018.8435734.
Zakheim D.A., Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Brunkov P.N., Lundina E.Y., Tsatsulnikov A.F., Karpov S.Yu. Dependence of leakage current in Ni/Si3N4/n-GaN Schottky diodes on deposition conditions of silicon nitride // Semicondor Science and Technology. 2018. - V.33. №11. - P. 115008/1-8.
DOI: 10.1088/1361-6641/aae242.
Sakharov A.V., Lundin W.V., Nikolaev A.E., Sokolovskii G.S., Tsatsulnikov A.F., Rafailov E.U. Di-chromatic InGaN based color tuneable monolithic LED with high color rendering index // Applied Sciences. 2018. - V.8. №7. - P. 1158/1-8.
DOI: 10.1088/10.3390/app8071158.
Analysis of electroluminescence spectrum of InGaN/GaN light-emitting diode with dual-wavelength emission and mesh-like electrode / I. Khmyrova,Y. Nishidate, J. Kholopova, E.Polushkin, S.Larkin, A.Kovalchuk, A. Tsatsul’nikov, V. Zemlyakov, S. Shapoval / Proceedings of the 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, (Minsk, Belarus, 18–22 June 2018). – Minsk, 2018 – p. 25-26.
Ultrathin barrier InAlN/GaN heterostructures for HEMTs / A.V. Sakharov,W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.A. Zakheim, S.O. Usov, A.F. Tsatsulnikov, M.A.Yagovkina, P.E. Sim, O.I. Demchenko, N.Y. Kurbanova, L.E. Velikovskiy / Proceedings of 26th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, (Minsk, Belarus, 18–22 June 2018 г.). – Minsk, 2018. – C. 99-100.
Sakharov A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Zakheim D.A., Usov S.O., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A., Sim P.E., Demchenko O.I., Kurbanova N.Y., Velikovskiy L.E., Ultrathin barrier InAlN/GaN heterostructures for HEMTs // Semiconductors. 2018. - V.52. №14. - P. 1843–1845.
DOI: 10.1134/S1063782618140257.
FIB lithography challenges of Si3N4/GaN mask preparation for selective epitaxy / M.I. Mitrofanov, I.V. Levitskii, G.V. Voznyuk, E.E. Tatarinov, S.N. Rodin, W.V. Lundin, V.P. Evtikhiev, M.N. Mizerov / Proceedings of the 26th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, (Minsk, Belarus, 18–22 June 2018). – Minsk, 2018 – p. 157-158.
Лундин В.В., Цацульников A.Ф.,. Родин С.Н, Сахаров А.В., Усов С.О., Митрофанов М.И., Левицкий Я.В., Евтихиев В.П. Селективный эпитаксиальный рост III−N-структур с использованием ионной нанолитографии // Физика и Техника Полупроводников. 2018. - Т. 52. №10. - С. 1237-1243.
DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46467.8861.
Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Rodin S.N., Sakharov A.V., Usov S.O., Mitrofanov M.I., Levitskii I.V., Evtikhiev V.P. Selective epitxial growth of III−N structures using ion beam nanolithography // Semiconductors Vol. 52. №10. 1357–1362 (2018).
DOI: 10.1134/S106378261810007X.
Емцев В.В., Гущина Е.В., Петров В.Н., Тальнишних Н.А., Черняков А.Е., Шабунина Е.И., Шмидт Н.М., Усиков А.С., Карташова А.П., Зыбин А.А., Козловский В.В., Кудояров М.Ф., Сахаров А.В., Полоскин Д.С., Лундин В.В., Оганесян Г.А. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы // Физика и Техника Полупроводников. 2018. - Т. 52. №7. - С. 804-811.
DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46056.8805.
Emtsev V.V., Gushchina E.V., Petrov V.N., Tal’nishnih N.A., Chernyakov A.E., Shabunina E.I., Shmidt N.M., Usikov A.S., Kartashova A.P., Zybin A.A., Kozlovski V.V., Kudoyarov M.F., Saharov A.V., Oganesyan A.G., Poloskin D.S., Lundin V.V. Diversity of Properties of Device Structures Based on Group-III Nitrides, Related to Modification of the Fractal-Percolation System // Semiconductors Vol. 52. №7. 942–949 (2018).
DOI: 10.1134/S1063782618070072.
Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Закгейм Д.А., Николаев А.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Цацульников А.Ф. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом // Письма в Журнал Технической Физики. 2018. - Т. 44. №13. - С. 51-58.
DOI: 10.21883/PJTF.2018.13.46327.17310.
Lundin V.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Zakgeim D.A., Nikolaev A.E., Brunkov P.N., Yagovkina M.A., Tsatsul’nikov A.F. The Effect of the Method by Which a High-Resistivity GaN Buffer Layer Is Formed on Properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures with 2D Electron Gas // Technical Physics Letters Vol. 44. №7. 577–580 (2018).
DOI: 10.1134/S1063785018070106.
Karpov S.Yu., Zakheim D.A., Lundin W, Sakharov A.V., Zavarin E.E., Brunkov P.N., Lundina, E.Yu., Tsatsulnikov A.F. Barrier height modification and mechanism of carrier transport in Ni/in situ grown Si3N4/n-GaN Schottky contacts // Semicondor Science and Technology. 2018. - V.33. №2. - P. 025009/1-10.
DOI: 10.1088/1361-6641/aaa603.
Артеев Д.С., Сахаров А.В. Рекомбинация и перераспределение носителей заряда в сине-голубых дихромных светодиодах на основе InGaN // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание / [Электронный ресурс]. - Режим доступа: URL:
http://kmu.ifmo.ru/collections_article/7460/rekombinaciya_i_pereraspredelenie_nositeley_zaryada_v_sine-golubyh_dihromnyh_svetodiodah_na_osnove_InGaN.htm.
Non-radiative coupled donor-acceptor pair recombination in nanostructures based on nitrides and related phenomena / Talnishnikh N.A., Shabunina E.I., Shmidt N.M., Chernyakov A.E., Arteev D.S., Zybin A.A. // Proceedings of International School and Conference “SPb Open 2018” (Saint Petersburg, Russia, 2-5 April, 2018) // Journal of Physics: Conference Series. 2018.
«Высокоскоростные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для оптических систем передачи данных (Обзор)» С.А. Блохин, Н.А. Малеев, М.А. Бобров, А.Г. Кузьменков, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, Письма в журнал технической физики 44 (1), 7-43 (2018).
«High-Speed Semiconductor Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for Optical Data-Transmission Systems (Review)» S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuzmenkov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, Technical Physics Letters 44, 1–16 (2018).
DOI: 10.1134/S1063785018010054.
«Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 µm, сформированные методом спекания» А.В. Бабичев, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J.P. Turkiewicz, К.O. Воропаев, А.С. Ионов, M. Agustin, N.N. Ledentsov, А.Ю. Егоров, Письма в журнал технической физики 44 (1), 59-66 (2018).
«Vertical-Cavity Surface-Emitting 1.55-μm Lasers Fabricated by Fusion» A.V. Babichev, L.Ya. Karachinskii, I.I. Novikov, A.G. Gladyshev, S.A. Blokhin, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J.P. Turkiewicz, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, M. Agustin, N.N. Ledentsov, A.Yu. Egorov, Technical Physics Letters 44(1), 24-27 (2018).
DOI: 10.1134/S1063785018010029.
«Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона» С.А. Блохин, М.А. Бобров, А.Г. Кузьменков, А.А. Блохин, А.П. Васильев, Ю.А. Гусева, М.М. Кулагина, Ю.М. Задиранов, Н.А. Малеев, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Письма в журнал технической физики 44 (1), 67-75 (2018).
«The Influence of Cavity Design on the Linewidth of Near-IR Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers» S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz’menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil’ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, Technical Physics Letters 44, 28–31 (2018).
DOI: 10.1134/S1063785018010042.
«Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm» Н.Н. Леденцов, В.А. Щукин, V.P. Kalosha, N.N. Ledentsov, Jr, J.R. Kropp, M. Agustin, С.А. Блохин, А.А. Блохин, М.А. Бобров, М.М. Кулагина, Ю.М. Задиранов, Н.А. Малеев, Письма в журнал технической физики 44 (1), 85-94 (2018).
«A Design and New Functionality of Antiwaveguiding Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for a Wavelength of 850 nm» N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, V.P. Kalosha, N.N. Ledentsov Jr., J.R. Kropp, M. Agustin, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, M.A. Bobrov, M.M. Kulagina, Yu.M. Zadiranov, N. A. Maleev Technical Physics Letters 44(1), 36–39 (2018).
DOI: 10.1134/S1063785018010078.
Multilayer Quantum Well-Dot InGaAs Heterostructures in GaAs-based Photovoltaic Converters. Mintairov, S. A. and Kalyuzhnyy, N. A. and Nadtochiy, A. M. and Maximov, M. V. and Nevedomskiy, V. N. and Sokura, L. A. and Rouvimov, S. S. and Shvarts, M. Z. and Zhukov, A. E. SEMICONDUCTORS, 52(10), 1249-1254, (2018).
DOI: 10.1134/S1063782618100147.
Effect of Epitaxial-Structure Design and Growth Parameters on the Characteristics of Metamorphic Lasers of the 1.46-m Optical Range Based on Quantum Dots Grown on GaAs Substrates. Maximov, M. V. and Nadtochiy, A. M. and Shernyakov, Yu. M. and Payusov, A. S. and Vasil'ev, A. P. and Ustinov, V. M. and Serin, A. A. and Gordeev, N. Yu. and Zhukov, A. E. SEMICONDUCTORS, 52(10), 1311-1316, (2018).
DOI: 10.1134/S1063782618100093.
Gradual Evolution From Quantum-Well-Like to Quantum-Dot-Like Characteristics in InGaAs/GaAs Nanostructures. Nadtochiy, Alexey M. and Maximov, V, Mikhail and Mintairov, Sergey A. and Kalyuzhnyy, Nikolay A. and Nevedomskiy, Vladimir N. and Rouvimov, Sergey S. and Zhukov, Alexey E. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 255(9), 1800123, (2018).
DOI: 10.1002/pssb.201800123.
In0.8Ga0.2As Quantum Dots for GaAs Solar Cells: Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy Growth Peculiarities and Properties. Salii, R. A. and Kosarev, I. S. and Mintairov, S. A. and Nadtochiy, A. M. and Shvarts, M. Z. and Kalyuzhnyy, N. A. SEMICONDUCTORS, 52(7), 870-876, (2018).
DOI: 10.1134/S1063782618070199.
Bimodality in Arrays of In0.4Ga0.6As Hybrid Quantum-Confined Heterostructures Grown on GaAs Substrates. Nadtochiy, A. M. and Mintairov, S. A. and Kalyuzhnyy, N. A. and Rouvimov, S. S. and Nevedomskii, V. N. and Maximov, M. V. and Zhukov, A. E. SEMICONDUCTORS, 52(1), 53-58, (2018).
DOI: 10.1134/S1063782618010153.
Резонансные брэгговские структуры с GaN/AlGaN квантовыми ямами / Д.С. Артеев, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, В.В. Чалдышев, А.С. Большаков, М.А.Яговкина, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов международной конференции ФизикА.СПб,
(Санкт-Петербург, 24-26 октября 2017 г.). – Санкт-Петербург, 2017. – C. 316 //
Journal of Physics: Conference Series. 2018. - V. 1038. - P.012119.
DOI: 10.1088/1742-6596/1038/1/012119.
Resonant Bragg structures with GaN/AlGaN Quantum Wells / D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, S.O. Usov, V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, M.A. Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of international conference Physics.SPb (St. Petersburg, 24-26 October 2017). - St. Petersburg, 2017. - P. 316. // Journal of Physics: Conference Series. 2018. - V. 1038. - P.012119.
DOI: 10.1088/1742-6596/1038/1/012119.
Non-radiative coupled donor-acceptor pair recombination in nanostructures based on nitrides and related phenomena / Talnishnikh N.A., Shabunina E.I., Shmidt N.M., Chernyakov A.E., Arteev D.S., Zybin A.A. // Proceedings of International School and Conference “SPb Open 2018” (Saint Petersburg, Russia, 2-5 April, 2018) // Journal of Physics: Conference Series. 2018.
DOI: 10.1088/1742-6596/1124/4/041023 .
Монолитные полихромные InGaN/GaN светодиоды / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, С.Н. Родин, Лундина Е.Ю., Н.А. Черкашин, С.Ю. Карпов // Тезисы докладов 13-ой Российской конференции по физике полупроводников, (Екатеринбург, 02–06 октября 2017 г.). – Екатеринбург, 2017. – C. 419.
Лундин В.В., Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Устинов В.М., Реакторы для МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия: настоящее и будущее // Научное приборостроение. 2017. - Т. 27. №1. - С. 5-9.
Савченко Г.М., Дюделев В.В., Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Когновицкая Е.А., Лосев С.Н., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Аверкиев Н.С., Соколовский Г.С. Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники // Физика Твердого Тела. 2017. - Т. 51. №9. - С. 1680-1683.
DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44836.072.
Savchenko, G.M., Dudelev, V.V., Lundin, V.V., Sakharov, A.V., Tsatsul’nikov, A.F., Kognovitskaya, E.A., Losev, S.N., Deryagin, A.G., Kuchinskii, V.I., Averkiev, N.S., Sokolovskii, G.S. Photonic-crystal waveguide for the second-harmonic generation // Physics of the Solid State. 2017. - V.59. №9. - P. 1702-1705.
DOI: 10.1134/S106378341709027X.
III-N гетероструктуры для монолитных полихромных светоизлучающих приборов / А.Ф . Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев // Тезисы докладов 11-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», (Минск, Беларусь, 22 – 26 мая 2017 г.). – Минск, 2017. – C. 70-71.
Модуляция отражения в III-N экситонной Брэгговской структуре / А.В . Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, Д.С. Артеев, В.В. Чалдышева, А.С. Большаков, М.А. Яговкина, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», (Минск, Беларусь, 22 – 26 мая 2017 г.). – Минск, 2017. – C. 75-77.
Study of silicon nitride deposition in III-N MOVPE reactors / W.V. Lundin, S.N. Rodin, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, M.A. Sinitsyn, A. F. Tsatsulnikov // Proceedings of the 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE17), (Grenoble, France, 18-21 June 2017). - Grenoble, 2017.
Carrier transport and emission efficiency in InGaN quantum-dot based LEDs / D. Barettin, M. Auf der Maur, A. Pecchia, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, M. Korytov, N. Cherkashin, M.J. Hytch, S.Yu. Karpov // Proceedings of the International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 26-30 June 2017). - Saint-Petersburg, 2017. – C. 49-50.
Absorption suppression in InGaN/GaN resonant Bragg structures / A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of the International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 26-30 June 2017). - Saint-Petersburg, 2017. – C. 108-109.
High Q Gallium Nitride Microring Resonators / E. Stassen, M. Pu, E. Semenova, E. Zavarin, W. Lundin, K. Yvind // Proceedings of the Conference on Lasers and Electro-Optics Europe / European Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe-EQEC), (Munich, Germany, 25-29 June 2017). - Munich, 2017.
DOI: 10.1109/CLEOE-EQEC.2017.8086619.
Mitrofanov M.I., Rodin S.N., Levitskii I.V., Troshkov S.I., Sakharov A.V., Lundin W.V., Evtikhiev V.P. Ga focused ion beam etching of a Si3N4/GaN substrate for submicron selective epitaxy // Journal of Physics: Conference Series. 2017. - V.816. - P.012009/1-5.
Arteev D. S., Sakharov A. V., Nikolaev A. E., Usov S. O., Lundin W. V., Tsatsulnikov A. F., Luminescence peculiarities of InGaN/GaN dichromatic LEDs // Journal of Physics: Conference Series. 2017. - V. 816. - P. 012038/1-7.
DOI: 10.1088/1742-6596/816/1/012038.
Galimov A.I., Shalygin V.A., Moldavskaya M.D., Melentev G.A., Vinnichenko M.Ya., Artemyev A.A., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Lundina E.Yu., Lundin W.V. Optical properties of GaN/AlGaN nanostructures in the terahertz frequency range // Journal of Physics: Conference Series. 2017. - V.816. - P.012019/1-8.
DOI: 10.1088/1742-6596/816/1/012019.
Kholopova Y., Khmyrova I. , Larkin S., Zemlyakov V., Egorkin V., Tsatsul'nikov A., Nishidate Y., Shapoval S. Blue-green InGaN/GaN light-emitting diode with mesh-like top metal electrode // Microelectronic Engineering. 2017. - V.174. - P. 80-84.
DOI: 10.1016/j.mee.2017.02.014..
Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A. Room temperature exciton-polariton resonant reflection and suppressed absorption in periodic systems of InGaN quantum wells // Journal of Applied Physics. 2017. - V.121. №13. - P.133101.
DOI: 10.1063/1.4979636.
D. Barettin, M. Auf der Maur, A. di Carlo, A. Pecchia, A.F. Tsatsulnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, M. Korytov, N. Cherkashin, M.J. Hÿtch, S.Yu. Karpov Carrier transport and emission efficiency in InGaN quantum-dot based light-emitting diodes // Nanotechnology. 2017. - V.28. №27. - P. 275201.
DOI: 10.1088/1361-6528/aa75a8.
D. Barettin, M. Auf der Maur, A. Pecchia, A. Tsatsulnikov, A. Sakharov, W. Lundin, A. Nikolaev, S. Usov, N. Cherkashin, M. Hÿtch, A. Di Carlo, S. Karpov Influence of electromechanical coupling on optical properties of InGaN quantum-dot based light-emitting diodes // Nanotechnology. 2017. - V.28. №1. - P.015701.
DOI: 10.1088/0957-4484/28/1/015701.
Лундин В.В., Родин С.Н., Сахаров А.В., Лундина Е.Ю., Усов С.О., Задиранов Ю.М., Трошков С.И., Цацульников А.Ф. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины // Физика и Техника Полупроводников. 2017. - Т. 51. №1. - С. 101-104.
DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44003.8293.
Lundin W.V., Rodin S.N., Sakharov A.V., Lundina E.Y., Usov S.O., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Tsatsulnikov A.F. InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length // Semiconductors. 2017. - V.51. №1. - P.100-103.
DOI: 10.1134/S1063782617010122.
Единый ОГФЭ/МОГФЭ процесс формирования III-N/графен светодиодных структур на сапфире и их отделение от подложек / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Е.Ю. Лундина, И.П. Смирнова, Д.А. Закгейм, Л.К. Марков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 24-25.
Комплексное исследование легирования GaN углеродом из пропана при МОС-гидридной эпитаксии / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, Д.Ю. Казанцев, Б.Я. Бер, П.Н. Брунков, М.А. Яговкина, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 30-31.
Исследование роста Si3N4 в реакторе для МОС-гидридной эпитаксии III-N структур / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, П.Н. Брунков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 54-55.
Монолитные источники белого света / А.Ф. Цацульников, В.В Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, С.Ю. Карпов // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 80-81.
InGaN/GaN нитевидные светодиодные микрокристаллы / В.В. Лундин, С.Н. Родин, А.В.Сахаров, Е.Ю. Лундина, С.О. Усов, Ю.М. Задиранов, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 86-87.
Разработка мощных GaN транзисторов L, S и Х диапазона / Л.Э. Великовский, П.Е. Сим, О.И. Демченко, Н.Е. Курбанова, В.В. Лундин, Е.Е.Заварин, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 114-115.
Резонансные брэгговские структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN и GaN/AlGaN / В.В. Чалдышев, А.С. Большаков, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 160-161.
Особенности пассивации GaN сверхртонкими слоями SiN / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, П.Н.Брунков, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 172-173.
Оптические свойства структур GaN/AlGaN/Al2O3 в терагерцовом диапазоне частот / М.Д. Молдавская, В.А. Шалыгин, Г.А. Мелентьев, Д.А. Фирсов, А.И. Галимов, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Е.Ю. Лундина, В.В. Лундин // Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1-3 Февраля 2017г.). – Москва, 2017. – C. 174-175.
Optical Properties of Hybrid Quantum-Well-Dots Nanostructures Grown by MOCVD Mintairov, S. A. and Kalyuzhnyy, N. A. and Nadtochiy, A. M. and Maximov, M. V. and Rouvimov, S. S. and Zhukov, A. E., SEMICONDUCTORS, 51(3), 357-362, (2017).
DOI: 10.1134/S1063782617030198.
InAs QDs in a metamorphic In0.25Ga0.75As matrix, grown by MOCVD Mintairov, S. A. and Kalyuzhnyy, N. A. and Maximov, M. V. and Nadtochiy, A. M. and Nevedomskiy, V. N. and Zhukov, A. E., SEMICONDUCTORS, 51(5), 672-678, (2017).
DOI: 10.1134/S1063782617050189.
InGaAs metamorphic laser (1064 nm) power converters with over 40% efficiency Kalyuzhnyy, N. A. and Mintairov, S. A. and Nadtochiy, A. M. and Nevedomskiy, V. N. and Rybalchenko, D. V. and Shvarts, M. Z., ELECTRONICS LETTERS, 53(3), (2017).
DOI: 10.1049/el.2016.4308.
Salii, R. A. and Kalyuzhnyy, N. A. and Kryzhanovskaya, N. V. and Maximov, M. V. and Mintairov, S. A. and Nadtochiy, A. M. and Nevedomskiy, V. N. and Zhukov, A. E., InAs quantum dots grown by MOCVD in GaAs and metamorphic InGaAs matrixes. 18TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS, 816, 012024, (2017).
DOI: 10.1088/1742-6596/816/1/012024.
Nadtochiy, A. M. and Maximov, M. V. and Mintairov, S. A. and Kalyuzhnyy, N. A. and Rouvimov, S. and Zhukov, A. E., InGaAs/GaAs hybrid quantum well-dot nanostructures: Impact of substrate orientation and recombination mechanisms. 4TH INTERNATIONAL SCHOOL AND CONFERENCE ON OPTOELECTRONICS, PHOTONICS, ENGINEERING AND NANOSTRUCTURES (SAINT PETERSBURG OPEN 2017), 917, 032001, (2017).
DOI: 10.1088/1742-6596/917/3/032001.
Polubavkina, Yu S. and Kryzhanovskaya, N. V. and Nadtochiy, A. M. and Mintairov, A. M. and Lipovsky, A. A. and Scherbak, S. A. and Kulagina, M. M. and Maximov, M. V. and Zhukov, A. E., Investigation of whispering gallery modes in microlasers by scanning near-field optical microscopy. 4TH INTERNATIONAL SCHOOL AND CONFERENCE ON OPTOELECTRONICS, PHOTONICS, ENGINEERING AND NANOSTRUCTURES (SAINT PETERSBURG OPEN 2017), 917, 052036, (2017).
DOI: 10.1088/1742-6596/917/5/052036.
Light-emitting and photovoltaic devices based on quantum well-dots hybrid nanostructures. Nadtochiy, Alexey M. and Maximov, Mikhail V. and Mintairov, Sergey A. and Kalyuzhnyy, Nikolay A. and Shernyakov, Yuri M. and Payusov, Alexey S. and Zhukov, Alexey E. and Rouvimov, Sergei and Savelyev, Artem V. Proceedings of SPIE, 10114, UNSP 101140Y, (2017).
DOI: 10.1117/12.2249867.
InGaAs quantum well-dots based GaAs subcell with enhanced photocurrent for multijunction GaInP/GaAs/Ge solar cells. Mintairov, S. A. and Kalyuzhnyy, N. A. and Maximov, M. V. and Nadtochiy, A. M. and Zhukov, A. E. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 32(1), 015006, (2017).
DOI: 10.1088/1361-6641/32/1/015006.
«Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм» А.В. Бабичев, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, А.Г. Гладышев, Л.Я. Карачинский, Новиков И.И., Блохин С.А., М.А. Бобров, Ю.М. Задиранов, С.И. Трошков, Егоров А.Ю., А.Г. Гладышев, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, Д.В. Денисов, С.А. Блохин, А.А. Блохин, А.М. Надточий, А.С. Курочкин, А.Ю. Егоров, Физика Техника Полупроводников 51 (9), 1176-1181 (2017).
«Optical Properties of Metamorphic Hybrid Heterostuctures for Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Operating in the 1300-nm Spectral Range» A.V. Babichev, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, S.A. Blokhin, M.A. Bobrov, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, A.Yu. Egorov, Semiconductors 51 (9), 1127-1132 (2017).
DOI: 10.1134/S1063782617090056.
S. Blokhin, M. Bobrov, A. Blokhin, A. Kuzmenkov, A. Vasil’ev, Y. Guseva, M. Kulagina, Y. Zadiranov, L. Karachinsky, I. Novikov, A. Gladysev, A. Egorov, N. Maleev, V. Ustinov, «MBE-grown single-mode intra-cavity contacted VCSELs», 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy Saint–Petersburg, March 19-22, 2017 (poster/постер)
«VCSELs на основе напряженных гетероструктур InGaAlAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии», С.А.Блохин, Международная научная школа «Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур», 15 – 17 марта 2017 (лекция)
«Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов» Н.А. Малеев, В.А. Беляков, А.П. Васильев, М.А. Бобров, С.А. Блохин, М.М. Кулагина, А.Г. Кузьменков, В.Н. Неведомский, Ю.А. Гусева, С.Н. Малеев, И.В. Ладенков, Е.Л. Фефелова, А.Г. Фефелов, В.М. Устинов, Физика Техника Полупроводников 51 (11), 1484-1488 (2017).
«Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors» N.A. Maleev, V.A. Belyakov, A.P. Vasil’ev, M.A. Bobrov, S.A. Blokhin, M.M. Kulagina, A.G. Kuzmenkov, V.N. Nevedomskii, Yu.A. Guseva, S.N. Maleev, I.V. Ladenkov, E.L. Fefelova, A.G. Fefelov, V.M. Ustinov, Semiconductors 51 (11), 1431-1434 (2017).
DOI: 10.1134/S1063782617110185.
«Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs» В.В. Дюделев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, С.А. Блохин, В.Ю. Мыльников, В.И. Кучинский, В.М. Устинов, Э.У. Рафаилов, Г.С. Соколовский, Письма в журнал технической физики 43 (24), 17-23 (2017)
«Peaking of Optical Pulses in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers with an Active Region Based on Submonolayer InGaAs Quantum Dots» V. V. Dudelev, N. A. Maleev, A. G. Kuz’menkov, S. A. Blokhin, V. Yu. Myl’nikov, V. I. Kuchinskii, V. M. Ustinov, E. U. Rafailov, G. S. Sokolovskii, Technical Physics Letters 43, 1099–1101 (2017)
DOI: 10.1134/S1063785017120161.
«6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application» A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, S. A. Blokhin, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J. P. Turkiewicz, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, M. Agustin, N. N. Ledentsov, A. Yu. Egorov, IEEE Journal of Quantum Electronics 53(6), 2400808 (2017)
DOI: 10.1109/JQE.2017.2752700.
Особенности люминесценции InGaN/GaN дихромных светодиодов / Д.С. Артеев, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 18-ой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 28 ноября – 2 декабря 2016г.). – Санкт-Петербург, 2017. – C. 119.
I.E. Titkov, A. Yadav, S.Yu. Karpov, A.V. Sakharov, A. F. Tsatsulnikov, T.J. Slight, A. Gorodetsky, E.U. Rafailov Superior color rendering with a phosphor-converted blue-cyan monolithic light-emitting diode // Laser & Photonics Reviews. 2017. - V.10. №6. - P.1031–1038.
DOI: 10.1002/lpor.201600196.
M.E. Rudinsky, E.V. Yakovlev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsulnikov, L.E. Velikovskiy Stress-dislocation management in MOVPE of GaN on SiC wafers // Physica Status Solidi (a). 2016. - V. 213. №10. - P. 2759-2763.
DOI: 10.1002/pssa.201600210.
Усов С.О., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Яговкина М.А., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Устинов В.М. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур InAlN/AlN/GaN // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2016. – Выпуск 4. №243. - С. 47-57.
S.O. Usov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, M.A. Yagovkina, V.E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, V. M. Ustinov
DOI: High electron mobility transistors based on InAlN/AlN/GaN heterostructures // Electronic engineering. Series 2. Semiconductor devices. 2016. - V. 243. №4 - P. 47-57.
Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Kazantsev D.Yu., Ber B.Ya., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Tsatsulnikov A.F. Study of GaN doping with carbon from propane in a wide range of MOVPE conditions // Journal of Crystal Growth. 2016. - V. 449. - P. 108–113.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.06.002.
Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский , В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Неженцев, А.В. Сахаров , А.Ф. Цацульников , В.В. Лундин , Е.Е. Заварин , Г.В. Медведев Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №12. - С. 1599-1604.
DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43883.29.
Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский , В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Неженцев, А.В. Сахаров , А.Ф. Цацульников , В.В. Лундин , Е.Е. Заварин , Г.В. Медведев Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №12. - С. 1599-1604.
DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43883.29.
A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov Optical spectroscopy of a resonant Bragg structure with InGaN/GaN quantum wells // Semiconductors. 2016. - V.50. №11. - P. 1431–1434.
DOI: 10.1134/S1063782616110051.
А.Ф. Цацульников , В.В. Лундин , Е.Е. Заварин , М.А. Яговкина, А.В. Сахаров , С.О. Усов , В.Е. Земляков , В.И. Егоркин , К.А. Булашевич, С.Ю. Карпов , В.М. Устинов Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №10. - С. 1401-1407.
A.F. Tsatsulnikov, V.W. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Yagovkina, A.V. Sakharov, S.O. Usov, V.E. Zemlyakov, V.I. Egorkin, K.A. Bulashevich, S.Yu. Karpov, V.M. Ustinov Effect of the Parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN Heterostructures with a Two-Dimensional Electron Gas on their Electrical Properties and the Characteristics of Transistors on Their Basis // Semiconductors. 2016. - V.50. №10. - P. 1383–1389.
DOI: 10.1134/S1063782616100237.
Савченко Г.М., Дюделев В.В., Соболева К.К., Лундин В.В., Сахаров А.В., Когновицкая Е.А., Лосев С.Н., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Аверкиев Н.С., Соколовский Г.С. Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №20. - С. 40-48.
G. M.Savchenko, V. V.Dudelev, K. K.Soboleva, V. V.Lundin, A. V. Sakharov, E. A.Kognovitskaya, S. N.Losev, A. G.Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S.Averkiev, G. S. Sokolovskii Metamaterial for efficient second harmonic generation // Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №20. - P. 1041-1044.
DOI: 10.1134/S1063785016100254.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Яговкина М.А., Устинов В.М., Черкашин Н.А. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для НЕМТ транзисторов в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №9. - С. 1263-1269.
A. F. Tsatsulnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, M. A. Yagovkina, V. M. Ustinov, N. A.Cherkashin, "Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs", Semiconductors Vol. 50, 1241 (2016).
DOI: 10.1134/S1063782616090232.
Modeling a new geometry for blue-green LEDs:a quantum-dot sandwich / D. Barettin, N. Cherkashin, M. Auf der Maur, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov, A. Pecchia, A. di Carlo // Proceedings of the 23th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (Saint Petersburg, Russia, 27 June – 01 July, 2016).
Технология и оборудование для опытного производства гетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ электроники методом МОС-гидридной эпитаксии / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Н. Николаев, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, В.В. Волков, В.М. Устинов / Сборник статей 5-ой Всероссийской конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», (Санкт-Петербург, 30 Мая - 2 Июня 2016г.). – Санкт-Петербург, 2016. - Т. 1. – C. 64-67.
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе InAlN/GaN и AlGaN/GaN гетероструктур / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, В.В. Волков, В.М. Устинов / Сборник трудов 7-ой Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, (Москва, 25 Мая 2016г.). – Москва, 2016. – C. 35-36.
Growth of III-N/graphene heterostructures in single OVPE/MOVPE epitaxial process / W. Lundin, E. Zavarin , A. Sakharov , V. Davydov , A. Smirnov , D. Zakheim , L. Markov , A. Tsatsulnikov // Proceedings of the 18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (San Diego, California, US, 10-15 July, 2016).
A comprehensive study of growth conditions effect on GaN doping with carbon from propane and its influence on GaN growth process / W. Lundin , E. Zavarin , A. Sakharov , D. Kazantsev , B. Ber , P. Brunkov , M. Yagovkina , A. Lobanova , R. Talalaev , A. Tsatsulnikov // Proceedings of the 18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (San Diego, California, US, 10-15 July, 2016).
В.В. Емцев, Е.Е. Заварин, М.А. Козловский, М.Ф. Кудояров, В.В. Лундин, Г.А. Оганесян, В.Н. Петров, Д.С. Полоскин, А.В. Сахаров, С.И. Трошков, Н.М. Шмидт, В.Н. Вьюгинов, А.А. Зыбин, Я.М. Парнес, С.И. Видякин, А.Г. Гудков, А.Е. Черняков, В.В. Козловский Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №21. - С. 39-46.
DOI: 10.21883/pjtf.2016.21.43839.16264.
V.V. Emtsev, E.E. Zavarin, M.A. Kozlovskii, M.F. Kudoyarov, V.V. Lundin, G.A. Oganesyan, V.N. Petrov, D.S. Poloskin, A.V. Sakharov, S.I. Troshkov, N.M. Shmidt, V.N. V’yuginov, A.A. Zybin, Ya.M. Parnes, S.I. Vidyakin, A.G. Gudkov, A.E. Chernyakov, V.V. Kozlovskii Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel // Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №11. - P. 1079-1082.
DOI: 10.1134/S1063785016110031.
Савченко Г.М., Дюделев В.В., Соболева К.К., Лундин В.В., Сахаров А.В., Когновицкая Е.А., Лосев С.Н., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Аверкиев Н.С., Соколовский Г.С. Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №20. - С. 40-48.
G. M.Savchenko, V. V.Dudelev, K. K.Soboleva, V. V.Lundin, A. V. Sakharov, E. A.Kognovitskaya, S. N.Losev, A. G.Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S.Averkiev, G. S. Sokolovskii Metamaterial for efficient second harmonic generation // Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №20. - P. 1041-1044.
DOI: 10.1134/S1063785016100254.
В.В. Емцев , Е.Е. Заварин , Г.А. Оганесян , В.Н. Петров , А.В. Сахаров , Н.М. Шмидт, В.Н. Вьюгинов , А.А. Зыбин , Я.М. Парнес , С.И. Видякин, А.Г. Гудков, А.Е. Черняков Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №13. - С. 80-86.
V.V. Emtsev, E.E. Zavarin, G.A. Oganesyan, V.N. Petrov, A.V. Sakharov, N.M. Shmidt, V.N. V’yuginov, A.A. Zybin, Ya.M. Parnes, S.I. Vidyakin, A.G. Gudkov, A.E. Chernyakov The Relationship between the Reliability of Transistors with 2D AlGaN/GaN Channel and Organization Type of Nanomaterial // Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №7. - P. 701–703.
DOI: 10.1134/S1063785016070075.
Лундин В.В., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Сахаров А.В., Синицын М.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN:С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №10. - С. 85-91.
W. V. Lundin , E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinitsyn, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsulnikov Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source // Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №5. - P. 539-542.
DOI: 10.1134/S106378501605028X.
Сканирующий ионно-лучевой нанолитограф: опыт изготовления и применения / В.П. Евтихиев, В.В. Лундин, М.Н. Мизеров, М.И. Митрофанов, А.В. Сахаров, С.Н. Родин // Сборник материалов научно-практической конференции «Научное приборостроение – современное состояние и перспективы развития» (Москва, 15-16 ноября 2016 г.). – Москва, 2016. – C. 137-139.
Реакторы для МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия: настоящее и будущее / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов // Сборник материалов научно-практической конференции «Научное приборостроение – современное состояние и перспективы развития» (Москва, 15-16 ноября 2016 г.). – Москва, 2016. – C. 11-13.
Metamaterial for the Second Harmonic Generation / G.M. Savchenko, V.V. Dudelev, K.K. Soboleva, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.G. Deryagin, V.I. Kuchinskii, N.S. Averkiev, G.S. Sokolovskii // Proceedings of International Conference Laser Optics (LO) (St. Petersburg, Russia, 27 June-1 July 2016). – St. Petersburg, 2016. – Vol. 7549748, PP. R338.
DOI: 10.1109/LO.2016.7549748.
Correlation between p-GaN growth environment with electrical and optical properties of blue LEDs / M. Zulonas, I.E. Titkov, A. Yadav, K.A. Fedorova, A.F. Tsatsulnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, T. Slight, W. Meredith, E.U. Rafailov // Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XX, 97680N (8 March 2016). – 2016. - Proceedings of SPIE V. 9768. - P. 97680N/1-9.
DOI: 10.1117/12.2211046.
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, П.Н. Брунков, М.А. Яговкина,С.И. Трошков, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Письма в Журнал Технической Физики. 2016. - Т. 42. №8. - С. 86-93.
W. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. F. Tsatsulnikov The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy // Technical Physics Letters. 2016. - V.42. №4. - P. 431–434.
DOI: 10.1134/S1063785016040192.
InAlN/AlN/GaN heterostructures for high electron mobility transistors / Usov S. O., Sakharov A. V., Tsatsulnikov A. F., Lundin V.W., Zavarin E.E., Nikolaev A.E., Yagovkina M.A., Zemlyakov V.E., Egorkin V.I., Ustinov V.M. // Proceedings of International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2016” (Saint Petersburg, Russia, 28-30 March, 2016) // Journal of Physics: Conference Series. 2016. - V.741. №1. - P. 012164/1-6.
DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012164.
Impact of nanomaterial arrangement on the reliability and the electron mobility in AlGaN/GaN HEMTs / S.I. Vidyakin, A.G. Gudkov, G.A. Oganesyan, V.N. Petrov, A.V. Sakharov, E.I. Shabunina, A.A. Zybin, Ya.M. Parnes // Proceedings of International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2016” (Saint Petersburg, Russia, 28-30 March, 2016) // Journal of Physics: Conference Series. 2016. - V.741. №1. - P. 012172/1-4.
DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012172.
Study of electrical properties of single GaN nanowires grown by MOCVD with a Ti mask / A.A. Vasiliev, A.M. Mozharov, M.M. Rozhavskaya, V.V. Lundin, I.S. Mukhin // Proceedings of International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2016” (Saint Petersburg, Russia, 28-30 March, 2016) // Journal of Physics: Conference Series. 2016. - V.741. №1. - P. 012007/1-4.
DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012007.
Тихомиров В.Г., Земляков В.Е., Волков В.В., Парнес Я.М., Вьюгинов В.Н., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Черкашин Н.А., Мизеров М.Н., Устинов В.М. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №2. - С. 245-249.
Tikhomirov V.G. , Zemlyakov V.E., Volkov V.V., Parnes Y.M., Vyuginov V.N., Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Tsatsulnikov A.F., Cherkashin N.A., Mizerov M.N., Ustinov V.M. Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation // Semiconductors. 2016. - V.50. №2. - P. 244-248.
DOI: 10.1134/S1063782616020263.
Karpov S.Yu., Cherkashin N.A., Lundin W.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Sinitsin M.A., Usov S.O., Zavarin E.E., Tsatsulnikov A.F. Multi-color monolithic III-nitride light-emitting diodes: Factors controlling emission spectra and efficiency // Physica Status Solidi (a). 2015. - V. 213. №1. - P. 19-29.
DOI: 10.1002/pssa.201532491.
Д.В. Панькин, М.Б. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2016. - Т. 50. №8. - С. 1064–1069.
D. V. Pankin, M. B. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, E. E. Zavarin, W. V. Lundin Elastic strains and delocalized optical phonons in AlN/GaN superlattices // Semiconductors. 2016. - V.50. №8. - P. 1043–1048.
DOI: 10.1134/S1063782616080169.
Passive cavity surface-emitting lasers: Option of temperature-insensitive lasing wavelength for uncooled dense wavelength division multiplexing systems. Shchukin, V. A., Ledentsov, N. N., Slight, T., Meredith, W., Gordeev, N. Y., Nadtochy, A. M., . . . Choquette, K. D. Paper presented at the Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering, , 9766, (2016).
DOI: 10.1117/12.2208915.
Increasing the quantum efficiency of InAs/GaAs QD arrays for solar cells grown by MOVPE without using strain-balance technology. Kalyuzhnyy, N. A., Mintairov, S. A., Salii, R. A., Nadtochiy, A. M., Payusov, A. S., Brunkov, P. N., . . . Luque, A. Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 24(9), 1261-1271, (2016).
DOI: 10.1002/pip.2789.
Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520–1580 nm spectral range. Gladyshev, A. G., Novikov, I. I., Karachinsky, L. Y., Denisov, D. V., Blokhin, S. A., Blokhin, A. A., . . . Egorov, A. Y. Semiconductors, 50(9), 1186-1190, (2016).
DOI: 10.1134/S1063782616090098.
Optical properties of hybrid quantum-confined structures with high absorbance. Nadtochiy, A. M., Kalyuzhnyy, N. A., Mintairov, S. A., Payusov, A. S., Rouvimov, S. S., Maximov, M. V., & Zhukov, A. E. Semiconductors, 50(9), 1180-1185, (2016).
DOI: 10.1134/S1063782616090189.
Salii, R. A.; Mintairov, S. A.; Nadtochiy, A. M.; Payusov, A. S.; Brunkov, P. N.; Shvarts, M. Z. & Kalyuzhnyy, N. A. Averkiev, N.S. and Poniaev, S.A. and Sokolovskii, G.S. Increasing the quantum efficiency of GaAs solar cells by embedding InAs quantum dots. 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE PHYSICA.SPB, (2016).
DOI: 10.1088/1742-6596/769/1/012036.
M.A.Bobrov, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, A.G.Kuzmenkov, A.P.Vasil’ev, A.A.Blokhin, M.M.Kulagina, Yu.A.Guseva, S.I.Troshkov, V.M.Ustinov, «Mechanism of the polarization control in intracavity-contacted VCSEL with rhomboidal oxide current aperture», 3rd International School and Conference “Saint–Petersburg OPEN 2016” St Petersburg, Russia, March 28 – 30, 2016.
«Passive Cavity Surface–Emitting Lasers: Option of Temperature–Insensitive Lasing Wavelength for Uncooled Dense Wavelength Division Multiplexing Systems» V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, T. Slight, W. Meredith, N. Yu. Gordeev, A. M. Nadtochy, A. S. Payusov, M. V. Maximov, S. A. Blokhin, A. A. Blokhin, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, K. D. Choquette, Proceedings of SPIE Vol. 9766, 976609 (2016) Photonics West 2016, 13-18 February 2016, San Francisco, California, USA (устный/oral).
DOI: 10.1117/12.2208915.
«Mechanism of the polarization control in intracavity-contacted VCSEL with rhomboidal oxide current aperture» M.A. Bobrov, N.A. Maleev, S.A. Blokhin, A.G. Kuzmenkov, A.P. Vasil’ev, A.A. Blokhin, M.M. Kulagina, Yu.A. Guseva, S.I. Troshkov, V.M. Ustinov, Journal of Physics: Conference Series 741, 012078 (2016).
DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012078.
«Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой» М.А.Бобров, Н.А.Малеев, С.А.Блохин, А.Г.Кузьменков A.А.Блохин, А.П.Васильев, Ю.А.Гусева, М.М.Кулагина, Ю.М.Задиранов, С.И. Трошков, В.Лисак, В.М.Устинов, , Физика Техника Полупроводников50 (10), 1408-1413 (2016).
«Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture» M.A. Bobrov, N.A. Maleev, S.A. Blokhin, A.G. Kuzmenkov, A.P. Vasil’ev, A.A. Blokhin, Y.A. Guseva, M.M. Kulagina, Y.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, V. Lysak, V.M. Ustinov, Semiconductors 50 (10), 1390–1395 (2016).
DOI: 10.1134/S1063782616100092.
«Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 μm при оптической накачке» С.А.Блохин, Н.В.Крыжановская, Э.И.Моисеев, М.А. Бобров, А.Г.Кузьменков, А.А.Блохин, А.П.Васильев, И.О.Карповский, Ю.М. Задиранов, С.И. Трошков, В.Н.Неведомский, Е.В.Никитина, Н.А.Малеев, В.М.Устинов, Письма в журнал технической физики 42 (19), 70-79 (2016).
«Laser Oscillation at 1.3 μm in Vertical Microcavities Containing InAs/InGaAs Quantum Dot Arrays under Optical Pumping» S.A. Blokhin, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, M.A. Bobrov, A.G. Kuz’menkov, A.A. Blokhin, A.P. Vasil’ev, I.O. Karpovskii, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, V.N. Nevedomskii, E.V. Nikitina, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, Technical Physics Letters 42 (10), 1009–1012 (2016).
DOI: 10.1134/S1063785016100023.
«Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона» С.А.Блохин, М.А. Бобров, А.Г.Кузьменков, А.А.Блохин, А.П.Васильев, Ю.А.Гусева, М.М.Кулагина, И.О.Карповский, Ю.М. Задиранов, С.И. Трошков, Н.Д.Прасолов, П.Н.Брунков, В.С.Левицкий, В.Лисак, Н.А.Малеев, В.М.Устинов, Письма в журнал технической физики 42 (20), 57-65 (2016).
«A Study of Distributed Dielectric Bragg Reflectors for Vertically Emitting Lasers of the Near-IR Region» S.A. Blokhin, M.A. Bobrov, A.G. Kuzmenkov, A.A. Blokhin, A.P. Vasil’ev, Yu.A. Gusev, M.M. Kulagina, I.O. Karpovsky, J.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, N.D. Prasolov, P.N. Brunkow, V.S. Levitsky, V. Lisak, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, Technical Physics Letters 42 (10), 1049–1053 (2016).
DOI: 10.1134/S1063785016100199.
«Оптические свойства InGaAs / InGaAlAs квантовых ям спектрального диапазона 1520-1580 нм» А.Г. Гладышев, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, Д.В. Денисов, С.А. Блохин, А.А. Блохин, А.М. Надточий, А.С. Курочкин, А.Ю. Егоров, Физика Техника Полупроводников 50 (9), 1208-1212 (2016).
«Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520–1580 nm spectral range» A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Y. Karachinsky, D.V. Denisov, A.Y. Egorov, A.S. Kurochkin, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, Semiconductors 50 (9), 1186-1190 (2016).
DOI: 10.1134/S1063782616100092.
«Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм» Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, С.А. Блохин, М.А.Бобров, М.М. Кулагина, С.И. Трошков, Ю.М. Задиранов, А.А. Липовский, Э.И. Моисеев, Ю.В. Кудашова, Д.А. Лившиц, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Физика Техника Полупроводников 50 (3), 393-397 (2016).
«Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range» Kryzhanovskaya N.V., Maximov M.V., Lipovskii A.A., Moiseev E.I., Kudashova Y.V., Zhukov A.E., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Y.M., Ustinov V.M., D.A. Livshits, Semiconductors 50 (3), 390-393 (2016).
DOI: 10.1134/S1063782616030131.
А.А.Блохин, С.А.Блохин, М.А.Бобров, А.Г.Кузьменков, Н.А.Малеев, А.П.Васильев, Н.В.Крыжановская, Э.И.Моисеев, В.М.Устинов, «Лазерная генерация в вертикальном микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs при оптической накачке», Молодежная конференция ФизикА.СПб/2016, 1-3 ноября 2016 (стенд/poster).
Ю.А.Гусева, С.А.Блохин, А.А.Блохин, М.А.Бобров, А.Г.Кузьменков, Н.А.Малеев, А.П.Васильев, И.О.Карповский, Ю.М.Задиранов, Н.Д.Прасолов, П.Н.Брунков, В.С.Левицкий, В.М.Устинов, «Анализ диэлектрических распределенных брэгговских отражателей ближнего ИК-диапазона, сформированных магнетронным распылением», Молодежная конференция ФизикА.СПб/2016, 1-3 ноября 2016 (стенд/poster).
М.А.Бобров, Н.А.Малеев, В.А.Беляков, А.П.Васильев, М.М.Кулагина, А.Г.Кузьменков, Ю.А.Гусева, С.Н.Малеев, С.А.Блохин, И.В.Ладенков, А.Г.Фефелов, В.М.Устинов, «Оптимизация конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии структур гетеробарьерных варакторов в системе материалов InGaAs-InAlAs-InP», Молодежная конференция ФизикА.СПб/2016, 1-3 ноября 2016 (стенд/poster).
«1.3 μm InAs Quantum Dot Semiconductor Disk Laser» S.A.Blokhin, M.A.Bobrov, A.A.Blokhin, A.G.Kuzmenkov, A.P.Vasil’ev, N.A.Maleev, V.V.Dudelev, K.K.Soboleva, G.S.Sokolovskii, A.Rantamäki, O.Okhotnikov, V.M.Ustinov, 17th International Conference "Laser Optics 2016", St.Petersburg, Russia, 27 Jun 2016 - 01 Jul 2016 (устный/oral).
Proceedings of International Conference Laser Optics, LO 2016 7549727, pp. R3-17, (2016).
DOI: 10.1109/LO.2016.7549727.
M.A.Bobrov, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, A.G.Kuzmenkov, A.P.Vasil’ev, A.A.Blokhin, M.M.Kulagina, Yu.A.Guseva, S.I.Troshkov, W.Lysak, V.M.Ustinov, «VCSEL polarization control by rhomboidal selectively-oxidized current aperture», 17th International Conference "Laser Optics 2016", St.Petersburg, Russia, 27 Jun 2016 - 01 Jul 2016 (устный/oral).
Proceedings of International Conference Laser Optics, LO 2016 7549727, pp. R3-16, (2016).
DOI: 10.1109/LO.2016.7549726.
K.A. Fedorova, A.A. Gorodetsky, D.A. Livshits, N.A. Maleev, S.A. Blokhin, K.K. Soboleva, V.M. Ustinov, E.U. Rafailov, «Broadly Tunable Dual-Wavelength InAs/GaAs Quantum-Dot Laser for THz Generation», 17th International Conference "Laser Optics 2016", St.Petersburg, Russia, 27 Jun 2016 - 01 Jul 2016 (устный).
Realistic model of LED structure with InGaN quantum-dots active region / D. Barettin, M. Auf Der Maur, A. Pecchia, , W. Rodrigues, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, N. Cherkashin, M.J. Hytch, S.Y. Karpov, A. Di Carlo // Proceedings of the EEE-NANO 2015 - 15th International Conference on Nanotechnology (Rome, Italy, 27 – 30 July 2015). – Rome, 2016. – Vol. 7388939, p. 1543-1546.
DOI: 10.1109/NANO.2015.7388939.
Realistic modeling of InGaN quantum dots from experimental results / D. Barettin, M. Auf der Maur, A. Pecchia, W. Rodrigues, A. F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, N. Cherkashin, M. Korytov, S.Yu. Karpov, A. di Carlo // Proceedings of the 22nd Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” (Saint Petersburg, Russia, 23–27 June 2015). – Saint Petersburg, 2016.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Sakharov A. V., Nikolaev A. E., Zavarin E. E., Usov S. O., Yagovkina M. A., Hÿtch M. J., Korytov M., Cherkashin N. Formation of Three-Dimensional Islands in the Active Region of InGaN Based Light Emitting Diodes Using a Growth Interruption Approach // Science of Advanced Materials. 2015. - V.7. - P. 1629-1635.
DOI: 10.1166/sam.2015.2277.
Результаты создания и использования установки МОС-гидридной эпитаксии III-N гетероструктур для опытного производства / А.Ф. Цацульников, В.В.Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, М.Н. Мизеров, В.Е. Земляков, В.В. Волков, Л.Э. Великовский / Тезисы докладов Второй российско-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О. В. Лосева (Нижний Новгород, Россия, 17-19 ноября 2015 г.). – Нижний Новгород, 2015. – C. 254-257.
Стимулированная фазовая сепарация в InGaAlN гетероструктурах / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.М. Устинов / Тезисы докладов 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Россия, 21–25 сентября 2015 г.). – Ершово, 2015. – C. 25.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Синицын М.А., Черкашин Н.А., Карпов С.Ю. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения // Физика и Техника Полупроводников. 2015. - Т. 49. №11. - С. 1563-1568.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Usov S. O., Nikolaev A. E., Sinitsyn M. A., Cherkashin N. A., Karpov S. Y., Effect of the design of the active region of monolithic multi-color LED heterostructures on their spectra and emission efficiency // Semiconductors. 2015. - V.49. №11. - P. 1516–1521.
DOI: 10.1134/S1063782615110238.
В.В.Лундин, Е.Е.Заварин,М.Г.Попов, С.И.Трошков, А.В.Сахаров, И.П.Смирнова, М.М.Кулагина, В.Ю.Давыдов, А.Н.Смирнов, А.Ф.Цацульников Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений // Письма в Журнал Технической Физики. 2015. - Т. 41. №20. - С. 74-81.
W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.G. Popov, S.I. Troshkov, A.V. Sakharov, I.P. Smirnova, M.M. Kulagina, V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, A.F. Tsatsulnikov The influence of aluminum content on the surface morphology of heavily doped (Al)GaN mesastrip structures grown by selective metalorganic vapor phase epitaxy // Technical Physics Letters. 2015. - V.41. №10. - P. 1006–1009.
DOI: 10.1134/S1063785015100247.
Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A., Zavarin E.E. Resonant Bragg structures based on III-nitrides // Journal of materials research. 2015. - V.30. №5. - P. 603-608.
DOI: 10.1557/jmr.2014.397.
С.А.Кукушкин, А.В.Осипов, М.М.Рожавская, А.В.Мясоедов, С.И.Трошков, В.В.Лундин, Л.М.Сорокин, А.Ф.Цацульников Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN // Физика Твердого Тела. 2015. - Т. 57. №9. - С. 1850-1858.
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, M.M. Rozhavskaya, A.V. Myasoedov, S.I. Troshkov, V.V. Lundin, L.M. Sorokin, A.F. Tsatsul’nikov Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN // Physics of the Solid State. 2015. - V.57. №9. - P. 1899–1907.
DOI: 10.1134/S1063783415090218.
Иванов П.А., Потапов А.С., Николаев А.E., Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Афанасьев А.В., Романов А.А., Осачев Е.В. Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al2O3/n-GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2015. - Т. 49. №8. - С. 1061-1064.
P.A. Ivanov, A.S. Potapov, A.E. Nikolaev,W.V. Lundin, A.V. Saharov, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Afanas’ev, A.A. Romanov, E.V. Osachev Capacitance–voltage characteristics of (Al/Ti)/Al2O3/n-GaN MIS structures // Semiconductors. 2015. - V.49. №8. - P. 1035-1038.
DOI: 10.1134/S1063782615080096.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, S.I. Troshkov, A.F. Tsatsulnikov, V.G. Dubrovskii Determination of the diffusion lengths of Ga adatoms using GaN stripe profiling // Physica Status Solidi (a). 2015. - V.212. №4. - P. 851-854.
DOI: 10.1002/pssa.201431912.
В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, E.E. Заварин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, Е.В. Яковлев, Д.С. Базаревский, Р.А. Талалаев, А.Ф. Цацульников, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов МОС-гидридная эпитаксия III-N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса // Письма в Журнал Технической Физики. 2015. - Т. 41. №5. - С. 9-17.
W.V. Lundin, D.V. Davydov, E.E. Zavarin, M.G. Popov, A.V. Sakharov, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskii, R.A. Talalaev, A.F. Tsatsulnikov, M.N. Mizerov, V.M. Ustinov MOVPE of III-N LED structures with short technological process // Technical Physics Letters. 2015. - V.41. №3. - P. 213-216.
DOI: 10.1134/S1063785015030116.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, E.Yu. Lundina, V.Yu. Davydov, S.I. Troshkov, A.A. Vasilyev, P.N. Brunkov, A.V. Baklanov, A. F. Tsatsulnikov, V.G. Dubrovskii Gallium nitride nanowires and microwires with exceptional length grown by metal organic chemical vapor deposition via titanium film // Journal of Applied Physics. 2015. - V. 117. - P. 024301.
DOI: 10.1063/1.4905427.
Оптические решетки экситонов на основе системы квантовых ям InGaN/GaN / В.В. Чалдышев , А.С. Большаков, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, М.А. Яговкина / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 53-54.
Особенности люминесценции слоев InGaN и сверхрешеток InGaN/GaN / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, С.О. Усов, Н.А. Черкашин, М.Н. Корытов, Н.В. Ржеуцкий, Е.В. Луценко / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 77-78.
Экспериментальные и теоретические исследования фононного спектра короткопериодных сверхрешеток GаN/AlN / В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Е.М. Рогинский, Ю.Э. Китаев, М.Б. Смирнов, Р.Н. Кютт, М.А. Яговкина, М.М. Рожавская, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 97-98.
МОС-гидридная эпитаксия III-N гетероструктур: как технология должна влиять на бизнес / В.В.Лундин, Е.Е. Заварин, М.Г.Попов,, А.В. Сахаров,, А.Ф. Цацульников, Е.В.Яковлев, Д.С.Базаревский, Р.А.Талалаев / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 115-116.
Синтез нитевидных микро- и нанокристаллов нитрида галлия с рекордной скоростью роста / М.М. Рожавская , В.В. Лундин, С.И. Трошков, А.А. Васильев, В.Ю. Давыдов, С.О.Усов, Е.Ю. Лундина, Д.A. Кириленко, А.Ф. Цацульников, В.Г. Дубровский / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 123-124.
Рост HEMT гетероструктур AlGaN/GaN на подложках SiC отчественного производства / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, Н.К. Травин,О.В. Венедиктов, В.П. Иванова, Я.М. Парнес, В.Е. Земляков, В.В. Волков, В.Н. Вьюгинов, М.А. Яговкина, В.Р. Тихомиров, М.Н. Мизеров / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 129-130.
Разработка мощных GaN транзисторов L-S-C диапазона / Л.Э. Великовский, П.Е. Сим, Ю.Н. Поливанова, Д.А. Шишкин, В.В. Лундин, Е.Е.Заварин, А.Ф.Цацульников / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 131-132.
Селективная МОС-гидридная эпитаксия n+ GaN и AlGaN подконтактных областей / М.Г. Попов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, И.П. Смирнова, М.М. Кулагина, А.Ф. Цацульников / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 155-156.
Конверсионные AlGaN/AlN сверхрешетки / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, П.Н. Брунков, М.А. Яговкина, А.Ф. Цацульников / Тезисы докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», (Санкт-Петербург, 23-25 Марта 2015г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 157-158.
Чалдышев В.В., Большаков А.С., Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Яговкина М.А. Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2015. - Т. 49. №1. - С. 6-10.
V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina Optical lattices of excitons in InGaN/GaN quantum well systems // Semiconductors. 2015. - V.49. №1. - P. 4-8.
DOI: 10.1134/S1063782615010042.
Гетероструктуры InGaN/GaN с различной локализацией носителей / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, С.О. Усов, Н.А. Черкашин, М.Н. Корытов, Н.В. Ржеуцкий, Е.В. Луценко / Тезисы докладов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», (Минск, Беларусь, 26–29 Мая 2015 г.). – Санкт-Петербург, 2015. – C. 77-78.
Mode engineering in lasers based on coupled large optical cavities. Gordeev, N. Y., Payusov, A. S., Shernyakov, Y. M., Nadtochiy, A. M., Mintairov, S. A., Kalyuzhnyy, N. A., . . . Maximov, M. V. Paper presented at the 2015 IEEE Photonics Conference, IPC 2015, 557-558, (2015).
DOI: 10.1109/IPCon.2015.7323609.
The effect of sulfide passivation on luminescence from microdisks with quantum wells and quantum dots. Kryzhanovskaya, N. V., Lebedev, M. V., L’vova, T. V., Kudashova, Y. V., Shostak, I. I., Moiseev, E. I., . . . Bobrov, M. A. Technical Physics Letters, 41(7), 654-657, (2015).
DOI: 10.1134/S106378501507010X.
The effect of the sulfide passivation on the luminescence of microdisk mesas with quantum wells and quantum dots. Kryzhanovskaya, N. V., Lebedev, M. V., Lvova, T. V., Kudashova, Y. V., Shostak, I. I., Moiseev, E. I., . . . Troshkov, S. I. Journal of Physics: Conference Series, 643(1), (2015).
DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012043.
Room temperature continuous wave operation of injection quantum dot microdisk lasers. Kryzhanovskaya, N. V., Maximov, M. V., Nadtochiy, A. M., Blokhin, S. A., Bobrov, M. A., Kulagina, M. M., . . . Zhukov, A. E. Journal of Physics: Conference Series, 643(1), (2015).
DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012002.
Single-mode emission from 4-9-μm microdisk lasers with dense array of InGaAs quantum dots. Kryzhanovskaya, N. V., Maximov, M. V., Zhukov, A. E., Nadtochiy, A. M., Moiseev, E. I., Shostak, I. I., . . . Mintairov, S. A. Journal of Lightwave Technology, 33(1), 171-175, (2015).
DOI: 10.1109/JLT.2014.2382173.
Room temperature lasing in 1-μm microdisk quantum dot lasers. Kryzhanovskaya, N. V., Zhukov, A. E., Maximov, M. V., Moiseev, E. I., Shostak, I. I., Nadtochiy, A. M., . . . Troshkov, S. I. IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, 21(6), (2015).
DOI: 10.1109/JSTQE.2015.2439156.
Hybrid InGaAs quantum well-dots nanostructures for light-emitting and photo-voltaic applications. Mintairov, S. A., Kalyuzhnyy, N. A., Lantratov, V. M., Maximov, M. V., Nadtochiy, A. M., Rouvimov, S., & Zhukov, A. E. Nanotechnology, 26(38), (2015).
DOI: 10.1088/0957-4484/26/38/385202.
GaAs quantum well-dots solar cells with spectral response extended to 1100 nm. Mintairov, S. A., Kalyuzhnyy, N. A., Maximov, M. V., Nadtochiy, A. M., Rouvimov, S., & Zhukov, A. E. Electronics Letters, 51(20), 1602-1604, (2015).
DOI: 10.1049/el.2015.2481.
Improvement of power characteristics in 850 nm quantum well laser with asymmetric barriers. Zubov, F. I., Maximov, M. V., Shernyakov, Y. M., Gordeev, N. Y., Nadtochiy, A. M., Kryzhanovskaya, N. V., . . . Zhukov, A. E. Paper presented at the 2015 IEEE Photonics Conference, IPC 2015, 565-566, (2015).
DOI: 10.1109/IPCon.2015.7323556.
Effect of the bimodality of a QD array on the optical properties and threshold characteristics of QD lasers. Nadtochiy, A. M., Mintairov, S. A., Kalyuzhnyy, N. A., Rouvimov, S. S., Shernyakov, Y. M., Payusov, A. S., . . . Zhukov, A. E. Semiconductors, 49(8), 1090-1094, (2015).
DOI: 10.1134/S106378261508014X.
Determination of the technological growth parameters in the InAs-GaAs system for the MOCVD synthesis of “Multimodal” InAs QDs. Salii, R. A., Mintairov, S. A., Brunkov, P. N., Nadtochiy, A. M., Payusov, A. S., & Kalyuzhnyy, N. A. Semiconductors, 49(8), 1111-1118, (2015).
DOI: 10.1134/S1063782615080175.
«Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления» Н.А.Малеев, С.А.Блохин, М.А.Бобров, А.Г.Кузьменков, А.А.Блохин, P.Moser, J.A.Lott, D.Bimberg, В.М.Устинов, Физика Техника Полупроводников, 49, 89-93 (2015).
«Study of High_Speed Semiconductor VCSELs Based on AlInGaAs Heterostructures with Large Gain_Cavity Detuning» N.A.Maleev, S.A.Blokhin, M.A.Bobrov, A.G.Kuzmenkov, A.A.Blokhin, P.Moser, J.A.Lott, D.Bimberg, V.M.Ustinov, Semiconductors 49 (1), 88-91 (2015).
DOI: 10.1134/S1063782615010170.
«Evidence of negative electrorefraction in type–II GaAs/GaAlAs short–period superlattice» V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, S. A. Blokhin, I. I. Novikov, A. Yu. Egorov, M. V. Maximov, N. Yu. Gordeev, M. M. Kulagina, V. M. Ustinov, Semiconductor Science and Technology 30 (11), 115013 (2015).
DOI: 10.1088/0268-1242/30/11/115013.
«Quantum dot semiconductor disk laser at 1.3 mkm» A. Rantamäki, G.S.Sokolovskii, S.A. Blokhin, M.A. Bobrov, A.G. Kuzmenkov, A.P. Vasil’ev, A.G. Gladyshev, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, O. Okhotnikov, OPTICS LETTERS 40 (14), pp.3400-3403 (2015).
DOI: 10.1364/OL.40.003400.
«Impact of a large negative gain-to-cavity wavelength detuning on the performance of InGaAlAs oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers» S.A.Blokhin, M.A.Bobrov, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, A.V.Sakharov, A.A.Blokhin, P.Moser, J.A.Lott, D.Bimberg, V.M.Ustinov, Proceedings of SPIE Vol. 9381, 93810W (2015) Photonics West 2015, 7-12 February 2015, San Francisco, California, USA (устный/oral).
DOI: 10.1117/12.2080942.
«Ultimate modulation bandwidth of 850 nm oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers» M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuzmenkov, A. A. Blokhin, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, Journal of Physics: Conference Series 643, 012044 (2015).
DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012044.
Н. А. Малеев, М. А. Бобров, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагинa, Ю. М. Задиранов, А. А. Блохин, А. П. Васильев, А. Г. Гладышев, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, «Пространственно-одномодовые поляризационно-стабильные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм с ромбовидной формой токовой апертуры», 10-й Белорусско-Российский семинар ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ, 26–29 Мая 2015, Минск, Беларусь (устный).
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, «Влияние времени жизни фотонов в резонаторе и объема моды на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с оксидной токовой апертурой», 10-й Белорусско-Российский семинар ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ, 26–29 Мая 2015, Минск, Беларусь (устный), стр.22-25.
S.A.Blokhin, M.A.Bobrov, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, A.A.Blokhin, J.A.Lott, D.Bimberg, V.M.Ustinov, «Anomalous optical mode behaviour of oxide confined 850nm vertical-cavity surface-emitting lasers», 23rd Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” St-Petersburg, Russia, June 22–26, 2015 (стенд).
M.A. Bobrov, S.A. Blokhin, A.G. Kuzmenkov, N.A. Maleev, V.M.Ustinov, «Ultimate modulation bandwidth of 850 nm oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers», 2nd International School and Conference “Saint–Petersburg OPEN 2015” St Petersburg, Russia, April 6-8, 2015.
М. А. Бобров, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. П. Васильев, А. Г. Гладышев, В. М. Устинов, «Контроль поляризации выходного излучения вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с ромбовидной токовой апертурой и внутрирезонаторными контактами», XII Российская Конференция по ФизикеПолупроводников, Звенигород, 21-25 сентября 2015, Россия, стр.370 (стенд).
А.В. Аладов, В.П. Валюхов, А.Л. Закгейм, А.Е. Черняков, А.Ф. Цацульников Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения // НТВ СПбГПУ. Физико-математические науки. 2014. - Т.4(206). - С. 38-47.
Fast MOVPE of III-N device heterostructures / W.V. Lundin, D.V. Davydov, E.E. Zavarin, M.G. Popov, A.V. Sakharov, A. F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, R.A.Talalaev // Proceedings of International Conference on MOVPE (Lausanne, Switzerland, 18-22 May, 2014). – Lausanne, 2014.
Optimization of MOVPE of nitride device structures for a wide range process conditions / W.V. Lundin, D.V. Davydov, E.E. Zavarin, M.G. Popov, A.V. Sakharov, S.O.Usov, P.N.Brunkov, V.V. Emtsev, M.A.Yagovkina, B.Ya. Ber, G.A.Oganesyan, D.Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, R.A.Talalaev // Proceedings of 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5) (Atlanta, GA, USA, 18-22 May, 2014), Invited presentation.
Control of properties of InGaN/GaN structures by growth sequence variation / A.V. Sakharov, N.A. Cherkashin, D.V Davydov, M.N. Korytov, W.V. Lundin, E.V. Lutsenko, A.E. Nikolaev, M.V. Rzheutskii, S.O. Usov, M.A. Yagovkina, E.E. Zavarin, A.F.Tsatsulnikov // Proceedings of IWN 2014 (Wroclav, Poland, 24-30 August, 2014).
Internal quantum efficiency and tunable colour temperature in monolithic white InGaN/GaN LED / I.E. Titkov, A Yadav, VL Zerova, M Zulonas, AF Tsatsulnikov, WV Lundin, AV Sakharov, EU Rafailov // Proceedings of Conference on Gallium Nitride Materials and Devices IX (San Francisco, CA, USA, 03-06 Febrary, 2014) // GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES IX (Book Series: Proceedings of SPIE). 2014. - V. 8986. - P. 89862A.
DOI: 10.1117/12.2040086.
Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Яговкина М.А., Цацульников А.Ф. Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях // Письма в Журнал Технической Физики. 2014. - Т. 40. №9. - С. 89-95.
Lundin W.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F. Properties of InGaN/GaN heterostructures obtained using growth interruption under various conditions // Technical Physics Letters. 2014. - V.40. №5. - P. 365-368.
DOI: 10.1134/S1063785014050095.
Рожавская М.М., Лундин В.В., Лундина Е.Ю., Сахаров А.В., Трошков С.И., Смирнов А.Н., Давыдов В.Ю. Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана // Письма в Журнал Технической Физики. 2014. - Т. 40. №9. - С. 17-23.
M. M. Rozhavskaya, W. V. Lundin, E. Yu. Lundina, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov Synthesis of GaN nano- and microwire crystals induced by a titanium nanolayer // Technical Physics Letters. 2014. - V.40. №5. - P. 372-374.
DOI: 10.1134/S1063785014050125.
V.S. Kopp, V.M. Kaganer, M.V. Baidakova, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, E.V. Verkhovtceva, M.A. Yagovkina, N. Cherkashin X-ray determination of threading dislocation densities in GaN/Al2O3(0001) films grown by metalorganic vapor phase epitaxy // Journal of Applied Physics. 2014. - V. 115. - P. 073507.
DOI: 10.1063/1.4865502.
Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Усов С.О., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Черкашин Н.А., Цацульников А.Ф. О зависимости эффективности A IIIN светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2014. - Т. 48. №1. - С. 55-60.
Lundin W. V., Nikolaev A. E., Sakharov A. V., Usov S. O., Zavarin E. E., Brunkov P. N., Yagovkina M. A., Cherkashin N. A., Tsatsulnikov A. F., Dependence of the efficiency of III-N blue LEDs on the structural perfection of GaN epitaxial buffer layers // Semiconductors. 2014. - V.48. №1. - P. 53-57.
DOI: 10.1134/S1063782614010199.
Рожавская М.М., Лундин В.В., Сахаров А.В. Синтез светодиодной структуры на гранях (11-20) и (0001) мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии // Письма в Журнал Технической Физики. 2014. - Т. 40. №1. - С. 37-42.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, A.V. Sakharov Synthesis of an LED structure on the (112¯0) and (0001) faces of mesa stripes grown by selective-area epitaxy // Technical Physics Letters. 2014. - V.40. №1. - P. 18-20.
DOI: 10.1134/S1063785014010106.
Degradation-robust 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers for 25Gb/s optical data transmission. Blokhin, S. A., Karachinsky, L. Y., Novikov, I. I., Payusov, A. S., Nadtochiy, A. M., Bobrov, M. A., . . . Bimberg, D. Semiconductors, 48(1), 77-82, (2014).
DOI: 10.1134/S1063782614010072.
Ultrasmall microdisk and microring lasers based on InAs/InGaAs/GaAs quantum dots. Maximov, M. V., Kryzhanovskaya, N. V., Nadtochiy, A. M., Moiseev, E. I., Shostak, I. I., Bogdanov, A. A., . . . Tommila, J. (2014). Nanoscale Research Letters, 9(1), (2014).
DOI: 10.1186/1556-276X-9-657.
Lasing in microdisk resonators with InAs/InGaAs quantum dots transferred on a silicon substrate. Moiseev, E. I., Kryzhanovskaya, N. V., Nadtochiy, A. M., Maximov, M. V., Zhukov, A. E., Shostak, I. I., . . . Lipovskii, A. A. Journal of Physics: Conference Series, 541(1), (2014).
DOI: 10.1088/1742-6596/541/1/012049.
Control of emission spectra in quantum dot microdisk/microring lasers. Kryzhanovskaya, N. V., Mukhin, I. S., Moiseev, E. I., Shostak, I. I., Bogdanov, A. A., Nadtochiy, A. M., . . . Mintairov, A. Optics Express, 22(21), 25782-25787, (2014).
DOI: 10.1364/OE.22.025782.
Digital data transmission using electro-optically modulated vertical-cavity surface-emitting laser with saturable absorber. Shchukin, V. A., Ledentsov, N. N., Qureshi, Z., Ingham, J. D., Penty, R. V., White, I. H., . . . Novikov, I. I. (2014). Applied Physics Letters, 104(5), (2014).
DOI: 10.1063/1.4863928 .
Kryzhanovskaya, N. V., Maximov, M. V., Nadtochiy, A. M., Zhukov, A. E., Moiseev, E. I., Shostak, I. I., . . . Tommila, J. Influece of active region and resonator design on characteristics of microdisk lasers. Paper presented at the Proceedings - 2014 International Conference Laser Optics, LO 2014, (2014).
DOI: 10.1109/LO.2014.6886360.
Multilayer quantum-dot arrays of high bulk density. Nadtochiy, A. M., Payusov, A. S., Maximov, M. V., Zhukov, A. E., & Simchuk, O. I. Semiconductors, 48(11), 1452-1455, (2014).
DOI: 10.1134/S1063782614110190.
«Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с» С.А. Блохин, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.С.Паюсов, А.М.Надточий, М.А.Бобров, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Д.Бимберг, Физика Техника Полупроводников 48, 81-87 (2014).
«Degradation-robust 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers for 25Gb/s optical data transmission» S.A.Blokhin, L.Y.Karachinsky, I.I.Novikov, A.S.Payusov, A.M.Nadtochiy, M.A.Bobrov, A.G.Kuzmenkov, N.A.Maleev, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, D.Bimberg, Semiconductors 48 (1), 77-82 (2014)
DOI: 10.1134/S1063782614010072.
«Digital data transmission using electro-optically modulated vertical-cavity surface-emitting laser with saturable absorber» V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, Z.Qureshi, J.D.Ingham, R.V.Penty, I.H.White, A.M.Nadtochy, M.V.Maximov, S.A.Blokhin, L.Ya.Karachinsky, I.I.Novikov, Applied Physics Letters 104, 051125 (2014).
DOI: 10.1063/1.4863928.
«Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой» М.А. Бобров, С.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, A.А. Блохин, Ю.М. Задиранов, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Физика Техника Полупроводников 48, 1697-1703 (2014).
«Effect of the photon lifetime on the characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with fully doped distributed Bragg reflectors and an oxide current aperture» M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, A. G. Kuzmenkov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, Yu. M. Zadiranov, E. V. Nikitina, V. M. Ustinov, Semiconductors 48 (12), 1657-1663 (2014).
DOI: 10.1134/S1063782614120033.
«Anomalous lasing of high-speed 850nm InGaAlAs oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers with a large negative gain-to-cavity wavelength detuning» S.A.Blokhin, M.A.Bobrov, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, A.V.Sakharov, A.A.Blokhin, P.Moser, J.A.Lott, D.Bimberg, V.M.Ustinov, Applied Physics Letters 105, 061104 (2014).
DOI: 10.1063/1.4892885.
«Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных AlGaAs гетероструктур с вертикальным оптическим микрорезонатором» С.А.Блохин, А.Г.Кузьменков, А.Г.Гладышев, А.П.Васильев, А.А.Блохин, М.А.Бобров, Н.А.Малеев, В.М.Устинов, Письма в ЖТФ, 40, 22-30 (2014).
«Precise calibration of thickness and composition of epitaxial AlGaAs heterostructures with vertical-cavity optical microresonators» S. A. Blokhin, A. G. Kuz’menkov, A. G. Gladyshev, A. P. Vasil’ev, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, Technical Physics Letters 40 (12), 1098-1102 (2014).
DOI: 10.1134/S1063785014120190.
“Single-mode temperature and polarisation-stable high-speed 850nm vertical cavity surface emitting lasers” D.E.Nazaruk, S.A.Blokhin, N.A.Maleev, M.A.Bobrov, A.G.Kuzmenkov, A.P.Vasil’ev, A.G.Gladyshev, M.M.Pavlov, A.A.Blokhin, M.M.Kulagina, K.A.Vashanova, Yu.M.Zadiranov, A.G.Fefelov, V.M.Ustinov, Journal of Physics: Conference Series 572 012036 (2014).
DOI: 10.1088/1742-6596/572/1/012036.
«Study of a novel type of the optical modes in VCSELs» G.S.Sokolovskii, V.V.Dudelev, A.M.Monakhov, A.Yu.Savenko, S.A.Blokhin, A.G.Deryagin, K.K.Soboleva, A.G.Kuzmenkov, S.N.Losev, V.V.Luchinin, N.A.Maleev, E.U.Rafailov, W.Sibbett, V.I.Kuchinskii, Journal of Physics: Conference Series 572 012044 (2014).
DOI: 10.1088/1742-6596/572/1/012044.
«Влияние времени жизни фотонов в резонаторе на характеристики вертикально–излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм» М.А. Бобров, С.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, Российская молодёжная конференция по физике и астрономии «ФизикА.СПб», Санкт-Петербург, 28—30 октября 2014 года.
«Влияние размеров токовой апертуры высокоскоростных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850нм на дальность передачи данных» С.А. Блохин, М.А. Бобров, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, А.А.Блохин, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Д.Лотт, Д. Бимберг, В.М. Устинов, 4-й Симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», Санкт-Петербург, 10-13ноября 2014.
«Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления» Н.А. Малеев, С.А.Блохин, М.А.Бобров, А.Г.Кузьменков, P.Wolf, P.Moser, J.A.Lott, D.Bimberg, В.М.Устинов, XVIII международный симпозиум НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА, 10 – 14 марта 2014, Нижний Новгород.
Корнышов Г.О., Сахаров А.В., Николаев А.Е. Влияние концентрации алюминия в барьерном слое на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия // НТВ СПбГПУ. Физико-математические науки. 2013. - Т. 4-1. №182. - С. 31-36.
Исследование дислокационной структуры буферных слоев GaN методом профильного анализа рентгенодифракционных максимумов / Е.В. Верховцева, М.В. Байдакова, П.Н. Брунков, В.В. Лундин, А.Е.Николаев, Р.В.Соколов, М.А. Яговкина, В.М. Каганер, В.С.Копп // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 275-276.
Монолитные белые светодиоды со структурированным контактом / Ю.В Холопова, А.Ф. Цацульников, Е.А. Полушкин, В.Е. Земляков, Н.Е. Антонова, В.И.Миндерова, С.Ю. Шаповал // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 168-169.
Характеризация гетероструктур III-N на кремниевых подложках методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии / А.В. Мясоедов, А.Е. Калмыков, Л.М. Сорокин, В.В. Ратников, М.П. Щеглов, А.В.Сахаров, А.Е. Николаев, М.М. Рожавская, В.В. Лундин // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 149-150.
Оптические и структурные исследования твердых растворов InGaN, выращенных методами ГФЭMOС и MПЭ / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин, А.В. Сахаров, Р.Н. Кютт, М.А. Яговкина, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, S. Gwo // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 104-105.
Влияние начальной стадии роста на кривизну гетероструктуры и электролюминесценцию светодиодов / А.Е. Николаев, В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, Е.Е. Заварин, М.М. Рожавская, С.О. Усов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 39-40.
Реакторы для МОГФЭ III-N структур: настоящее и будущее / В.В.Лундин, Д.В.Давыдов, Е.Е. Заварин, А.Е.Николаев , М.А.Синицын, М.Г.Попов, А.В.Сахаров, А.Ф. Цацульников, М.Н.Мизеров, В.М.Устинов, Е.В.Яковлев, Д.С.Базаревский,А.В.Лобанова, Р.А.Талалаев // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 32-33.
Композитные InAlN/GaN/InGaN гетероструктуры / А.Ф. Цацульников, В.В Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, М.М.Рожавская, С.О. Усов, П.Н. Брунков, М.А. Синицын, Д.В. Давыдов, Н.А. Черкашин // Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 13-15 Июня 2013г.). – Москва, 2013. – C. 30-31.
Fast MOVPE of III-nitride Materials at Super-atmospheric Pressure in Horizontal Flow Reactor / W.V. Lundin, D.V. Davydov, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, M.A. Sinitsyn, M.G. Popov, A.V. Sakharov, A. F. Tsatsulnikov, M.N. Mizerov, V.M. Ustinov, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, A.V. Lobanova, R.A.Talalaev // Proceedings of EWMOVPE 2013 (Aachen, Germany, 2-5 June, 2013).
Influence of sapphire substrate backside coating on InGaN/GaN growth / A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.Yu. Lundina, S.O.Usov, A.E. Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of EWMOVPE 2013 (Aachen, Germany, 2-5 June, 2013).
Влияние InGaN/GaN-сверхрешетки на эффективность светодиодов видимого диапазона / А. В. Сахаров , А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов , А. Ф. Цацульников // Сборник статей 9-го Беларусско-Российского Семинара "Полупроводниковые лазеры и системы на их основе" (Минск, Беларусь, 28-31 Мая 2013г.). – Минск, 2013. – C. 134-137.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, E.E. Zavarin, S.I. Troshkov, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsulnikov Selective area growth of GaN on r-plane sapphire by MOCVD, Proceedings of the Fourth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4) // Physica Status Solidi (c). 2013. - V. 10(3). - P. 373–376.
DOI: 10.1002/pssc.201200545.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, E.Yu. Lundina, S.I. Troshkov, V.Yu. Davydov, M.A. Yagovkina, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsulnikov Various types of GaN/InGaN nanostructures grown by MOCVD on Si(111) substrate, Proceedings of the Fourth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4) // Physica Status Solidi (c). 2013. - V. 10(3). - P. 441–444.
DOI: 10.1002/pssc.201200630.
V. Yu. Davydov, E. M. Roginskii, A. N. Smirnov, Yu. E. Kitaev, M. A. Yagovkina, R. N. Kyutt, M. M. Rozhavskaya, E. E. Zavarin, W. V. Lundin and M. B. Smirnov, Lattice dynamics of short-period AlN/GaN superlattices: Theory and experiment, Proceedings of the Fourth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN4) // Physica Status Solidi (a). 2013. - V. 210(3). - P. 484–487.
DOI: 10.1002/pssa.201200700.
W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, M.M. Rozhavskaya, E.E.Zavarin, A.V. Sakharov, S.I. Troshkov, M.A. Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov Fast AlGaN growth in a whole composition range in planetary reactor, Proceedings of the IC MOVPE XVI, May 20-25 2012 (Busan, Korea, 20-25 May, 2013) // Journal of Crystal Growth. 2013. - V. 370. - P. 7-11.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.09.056.
М.М.Рожавская , В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, С.И.Трошков, П.Н.Брунков, А.Ф.Цацульников Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2013. - Т. 47. №3. - С. 414-419.
M.M. Rozhavskaya, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, S.I. Troshkov, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsulnikov Influence of the carrier Gas, trimethylgallium flow, and growth time on the character of the selective epitaxy of GaN // Semiconductors. 2013. - V.47. №3. - P. 437-442.
DOI: 10.1134/S1063782613030226.
Д.Ю. Протасов, Т.В. Малин, А.В. Тихонов, А.Ф. Цацульников, К.С. Журавлев Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом // Физика и Техника Полупроводников. 2013. - Т. 47. №1. - С. 36-47.
D.Yu. Protasov, T.V. Malin, A.V. Tikhonov, A.F. Tsatsulnikov, K.S. Zhuravlev Electron scattering in AlGaN/GaN heterostructures with a two-dimensional electron gas // Semiconductors. 2013. - V.47. №1. - P. 33–44.
DOI: 10.1134/S1063782613010181.
А.С. Большаков, В.В. Чалдышев, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, М.А. Яговкина Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN // Физика Твердого Тела. 2013. - Т. 55. №9. - С. 1706-1708.
Bol'shakov A.S., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsul'nikov A.F., Yagovkina M.A. Resonance Bragg structure with double InGaN quantum wells // Physics of the Solid State. 2013. - V.55. №9. - P. 1817-1820.
DOI: 10.1134/S1063783413090059.
E.V. Verkhovtceva, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, M.A. Yagovkina Strain Relaxation in Multilayer III–N Structures on Si(111) Substrates, Proceedings of the 11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, Saint-Petersburg, Russia, September 15-20, 2012 (Saint-Petersburg, Russia, 15-20 September, 2012) // Crystallography Reports. 2013. - V. 58. - P. 970–975.
DOI: 10.1134/S1063774513070201.
R.N. Kyutt, M.P. Shcheglov, V.V. Ratnikov, M.A. Yagovkina, V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, M.M. Rozhavskaya, E.E. Zavarin, W.V. Lundin X-Ray Diffraction Study of Short-Period AlN/GaN Superlattices // Crystallography Reports. 2013. - V.58. №7. - P. 953–958.
DOI: 10.1134/S1063774513070109.
Optimization of the design and mode of operation of a QD laser for reducing the heat-to-bitrate ratio. Zhukov, A. E., Savelyev, A. V., Maximov, M. V., Kryzhanovskaya, N. V., Gordeev, N. Y., Shernyakov, Y. M., . . . Korenev, V. V. Semiconductors, 47(8), 1097-1102, (2013).
DOI: 10.1134/S106378261308023X.
Turn-on delay of QD and QW laser diodes: What is the difference? Sokolovskii, G. S., Dudelev, V. V., Kolykhalova, E. D., Deryagin, A. G., Maximov, M. V., Nadtochiy, A. M., . . . Erneux, T. Journal of Physics: Conference Series, 461(1), (2013).
DOI: 10.1088/1742-6596/461/1/012030.
Room-temperature lasing in microring cavities with an InAs/InGaAs quantum-dot active region. Kryzhanovskaya, N. V., Zhukov, A. E., Nadtochy, A. M., Maximov, M. V., Moiseev, E. I., Kulagina, M. M., . . . Livshits, D. Semiconductors, 47(10), 1387-1390, (2013).
DOI: 10.1134/S1063782613100187.
Single-spatial-mode semiconductor VCSELs with a nonplanar upper dielectric DBR. Maleev, N. A., Kuz'menkov, A. G., Kulagina, M. M., Zadiranov, Y. M., Vasil'ev, A. P., Blokhin, S. A., . . . Ustinov, V. M. Semiconductors, 47(7), 993-996, (2013).
DOI: 10.1134/S1063782613070166.
Spectral dependence of the linewidth enhancement factor in quantum dot lasers. Zubov, F. I., Shernyakov, Y. M., Maximov, M. V., Zhukov, A. E., Livshits, D. A., Payusov, A. S., . . . Gordeev, N. Y. Semiconductors, 47(12), 1656-1660, (2013).
DOI: 10.1134/S1063782613120233.
Optical anisotropy of InGaAs quantum dots. Blokhin, S. A., Nadtochiy, A. M., Krasivichev, A. A., Karachinsky, L. Y., Vasil'ev, A. P., Nevedomskiy, V. N., . . . Ustinov, V. M. Semiconductors, 47(1), 85-89, (2013).
DOI: 10.1134/S1063782613010077.
High-frequency electrical properties of a vertical-cavity surface-emitting laser with a monolithically integrated electro-optical modulator. Nadtochiy, A. M., Hofmann, W., Germann, T. D., Blokhin, S. A., Karachinskiy, L. Y., Maximov, M. V., . . . Bimberg, D. Semiconductors, 47(5), 695-700, (2013).
DOI: 10.1134/S1063782613050175.
Laser generation in microdisc resonators with InAs/GaAs quantum dots transferred on a silicon substrate. Nadtochiy, A. M., Kryzhanovskaya, N. V., Maximov, M. V., Zhukov, A. E., Moiseev, E. I., Kulagina, M. M., . . . Lipovskii, A. A. Technical Physics Letters, 39(9), 830-833, (2013).
DOI: 10.1134/S1063785013090216.
«Оптическая анизотропия InGaAs квантовых точек» С.А.Блохин, А.М.Надточий, А.А.Красивичев, Л.Я.Карачинский, А.П.Васильев, В.Н.Неведомский, М.В.Максимов, Г.Э.Цырлин, А.Д.Буравлев, Н.А.Малеев, А.Е.Жуков, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Физика Техника Полупроводников, 47, 87-91 (2013).
«Optical anisotropy of InGaAs quantum dots» S.A.Blokhin, A.M.Nadtochiy, A.A.Krasivichev, L.Ya.Karachinsky, A.P.Vasil’ev, V.N.Nevedomskiy, M.V.Maximov, G.E.Cirlin, A.D.Buravlev, N.A.Maleev, A.E.Zhukov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, , Semiconductors 47 (1), 85-89 (2013).
DOI: 10.1134/ .
«Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором» А.М.Надточий, W.Hofmann, T.D.Germann, С.А.Блохин, Л.Я.Карачинский, М.В.Максимов, В.А.Щукин, А.Е.Жуков, D.Bimberg, , Физика Техника Полупроводников 47, 684-689 (2013).
«High-frequency electrical properties of a vertical-cavity surface-emitting laser with a monolithically integrated electro-optical modulator» A.M.Nadtochiy, W.Hofmann, T.D.Germann, S.A.Blokhin, L.Y.Karachinskiy, M.V.Maximov, V.A.Shchukin, A.E.Zhukov, D.Bimberg, , Semiconductors 47 (5), 695-700 (2013).
DOI: 10.1134/S1063782613050175.
«Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона» С.А.Блохин, М.А.Бобров, Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, В.В.Стеценко, М.М.Павлов, Л.Я.Карачинский, И.И.Новиков, Ю.М.Задиранов, А.Ю.Егоров, В.М.Устинов. Физика Техника Полупроводников 47, 833-837 (2013).
«Influence of optical losses on dynamic characteristics of linear arrays of near infrared vertical cavity surface emitting lasers» S.A.Blokhin, M.A.Bobrov, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, V.V.Stetsenko, M.M.Pavlov, L.Ya.Karachinsky, I.I.Novikov, Yu.M.Zadiranov, A.Yu.Egorov, V.M.Ustinov, Semiconductors 47 (6), 844-848 (2013).
DOI: 10.1134/S1063782613060055.
«Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем» Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, М.М.Кулагина, Ю.М.Задиранов, А.П,Васильев, С.А.Блохин, А.С.Шуленков, С.И.Трошков, А.Г.Гладышев, А.М.Надточий, М.М.Павлов, М.А.Бобров, Д.Е.Назарук, В.М.Устинов. Физика Техника Полупроводников 47, 985-989 (2013).
«Single-spatial-mode semiconductor VCSELs with a nonplanar upper dielectric DBR» N.А.Maleev, A.G.Kuzmenkov, M.M.Kulagina, Yu.M.Zadiranov, A.P.Vasil’ev, S.A.Blokhin, А.S.Shulenkov, S.I.Troshkov, A.G.Gladyshev, A.M.Nadtochiy, M.M.Pavlov, M.A.Bobrov, D.E.Nazaruk, V.М.Ustinov, Semiconductors 47 (7), 993-996 (2013).
DOI: 10.1134/S1063782613070166.
«Reliability performance of 25 Gbit s−1 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers» L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, M.A. Bobrov, J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, J.-R. Kropp, D. Bimberg, Semiconductor Science and Technology 28 (6), 065010 (2013).
DOI: 10.1088/0268-1242/28/6/065010.
«Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода» В. А. Щукин, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, С. А. Блохин, И. И. Новиков, Н. А. Богословский, А. В. Савельев, Физика Техника Полупроводников 47, 1542-1553 (2013).
«Efficient semiconductor electrooptic medium based on type-II heterostructures» V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Bogoslovskiy, A.V. Savelyev, Semiconductors 47 (11), 1528-1538 (2013).
DOI: 10.1134/S1063782613110201.
М.А.Бобров, С.А,Блохин, М.М.Павлов, А.Г.Кузьменков, А.П,Васильев, А.Г.Гладышев, Н.А.Малеев, В.М.Устинов, «Динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами в спектральном диапазоне вблизи 850 нм», 9th Belarussian-Russian Workshop “SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS”, 28-31 May 2013, Minsk, Belarus, Book of papers, pp.64-67 (доклад).
С.А. Блохин, М.А. Бобров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, Д. Лотт, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, «Повышение дальности передачи данных быстродействующих вертикально-излучающих лазеров диапазона 850 нм», XI Российская Конференция по Физике Полупроводников, 16-20 Сентября 2013, Санкт-Петербург, Россия, стр.40 (доклад).
Л.Я.Карачинский, С.А.Блохин, И.И.Новиков, В.В.Щербаков, Ю.А.Климов, С.М.Абрамов, «Многоканальные активные оптические кабели со скоростью передачи данных до 14 Гбит/с на 1 канал», Сборник трудов Первой российско-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники», 11-14 сентября 2013 г., Нижний Новгород, с. 152-156.
Абрамов С.М., Адамович И.А., Блохин С.А., Елистратов А.В., Карачинский Л.Я., Климов Ю.А., Новиков И.И., Пономарев А.Ю., Ранцев С.С., Фохт И.А., Хренов А.Ю., Шворин А.Б., Шевчук Ю.В. О разработке интерконнекта на активных оптоволоконных кабелях и программируемых логических интегральных схемах // Научный сервис в сети Интернет: все грани параллелизма: Труды Международной суперкомпьютерной конференции (23-28 сентября 2013 г., г. Новороссийск). — М.: Изд-во МГУ, 2013. — С. 220-223.
Д.Е. Назарук, М.М. Павлов, Н.А. Малеев, М.А. Бобров, С.А. Блохин, «Одномодовые температурно-стабильные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм», Российская молодёжная конференция по физике и астрономии «ФизикА.СПб», Санкт-Петербург, 23—24 октября 2013 года.
a-GaN grown by double-cross ELOG process / W.V. Lundin , E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, M.A. Sinitsyn, A.V. Sakharov, S.O. Usov, S.I. Troshkov, P.N. Brunkov, M.M. Rozhavskaya, A.N.Smirnov, V.Yu.Davidov and A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of IC MOVPE XVI 2012 (Busan, Korea, 20-25 May, 2012).
Stimulated Formation of InGaN Quantum Dots by MOCVD (invited) / A. Tsatsulnikov, W. Lundin, A. Nikolaev, A. Sakharov, N. Cherkashin, M. Hytch // Abstracts book of the 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (St. Petersburg, Russia, 16-19 July 2012). – St. Petersburg, 2012.
Peculiarities of fast AlGaN growth in planetary reactor / W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, M.M. Rozhavskaya, E.E.Zavarin, A.V. Sakharov, S.I. Troshkov, M.A. Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov // Abstracts book of the 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (St. Petersburg, Russia, 16-19 July 2012). – St. Petersburg, 2012.
Structural characterization of short period superlattices GaN/AlN / R. Kyutt, M. Scheglov, V. Ratnikov, V. Davydov, A. Smirnov, M. Yagovkina, M. Rojavskaja, E. Zavarin, W. Lundin // Abstracts book of the 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (St. Petersburg, Russia, 16-19 July 2012). – St. Petersburg, 2012.
Influence of reactor pressure on InGaN/GaN MQW growth and properties / A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, S.O. Usov, E.E. Zavarin, and A.F. Tsatsulnikov // Abstracts book of the 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides 2012 (St. Petersburg, Russia, 16-19 July, 2012).
Е.А. Чернышева, А.В. Сахаров, Н.А. Черкашин, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки вып. 2. 2012. - Т. 2(146). - С. 32-36.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Рожавская М.М., Усов С.О., Брунков П.Н., Синицын М.А., Давыдов Д.В., Мизеров М.Н., Черкашин Н.А. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра // Физика и Техника Полупроводников. 2012. - Т. 46. №10. - С. 1304-1308.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Zavarin E. E., Nikolaev A. E., Sakharov A. V., Rozhavskaya M. M., Usov S. O., Brunkov P. N., Synitsin M. A., Davydov D. V., Mizerov M. N., Cherkashin N. A., Composite InGaN/GaN/InAlN heterostructures emitting in the yellow-red spectral region // Semiconductors. 2012. - V.46. №10. - P. 1281-1285.
DOI: 10.1134/S1063782612100168.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В, Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Мусихин Ю.Г., Усов С.О., Мизеров М.Н., Черкашин Н.А. Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения // Физика и Техника Полупроводников. 2012. - Т. 46. №10. - С. 1357-1362.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Zavarin E. E., Sakharov A. V., Musikhin Yu. G., Usov S. O., Mizerov M. N., Cherkashin N. A., InGaN/GaN heterostructures grown by submonolayer deposition // Semiconductors. 2012. - V.46. №10. - P. 1335-1340.
DOI: 10.1134/S106378261210017X.
В. А. Шалыгин, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, А. Н. Софронов, Г. А. Мелентьев, М. Я. Винниченко, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников Эмиссия терагерцового излучения из селективно легированных гетероструктур AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов электрическим полем // Известия Российской академии наук. Серия Физическая. 2012. - Т. 76. №2. - С. 236-239.
V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, A. N. Sofronov, G. A. Melentyev, M. Ya. Vinnichenko, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, A.F. Tsatsul’nikov, Emission of Terahertz Radiation from Selectively Doped AlGaN/GaN Heterostructures under the Heating of Two-Dimensional Electrons by an Electric Field // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. 2012. - V.76. №2. - P. 207–210.
DOI: 10.3103/S1062873812020281.
Effect of stimulated phase separation on properties of blue, green and monolithic white LEDs / A. F. Tsatsulnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, V. S. Sizov, A. L. Zakgeim, M. N. Mizerov, N. A. Cherkashin, and M. Hytch // 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) (Glasgow, UK, 10-15 July, 2011) // Physica Status Solidi (c). 2012. - V. 9. №3. - P. 774-777.
DOI: 10.1002/pssc.201100339.
W.V. Lundin, A.E Nikolaev, M. Yagovkina, P. Brunkov, M. Rozhavskaya, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Lobanova, R.A. Talalaev, High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor, Proceedings of the 18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 15th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy, July 31 - August 5, 2011 (Monterey, California, USA, 31 July - 5 August, 2011) // Journal of Crystal Growth. 2013. - V. 352. - P. 209–213.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.045.
С.А.Кукушкин, А.В.Осипов, С.Г.Жуков, Е.Е.Заварин, В.В.Лундин, М.А.Синицын, М.М.Рожавская, А.Ф.Цацульников, С.И.Трошков, Н.А.Феоктистов Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния // Письма в Журнал Технической Физики. 2012. - Т. 38. №6. - С. 90-95.
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.G. Zhukov, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, M.A. Sinitsyn, M.M. Rozhavskaya, A.F. Tsatsulnikov, S. I. Troshkov, N.A. Feoktistov Group-III-nitride-based light-emitting diode on silicon substrate with epitaxial nanolayer of silicon carbide // Technical Physics Letters. 2012. - V.38. №3. - P. 297-299.
DOI: 10.1134/S1063785012030261.
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.М. Рожавская , А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, С.И. Трошков, М.А.Синицын, Д.В.Давыдов, М.М.Кулагина, П.Н.Брунков, А.Ф. Цацульников Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия // Письма в Журнал Технической Физики. 2012. - Т. 38. №6. - С. 22-28.
W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. M. Rozhavskaya, A. E. Nikolaev, V. Sakharov, S. I. Troshkov, M. A. Sinitsyn, D. V. Davydov, M. M. Kulagina and P. N. Brunkov, A. F. Tsatsulnikov Double-cross epitaxial overgrowth of nonpolar gallium nitride layers // Technical Physics Letters. 2012. - V.38. №3. - P. 265-267.
DOI: 10.1134/S1063785012030285.
В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, А.Л. Закгейм, А.Е. Черняков, М.Н. Мизеров,Н . А. Черкашин, M. Hytch Монолитные белые светодиоды: подходы, технология, дизайн // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2012. - Т. 6. - С. 1–4.
V. M. Ustinov, A. F. Tsatsulnikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, E. E. Zavarin, A. L. Zakgeim, A. E. Chernyakov, M. N. Mizerov, N. A. Cherkashin, M. Hytch Monolithic White LEDs: Approaches, Technology, Design // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2012. - V.6. №3. - P. 501–504.
DOI: 10.1134/S1027451012060237.
Decreasing parasitic capacitance in vertical-cavity surface-emitting laser with selectively oxidized aperture. Nadtochiy, A. M., Blokhin, S. A., Kuz'menkov, A. G., Maksimov, M. V., Maleev, N. A., Troshkov, S. I., . . . Bimberg, D. Technical Physics Letters, 38(2), 106-109, (2012).
DOI: 10.1134/S1063785012020101.
Multi-mode to single-mode switching caused by self-heating in bottom-emitting intra-cavity contacted 960 nm VCSELs. Blokhin, S. A., Maleev, N. A., Kuzmenkov, A. G., Lott, J. A., Kulagina, M. M., Zadiranov, Y. M., . . . Ustinov, V. M. Paper presented at the Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering, , 8276, (2012).
DOI: 10.1117/12.907346.
Influence of the position of InGaAs quantum dot array on the spectral characteristics of AlGaAs/GaAs photovoltaic converters. Blokhin, S. A., Nadtochiy, A. M., Mintairov, S. A., Kalyuzhny, N. A., Emel'yanov, V. M., Nevedomsky, V. N., . . . Ustinov, V. M. Technical Physics Letters, 38(11), 1024-1026, (2012).
DOI: 10.1134/S1063785012110193.
High-temperature lasing in a microring laser with an active region based on InAs/InGaAs quantum dots. Kryzhanovskaya, N. V., Zhukov, A. E., Nadtochy, A. M., Slovinsky, I. A., Maximov, M. V., Kulagina, M. M., . . . Lipovskii, A. A. Semiconductors, 46(8), 1040-1043, (2012).
DOI: 10.1134/S106378261208012X.
Electro-optical resonance modulation of vertical-cavity surface-emitting lasers. Germann, T. D., Hofmann, W., Nadtochiy, A. M., Schulze, J. -., Mutig, A., Strittmatter, A., & Bimberg, D. Optics Express, 20(5), 5099-5107, (2012).
DOI: 10.1364/OE.20.005099.
Nonvanishing turn-on delay in quantum dot lasers. Sokolovskii, G. S., Dudelev, V. V., Kolykhalova, E. D., Deryagin, A. G., Maximov, M. V., Nadtochiy, A. M., . . . Erneux, T. Applied Physics Letters, 100(8), (2012).
DOI: 10.1063/1.3688604.
Quantum dot lasers and relevant nanoheterostructures. Zhukov, A. E., Kryzhanovskaya, N. V., Savelyev, A. V., Nadtochiy, A. M., Arakcheeva, E. M., Zubov, F. I., . . . Mintairov, A. Paper presented at the Progress in Biomedical Optics and Imaging - Proceedings of SPIE, 8553, (2012).
DOI: 10.1117/12.2009055.
Quantum dot lasers and relevant nanoheterostructures. Zhukov, A. E., Kryzhanovskaya, N. V., Savelyev, A. V., Nadtochiy, A. M., Arakcheeva, E. M., Zubov, F. I., . . . Mintairov, A. Paper presented at the Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering, , 8562, (2012).
DOI: 10.1117/12.2009055.
Quantum dot lasers and relevant nanoheterostructures. Zhukov, A. E., Kryzhanovskaya, N. V., Savelyev, A. V., Nadtochiy, A. M., Arakcheeva, E. M., Zubov, F. I., . . . Mintairov, A. Paper presented at the Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering, , 8555, (2012).
DOI: 10.1117/12.2014551.
«Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой» А.М. Надточий, С.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, С.И. Трошков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, A.Mutig, D. Bimberg, Письма в Журнал технической физики, т. 38(3), с.10-16, (2012).
«Decreasing parasitic capacitance in vertical-cavity surface-emitting laser with selectively oxidized aperture» A.M.Nadtochiy, S.A.Blokhin, A.G.Kuz’menkov, M.V.Maksimov, N.A.Maleev, S.I.Troshkov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, A.Mutig, D.Bimberg, , Technical Physics Letters 38 (2), 106-109, (2012).
DOI: 10.1134/S1063785012020101.
«Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристик и AlGaAs/GaAs фотопреобразователей» С.А.Блохин, А.М.Надточий, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, В.М.Емельянов, В.Н.Неведомский, М.З.Шварц, М.В.Максимов, В.М.Лантратов, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Письма в Журнал технической физики, т. 38(22), с.43-49 (2012).
«Influence of the position of InGaAs quantum dot array on the spectral characteristics of AlGaAs/GaAs photovoltaic converters» S.A.Blokhin, A.M.Nadtochiy, S.A.Mintairov, N.A.Kalyuzhnyy, V.M.Emel'yanov, V.N.Nevedomsky, M.V.Maximov, V.M.Lantratov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, Technical Physics Letters 38 (22), 43-49 (2012).
DOI: 10.1134/S1063785012110193.
«Multi-mode to single-mode switching caused by self-heating in bottom-emitting intra-cavity contacted 960 nm VCSELs» S.A. Blokhin, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, J.A. Lott, M.M. Kulagina, Y.M. Zadiranov, A.G. Gladyshev, A.M. Nadtochiy, E.V. Nikitina, V.G. Tikhomirov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, Proceedings of SPIE 8276, 82760W (2012).
Photonics West 2012, 21-26 January 2012, San Francisco, California, USA.
DOI: 10.1117/12.907346.
Progress on single mode VCSELs for data- and tele-communications (Invited paper) N.N. Ledentsov, J.A. Lott, J.-R. Kropp, V.A. Shchukin, D. Bimberg, P. Moser, G. Fiol, A.S. Payusov; G. Kuyt, A. Amezcua, L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Maleev, C. Caspar and R. Freund, Proceedings of SPIE 8276, 82760K1 (2012).
Photonics West 2012, 21-26 January 2012, San Francisco, California, USA.
DOI: 10.1117/12.902643.
«Energy efficient 850 nm VCSELs operating error-free at 25 Gb/s over multimode optical fiber up to 600 m» J.A.Lott, P.Moser, A.Payusov, S.Blokhin, P.Wolf, G.Larisch, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, 2012 IEEE Optical Interconnects Conference, 20-23 May 2012, Santa Fe, NM, USA, p.42.
DOI: 10.1109/OIC.2012.6224456.
Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, А.П.Васильев, А.С.Шуленков, М.М.Кулагина, Ю.М.Задиранов, С.А.Блохин, А.Г.Гладышев, С.И.Трошков, М.А.Бобров, М.М.Павлов, В.М.Устинов, "Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм с верхним неплоским диэлектрическим распределенным брэгговским отражателем", IX международная научная конференция «Лазерная физика и оптические технологии», 30 мая – 2 июня 2012 г, г.Гродно, Республика Беларусь, Сборник тезисов, с.9.
С.А. Блохин, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, Д.Лотт, Н.Н.Леденцов, Д.Бимберг, «Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850нм для передачи данных на скорости 25Гбит/с по оптоволокну длиной более 100м при температуре 85 С», Сборник тезисов 3-го симпозиума «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», 13− 16 ноября 2012 г., Санкт-Петербург, с. 46.
М.А. Бобров, С.А. Блохин, М.М. Павлов, Н.А. Малеев, «Влияние оптических потерь на динамические характеристики вертикально–излучающих лазеров диапазона 850 нм», Российская молодёжная конференция по физике и астрономии «ФизикА.СПб», Санкт-Петербург, 23—25 октября 2012 года.
V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, A. F. Tsatsulnikov, M. A. Yagovkina, Taek Kim, Y. Park Optical lattices of InGaN quantum well excitons // Applied Physics Letters. 2011. - V. 99. №25. - P. 251103.
DOI: 10.1063/1.3670499.
Терагерцовое излучение 2D- и 3D-электронов при их разогреве электрическим полем в эпитаксиальных слоях А3В5 / В.А. Шалыгин, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, Г.А. Мелентьев, А.Н. Софронов, Т.В. Шубина, В.Н. Жмерик, А.Н. Семенов, С.В. Иванов, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, S. Suihkonen, H. Lipsanen / Тезисы докладов 10-й Российской конференции по физике полупроводников, (Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011 г.). – Нижний Новгород, 2011.
Акустические и оптические фононы в короткопериодных гексагональных сверхрешетках GaN/AlN / В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, М.Б. Смирнов, Ю.Э. Китаев, М.А. Яговкина, М.М. Рожавская, Е.Е. Заварин / Тезисы докладов 10-й Российской конференции по физике полупроводников, (Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011 г.). – Нижний Новгород, 2011.
Влияние дизайна р-области на свойства InGaN/GaN светодиодов зеленого диапазона / А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. C. Сизов, А. Ф. Цацульников, М. А. Яговкина, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, С. Ю. Карпов / Тезисы докладов 8-го Беларусско-Российский Семинара "Полупроводниковые лазеры и системы на их основе", (Минск, Беларусь, 17-20 мая 2011 г.). – Минск, 2011. – C. 153-154.
Эмиссия терагерцового излучения из селективно легированных гетероструктур AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов электрическим полем / Шалыгин В.А., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Софронов А.Н., Мелентьев Г.А., Винниченко М.Я., Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф. / Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника», (Нижний Новгород, 14 - 18 марта 2011 г.). – Нижний Новгород, 2011. – C. 155-156.
Гетероструктуры для НЕМТ транзисторов на основе (In)GaAlN/GaN / А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, М.А. Яговкина, В.М. Устинов / Тезисы докладов Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, (Москва, 12−13 мая 2011 г.). – Москва, 2011. – C. 18-19.
Мощные интегральные гетероструктурные полевые транзисторы на нитриде галлия / Раков Ю. Н., Мончарес Н. В., Боброва Т. П., Щепина Л. В., Узельман Г. Ф., Мякишев Ю. Б., Бондарева Т. К., Цацульников А. Ф., Свешников Ю. Н. / Тезисы докладов 20-ой Международной конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», (Севастополь, Крым, 13-17 сентября 2010 г.). – Севастополь, 2011. – C. 101.
High growth rate of Al(Ga)N in planetary reactor / W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, P.N.Brunkov, D.V.Davydov, E.E. Zavarin, M.A.Yagovkina, M.M.Rozhavskaya, M.A.Sinitsyn, M.N.Mizerov, A. F. Tsatsulnikov // Proceedings of the 14th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Wroclaw, Poland, 5-8 June, 2011) // Booklet of Extended abstracts. 2011. - P. 67. // Journal of Crystal Growth. 2011. - V. 352. №1. - P. 209-213.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.045.
В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, М.М.Рожавская, С.И.Трошков, А.Ф.Цацульников Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах // Письма в Журнал Технической Физики. 2011. - Т. 37. №15. - С. 95-102.
W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.M. Rozhavskaya, S.I. Troshkov, A.F. Tsatsulnikov Specific features of gallium nitride selective epitaxy in round windows // Technical Physics Letters. 2011. - V.37. №8. - P. 735-738.
DOI: 10.1134/S1063785011080104.
V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, A. N. Sofronov, G. A. Melentyev, W. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov Blackbody-like emission of terahertz radiation from AlGaN/GaN heterostructure under electron heating in lateral electric field // Journal of Applied Physics. 2011. - V. 76. - P. 073108.
DOI: 10.1063/1.3573489.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Сизов В.С., Усов С.О., Мусихин Ю.Г., Gerthsen D. Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе // Физика и Техника Полупроводников. 2011. - Т. 45. №2. - С. 274-279.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Zavarin E.E., Nikolaev A. E., Sakharov A. V., Sizov V. S., Usov S. O., Musikhin Yu. G., Gerthsen D. Influence of hydrogen on local phase separation in InGaN thin layers and properties of light-emitting structures based on them // Semiconductors. 2011. - V.45. №2. - P. 271-276.
DOI: 10.1134/S1063782611020230.
W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, V.M. Ustinov MOVPE of device-oriented wide-band-gap III-N heterostructures // Semicond. Sci. Technol. 2011. - V. 26(1). - P. 014039.
DOI: 10.1088/0268-1242/26/1/014039.
W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, G.A. Valkovskiy, M.A. Yagovkina, S.O. Usov, N.V. Kryzhanovskaya, V.S. Sizov, P.N. Brunkov, A.L. Zakgeim, A.E. Cherniakov, N.A. Cherkashin, M.J. Hytch, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, M.M. Rozhavskaya, A.F. Tsatsulnikov, Single quantum well deep-green LEDs with buried InGaN/GaN short-period superlattice, 15th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XV) (Hyatt Regency Lake Tahoe Incline Village, Nevada, USA, 23-28 May, 2010) // Journal of Crystal Growth. 2011. - V. 315(1). - P. 267-271.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.043.
Terahertz Radiation Emission by Hot Electrons from AlGaN/GaN Heterostructure / V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, A.N. Sofronov, G.A. Melentyev, W.V. Lundin A.E. Nikolaev , A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of the 14th International Symposium Ultrafast Phenomena in Semiconductors (Vilnius, Lithuania, 23-25 August, 2010) // Acta Physica Polonica A. 2011. - V. 119. №2. - P. 241-243.
DOI: 10.12693/APhysPolA.119.241.
InGaN/GaN Short-Period Superlattices: Synthesis, Properties, Applications / A. F. Tsatsulnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, E .E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, N. V. Kryzhanovskaya, V.S. Sizov, A. E. Chernyakov, A. L. Zakgeim, N.A. Cherkashin, M. Hytch // Proceedings of IWN2010 (Florida, USA, 19-24 September, 2010) // Physica Status Solidi (c). 2011. - V. 8. №7 - 8. - P. 2308-2310.
DOI: 10.1002/pssc.201001040.
Светодиод на основе III- нитридов на кремниевой подложке с подслоем нанокарбида кремния / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Г. Жуков, E.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.М. Рожавская, Н.А. Феоктистов, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 25-26.
Влияние дизайна активной области на свойства монолитных светодиодных структур / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, В.М. Устинов, А.Л. Закгейм, А.Е. Черняков, С.О. Усов, М.Н. Мизеров, Н.А. Черкашин, M. Hytch // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 27-28.
МОС-гидридная эпитаксия атомно-гладких слоев Al(Ga)N с высокой скоростью роста в планетарном реакторе / В.В.Лундин, А.Е.Николаев, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, П.Н.Брунков, С.И. Трошков, М.М. Рожавская, Д.В. Давыдов, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 41-42.
Пространственная однородность и температурная стабильность полупрозрачного фотокатода p-GaN(Cs,O)/AlN/с-AlO3 / В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, В.В.Лундин, А.Е. Николаев , А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, А.А.Мармалюк, А.В. Мазалов // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 91-92.
Исследования структуры и колебательного спектра короткопериодных сверхрешеток GаN/AlN, выращенных методом МОГФЭ / В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, М.Б. Смирнов, Ю.Э. Китаев, Р.Н. Кютт, М.А. Яговкина, Я.М. Бельтюков, М.М. Рожавская, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 176-177.
Влияние состава и легирования AlGaN барьера для электронов на свойства InGaN/GaN светодиодов зеленого диапазона / А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, В.В. Лундин, С.О. Усов, В.C.Сизов, А.Ф. Цацульников, М.А. Яговкина, Д.Ю. Казанцев, Б.Я. Бер, С.Ю.Карпов // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 194-195.
Оптические характеристики источников белого света на основе смешивания излучения AlInGaN светодиодов различных спектральных диапазонов / С.О. Усов, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, М.А. Синицын, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 196-197.
Особенности селективной эпитаксии GaN в полосковых окнах / М.М. Рожавская, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников// Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 26–28 мая 2011г.). – Санкт-Петербург, 2011. – C. 117-118.
High-speed single-mode quantum dot and quantum well VCSELs. Ledentsov, N. N., Lott, J. A., Bimberg, D., Mutig, A., Fiol, G., Blokhin, S. A., . . . Maximov, M. V. Paper presented at the Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering, 7952, (2011).
DOI: 10.1117/12.880404.
Effect of AlGaAs-(AlGa)xOy pedestal parameters on characteristics of a microdisk laser with active region basedon InAs/InGaAs quantum dots. Kryzhanovskaya, N. V., Blokhin, S. A., Maximov, M. V., Nadtochy, A. M., Zhukov, A. E., Fedorova, K. V., . . . Bimberg, D. Semiconductors, 45(7), 962-965, (2011).
DOI: 10.1134/S1063782611070116.
Matrices of 960-nm vertical-cavity surface-emitting lasers. Maleev, N. A., Kuzmenkov, A. G., Shulenkov, A. S., Blokhin, S. A., Kulagina, M. M., Zadiranov, Y. M., . . . Ustinov, V. M. Semiconductors, 45(6), 818-821, (2011).
DOI: 10.1134/S1063782611060133.
High-speed highly temperature stable 980 nm VCSELs operating at 25 Gb/s at up to 85°C for short reach optical interconnects. Mutig, A., Lott, J. A., Blokhin, S. A., Moser, P., Wolf, P., Hofmann, W., . . . Bimberg, D. Paper presented at the Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering, , 7952, (2011).
DOI: 10.1117/12.876156.
Modulation characteristics of high-speed and high-temperature stable 980 nm range VCSELs operating error free at 25 Gbit/s up to 85°C. Mutig, A., Lott, J. A., Blokhin, S. A., Moser, P., Wolf, P., Hofmann, W., . . . Bimberg, D. IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, 17(6), 1568-1575, (2011).
DOI: 10.1109/JSTQE.2010.2098851.
Dynamic properties of AlGaAs vertical cavity surface emitting lasers with active region based on submonolayer InAs insertions. Nadtochiy, A. M., Blokhin, S. A., Mutig, A., Lott, J. A., Ledentsov, N. N., Karachinskiy, L. Y., . . . Bimber, D. Semiconductors, 45(5), 679-684, (2011).
DOI: 10.1134/S1063782611050216.
«Быстродействие вертикально излучающих AlGaAs лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs» А.М.Надточий С.А.Блохин, А.Мутиг, Дж.Лотт, Н.Н.Леденцов, Л.Я.Карачинский, М.В.Максимов, В.М.Устинов, Д.Бимберг, Физика Техника Полупроводников, 45 (5), 688-693, 2011.
«Dynamic properties of AlGaAs vertical cavity surface emitting lasers with active region based on submonolayer InAs insertions» A.M.Nadtochiy, S.A.Blokhin, А.Mutig, N.N.Ledentsov, L.Ya.Karachinsky, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, D.Bimberg, Semiconductors 45(5), 679-684 (2011).
DOI: 10.1134/S1063782611050216.
«Modulation characteristics of high speed high temperature stable 980 nm VCSELs operating error-free at 25 Gbit/s up to 85 °C» А. Mutig, J. A. Lott, S. A. Blokhin, P. Moser, P. Wolf, W. Hofmann, A. M. Nadtochiy and D. Bimberg, Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 17 (6), 1568-1575 (2011).
«Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм» Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, А.С.Шуленков, С.А.Блохин, М.М.Кулагина, Ю.М.Задиранов1, В.Г.Тихомиров, А.Г.Гладышев, А.М.Надточий, Е.В.Никитина, J.A.Lott, В.Н.Сведе-Швец, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Физика Техника Полупроводников, 45 (6), 836-838 (2011).
«Matrices of 960-nm vertical-cavity surface-emitting lasers» N.A.Maleev, A.G.Kuz’menkov, A.S.Shulenkov, S.A.Blokhin, M.M.Kulagina, Y.M.Zadiranov, V.G. V.G.Tikhomirov, A.G.Gladyshev, A.M.Nadtochiy, E.V.Nikitina, J.A.Lott, B.N.Svede-Shvets, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, Semiconductors 45, 818-8218 (2011).
DOI: 10.1134/S1063782611060133.
«Влияние параметров AlGaAs--(AlGa)xOy пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек» Н.В.Крыжановская, С.А.Блохин, М.В.Максимов, А.М.Надточий, А.Е.Жуков, К.В.Федорова, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Н.Д.Ильинская, Д.Бимберг, Физика Техника Полупроводников, 45 (7), 992-995 (2011).
«Effect of AlGaAs-(AlGa)xOy pedestal parameters on characteristics of a microdisk laser with active region based on InAs/InGaAs quantum dots» N.V.Kryzhanovskaya, S.A.Blokhin, M.V.Maximov, A.M.Nadtochiy, A.E.Zhukov, K.V.Fedorova, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, N.D.Il’inskaya, D.Bimberg, Semiconductors 45 (7), 962-965 (2011).
DOI: 10.1134/S1063782611070116.
«High-speed highly temperature stable 980 nm VCSELs operating at 25 Gb/s at up to 85 C for short reach optical interconnects» A.Mutig, J.A.Lott, S.A.Blokhin, P.Moser, P.Wolf, W.Hofmann, A.M.Nadtochiy, D.Bimberg, Proceedings of SPIE 7952, 79520H (2011).
Photonics West 2011, 26-27 January 2011, San Jose, USA.
DOI: 10.1117/12.876156.
«High-speed single-mode quantum dot and quantum well VCSELs» N.N.Ledentsov, J.A.Lott, D.Bimberg, A.Mutig, G.Fiol, S.A.Blokhin, A.M.Nadtochiy, V.A.Shchukin, J.Kropp, I.I.Novikov, L.Ya.Karachinsky, M.V.Maximov, Proceedings of SPIE 7952, 79520J (2011).
Photonics West 2011, 26-27 January 2011, San Jose, USA.
DOI: 10.1117/12.880404.
A.Mutig, W.Hofmann, S.A.Blokhin, P.Wolf, P.Moser, A.M.Nadtochiy, D.Bimberg and J.A.Lott, «High Speed High Temperature Stable 980 nm VCSELs Operating Error-Free at 25 Gbit/s up to 85 °C for Short Reach Optical Interconnects», 2011 Optical Fiber Communication Conference and Exposition and the National Fiber Optic Engineers Conference, OFC/NFOEC 2011, Los Angeles, California, March 6, 2011.
J. A. Lott, V. A. Shchukin, and N. N. Ledentsov, S. A. Blokhin and L. Ya. Karachinsky, «30 GHz Relaxation Resonance Frequency and 35 Gbit/s Data Rate in Single-Mode 850 nm VCSELs», 2011 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2011; 1-6 May, Baltimore, MD, USA, 2011.
A.M.Nadtochiy, S.A.Blokhin, A.Mutig, A.V.Savelyev, A.G.Kuzmenkov, N.A.Maleev, N.N.Ledentsov, V.MUstinov D.Bimberg, «Features of antiwaveguiding oxide-conffined 980nm VCSELs», 19th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” Ekaterinburg, Russia, June 20–25, 2011.
S.A.Blokhin, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, J.A.Lott, M.M.Kulagina, Y.M.Zadiranov, A.G.Gladyshev, A.M.Nadtochiy, E.V.Nikitina, V.G.Tikhomirov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, «High-power single-mode bottom-emitting 960 nm VCSELs», 19th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” Ekaterinburg, Russia, June 20–25, 2011.
Н.А. Малеев, С.А.Блохин, А.Г.Кузьменков, М.М.Кулагина, Ю.М.Задиранов, А.С.Шуленков, В.Н.Сведе-Швец, J.A.Lott, D. Bimberg, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, «Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры и матричные излучатели на их основе», «Нанофизика и наноэлектроника», Труды XV международного симпозиума, 14 - 18 марта 2011 г., Нижний Новгород, том 1, сс.236-237, 2011.
S.A. Blokhin, J.A. Lott, N.N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A.G. Kuzmenkov, I.I. Novikov, N.A. Maleev, G.Fiol, D.Bimberg, «850 nm Optical Components for 25 Gb/s Optical Fiber Data Communication Links over 100 m at 85°C», Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition (ACP 2011), Shanghai, China, 13-16 November 2011.
Proceedings of the SPIE 8308, 830819 (2011), oral.
DOI: 10.1117/12.904604.
G.S.Sokolovskii, V.V.Dudelev, A.M.Monakhov, A.Yu.Savenko, S.A.Blokhin, A.G.Deryagin, S.A.Zolotovskaya, A.G.Kuzmenkov, S.N.Losev, V.V.Luchinin, N.A.Maleev, E.U.Rafailov, W.Sibbett, V.I.Kuchinskii, «Observation of a novel type of optical modes in VCSELs», 2011 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe (CLEO EUROPE/EQEC) and 12th European Quantum Electronics Conference, 22-26 May 2011, Munich, Germany.
A. Mutig, J. A. Lott, S. A. Blokhin, P. Moser, P. Wolf, W. Hofmann, A. M. Nadtochiy, D. Bimberg, «High speed 980 nm VCSELs for short-reach optical interconnects operating error-free at 25 Gbit/s up to 85 °C», 2011 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe (CLEO EUROPE/EQEC) and 12th European Quantum Electronics Conference, 22-26 May 2011, Munich, Germany.
“Влияние неоднородного уширения субмонослойных квантовых точек на генерацию вертикально излучающего лазера с насыщающимся поглотителем” С.В.Федоров, С.А.Блохин, Л.Я.Карачинский, Оптика и спектроскопия, т.111(1), с. 153-158 (2011).
«Effect of inhomogeneous broadening of submonolayer quantum dots on the generation of vertical-cavity laser with saturable absorber» S.V.Fedorov, S.A.Blokhin, L.Y.Karachinskii, Optics and Spectroscopy 111 (1), 142-147 (2011).
DOI: 10.1134/S0030400X1107006X.
«Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs» А.Г.Гладышев, М.М.Кулагина, С.А.Блохин, А.А.Красивичев, Л.Я.Карачинский, А.П.Васильев, Н.А.Малеев, В.М.Устинов, Письма в Журнал технической физики, т. 37(24), с.9-15 (2011).
«Submicron surface relief fabrication technology for epitaxial GaAs structures with thin AlGaAs stop layers» A.G.Gladyshev, M.M.Kulagina, S.A.Blokhin, A.A.Krasivichev, L.Ya.Karachinskii, A.P.Vasil’ev, N.A.Maleev, V.M.Ustinov, Technical Physics Letters 37 (12), 1145-1148 (2011).
DOI: 10.1134/S1063785011120200.
«Arrays of 850 nm photodiodes and vertical cavity surface emitting lasers for 25 to 40 Gbit/s optical interconnects» J. A. Lott, A. S. Payusov, S. A. Blokhin, P. Moser, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Phys. Status Solidi C 9, 292 (2011)
DOI: 10.1002/pssc.201100315.
Optoelectronic structures with InAlN layers grown by MOVPE / A. V. Sakharov, W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Sinitsyn, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, S. I. Troshkov, M. A. Yagovkina, D. V. Davydov, N. A. Cherkashin, M. Hytch J., F. Hue, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsulnikov // Proceedings of ICPS2010 (Seoul, Korea, 25-30 July, 2010) // AIP Conf. Proc. 2011. - V. 1399. - P. 107-108.
DOI: 10.1063/1.3666279.
Deep green and monolithic white LEDs based on combination of short-period InGaN/GaN superlattice and InGaN QWs / A. F. Tsatsulnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, E .E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Chernyakov , A. L. Zakgeim , N.A. Cherkashin, M. Hytch // Proceedings of ICPS2010 (Seoul, Korea, 25-30 July, 2010) // AIP Conf. Proc. 2011. - V. 1399. - P. 253-254.
DOI: 10.1063/1.3666350.
А.В. Аладов, Е.Д. Васильева, А.Л. Закгейм, Г.В. Иткинсон, В.В. Лундин, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников О современных мощных светодиодах и их светотехническом применении // Светотехника. 2010. - Т. 3. - С. 8-16.
A.V. Aladov, E.D. Vasilieva, A.L. Zakgeim, G.V. Itkinson, V.V. Lundin, M.N. Mizerov, V. M. Ustinov, A.F. Tsatsul’nikov On modern high-power LEDs and their lighting application // Light & Engineering (Svetotekhnika). 2010. - V.18. №3. - P. 16-29.
В.В.Лундин, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, П.Н.Брунков, Е.Е.Заварин, А.Ф.Цацульников Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе // Письма в Журнал Технической Физики. 2010. - Т. 36. №24. - С. 33-39.
W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, P.N. Brunkov, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsulnikov High Growth Rate of AlN in a Planetary MOVPE Reactor // Technical Physics Letters. 2010. - V.36. №12. - P. 1133–1135.
DOI: 10.1134/S1063785010120205.
Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Сизов В.С., Закгейм А.Л., Черняков А.Е., Цацульников А.Ф. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530-560 nm // Письма в Журнал Технической Физики. 2010. - Т. 36. №22. - С. 89-95.
Lundin W. V., Nikolaev A. E., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Usov S. O., Sizov V. S., Zakgeim A. L., Chernyakov A. E., Tsatsul’nikov A. F. High-Efficiency InGaN/GaN/AlGaN Light-Emitting Diodes with Short-Period InGaN/GaN Superlattice for 530–560 nm Range // Technical Physics Letters. 2010. - V.36. №11. - P. 1066-1068.
DOI: 10.1134/S1063785010110283.
Сизов В.С., Неплох В.В., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Минтаиров А.М., Merz J.L. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №12. - С. 1615-1623.
V.S. Sizov, V.V. Neploh, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, A.M. Mintairov, J.L. Merz Study of Tunneling Transport of Carriers in Structures with an InGaN/GaN Active Region // Semiconductors. 2010. - V.44. №12. - P. 1567–1575.
DOI: 10.1134/S1063782610120067.
Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Крыжановская Н.В., Лундин В.В., Сахаров А.В., Усов С.О., Брунков П.Н., Гончаров В.В., Черкашин Н.А., Hytch M. Формирование композитных квантовых точек InGaN/GaN/InAlN // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №10. - С. 1382-1386.
Tsatsul’nikov A.F., Zavarin E.E., Kryzhanovskaya N.V., Lundin W.V., Saharov A.V., Usov S.O., Brunkov P.N., Goncharov V.V., Cherkashin N.A., Hytch M. Formation of Composite InGaN/GaN/InAlN Quantum Dots // Semiconductors. 2010. - V.44. №7. - P. 1338-1341.
DOI: 10.1134/S1063782610100167.
В.С.Сизов, А.Ф.Цацульников, А.В.Сахаров, В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, Н.А.Черкашин, M.J.Hytch , А.Е.Николаев, А.М.Минтаиров , YanHe , J.L.Merz Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №7. - С. 955-961.
V.S. Sizov, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, N.A. Cherkashin, M.J. Hÿtch, A.E. Nikolaev, A.M. Mintairov, Yan He, J.L. Merz The Use of Short-Period InGaN/GaN Superlattices in Blue-Region Light-Emitting Diodes // Semiconductors, 2010, vol. 44, №7, pp. 924-930.
DOI: 10.1134/S106378261007016X.
Усов С.О., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Николаев А.Е., Синицын М.А., Трошков С.И., Леденцов Н.Н. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №7. - С. 981-985.
Usov S. O., Zavarin E. E., Tsatsulnikov A. F., Lundin V. V., Sakharov A. V., Nikolaev A. E., Sinitsyn M. A., Troshkov S. I., Ledentsov N. N. Structural and Optical Properties of InAlN/GaN Distributed Bragg Reflectors // Semiconductors, 2010, vol. 44, №7, pp. 949-953.
DOI: 10.1134/S1063782610070201.
Крыжановская Н.В., Лундин В.В., Николаев А.Е., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Павлов М.М., Черкашин Н.А., Вальковский Г.А., Яговкина М.А., Усов С.О. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №6. - С. 875-863.
Kryzhanovskaya N. V., Lundin W. V., Nikolaev A. E., Tsatsul’nikov A. F., Sakharov A. V., Pavlov M. M., Cherkachin N. A., Hÿtch M. J., Valkovsky G. A., Yagovkina M. A., Usov S. O. Optical and Structural Properties of InGaN/GaN Short-Period Superlattices for the Active Region of Light-Emitting Diodes // Semiconductors. 2010. - V.44. №6. - P. 828-834.
DOI: 10.1134/S1063782610060242.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Крыжановская Н.В., Синицын М.А., Сизов В.С., Закгейм А.Л., Мизеров М.Н. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN сверхрешетками // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №6. - С. 837-840.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Usov S. O., Nikolaev A. E., Kryzhanovskaya N. V., Synitsin M. A., Sizov V. S., Zakgeim A. L., Mizerov M. N. A Monolithic White LED with an Active Region Based on InGaN QWs Separated by Short-Period InGaN/GaN Superlattices // Semiconductors. 2010. - V.44. №6. - P. 808-811.
DOI: 10.1134/S1063782610060205.
Лундин В. В., Заварин Е. Е., Синицын М.А., Сахаров А. В., Усов С.О., Николаев А.Е., Давыдов Д.В., Черкашин Н.А., Цацульников А. Ф. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №1. - С. 126-129.
Lundin W. V., Zavarin E. E., Sinitsyn M. A., Sakharov A. V., Usov S. O., Nikolaev A. E., Davydov D. V., Cherkashin N. A., Tsatsulnikov A. F. Effect of Pressure in the Growth Reactor on the Properties of the Active Region in the InGaN/GaN Light-Emitting Diodes // Semiconductors. 2010. - V.44. №1. - P. 123-129.
DOI: 10.1134/S1063782610010215.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Николаев А.Е., Черкашин Н.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Мизеров М.Н., Hee Seok Park, Hytch M., Hue F. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440-470 нм // Физика и Техника Полупроводников. 2010. - Т. 44. №1. - С. 96-100.
Tsatsulnikov A. F., Lundin W. V., Sakharov A. V. , Zavarin E. E., Usov S. O. , Nikolaev A. E., Cherkashin N. A., Ber B. Ya., Kazantsev D. Yu., Mizerov M. N., Hee Seok Park, M. Hytch, Hue F. Active region based on graded-gap InGaN/GaN superlattices for high-power 440- to 470-nm light-emitting diodes // Semiconductors. 2010. - V.44. №1. - P. 93-97.
DOI: 10.1134/S1063782610010161.
Контроль поверхностных процессов в оптимизации роста III-N материалов / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.В. Яковлев, Р.А. Талалаев, А.В. Лобанова, А.С. Сегаль // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 15-16.
Мост через «зеленую долину». По пути к RGB источникам белого света / А.Ф. Цацульников, В.В Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.В. Крыжановская, М.А. Синицын, В.С. Сизов, Н.А. Черкашин, А.Е. Черняков, А.Л. Закгейм, М.Н. Мизеров // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 41-44.
Оптимизация активной области светодиодов на основе III-нитридов / В.С. Сизов, А.Ф Цацульников ,А.В. Сахаров ,В.В.Лундин ,Е.Е.Заварин , А.Е. Николаев // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 49-50.
Динамика кристаллической решетки сверхрешеточных структур GaN/AlN и GaN/AlGaN: теория и эксперимент / В.Ю. Давыдов, М.Б. Смирнов, Ю.Э. Китаев, А.Н. Смирнов, М.А. Яговкина, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 55-56.
InAlN/GaN и (AlN/GaN)/GaN гетероструктуры с двумерным электронным газом / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, М.А. Яговкина, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 117-118.
Использование диметилэтиаминалана как источника Al в нитридной МОГФЭ / А.Е. Баранов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, В.С. Сизов, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 129-130.
Создание распределенных брэгговских отражателей на основе гетероструктур InAlN/GaN и исследование их свойств / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Е. Николаев, С.И. Трошков, М.А. Яговкина, Е.В. Яковлев, Р.А. Талалаев, Д.В. Давыдов, А.В. Лобанова, Н.А. Черкашин, M.J. Hytch, П.Н. Брунков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 139-140.
Исследование оптических и структурных свойств распределенных брегговских отражателей на основе InAlN/GaN / С.О. Усов, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, М.А. Синицын, Н.В. Крыжановская, С.И. Трошков, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 141-142.
Исследование оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов / Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.Е.Николаев, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, Н.А. Черкашин, M. J. Hÿtch, Г.А. Вальковский, М.А. Яговкина, С.О. Усов // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 149-150.
Гетероструктуры InGaN/AlGaN для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона / М.М. Рожавская, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 159-160.
Использование слоев InAlN для оптического ограничения / А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, В.В. Лундин, Н.Ю. Гордеев, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 161-162.
Оптимизация инжекции носителей заряда в активную область мощных InGaN/GaN светодиодов синего диапазона / С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Н.В. Крыжановская, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 1 - 3 Февраля 2010г.). – Москва, 2010. – C. 241-242.
Композитные InAlN/GaN/InGaN гетероструктуры / А.Р. Губайдуллин, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, П.С. Копьев // Тезисы 12-ой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 25–29 октября 2010г.). – Санкт-Петербург, 2010. – C. 41-42.
Optical components for very short reach applications at 40 Gb/s and beyond. Ledentsov, N. N., Lott, J. A., Shchukin, V. A., Bimberg, D., Mutig, A., Germann, T. D., . . . Nadtochiy, A. M. Paper presented at the Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering, , 7597, (2010).
DOI: 10.1117/12.847330.
15 mW of continuous wave single transverse mode output power from planar 960 nm bottom-emitting VCSELs with multiple tapered oxide layers. Lott, J. A., Maleev, N. A., Kuzmenkov, A. G., Kulagina, M. M., Zadiranov, Y. M., Gladyshev, A. G., . . . Ustinov, V. M. Paper presented at the Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference, 162-163, (2010).
DOI: 10.1109/ISLC.2010.5642702.
High-speed 980-nm VCSELs for very short reach optical interconnects. Mutig, A., Lott, J. A., Blokhin, S. A., Moser, P., Wolf, P., Hofmann, W., . . . Bimberg, D. Paper presented at the Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference, 158-159, (2010).
DOI: 10.1109/ISLC.2010.5642704.
Highly temperature-stable modulation characteristics of multioxide-aperture high-speed 980 nm vertical cavity surface emitting lasers. Mutig, A., Lott, J. A., Blokhin, S. A., Wolf, P., Moser, P., Hofmann, W., . . . Bimberg, D. Applied Physics Letters, 97(15), 151101, (2010).
DOI: 10.1063/1.3499361.
Analysis of mechanisms of carrier emission in the p-i-n structures with in(ga)as quantum dots. Shatalina, E. S., Blokhin, S. A., Nadtochy, A. M., Payusov, A. S., Savelyev, A. V., Maximov, M. V., . . . Ustinov, V. M. Semiconductors, 44(10), 1308-1312, (2010).
DOI: 10.1134/S106378261010012X.
1.55 μm high-speed VCSELs enabling error-free fiber-transmission up to 25 Gbit/s. Müller, M., Hofmann, W., Nadtochiy, A., Mutig, A., Böhm, G., Ortsiefer, M., . . . Amann, M. Paper presented at the Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference, 156-157, (2010).
DOI: 10.1109/ISLC.2010.5642703.
High-speed 850 nm oxide-confined VCSELs for DATACOM applications. Mutig, A., Blokhin, S., Nadtochiy, A. M., Fiol, G., Lott, J. A., Shchukin, V. A., . . . Bimberg, D. Paper presented at the Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering, , 7615, (2010).
DOI: 10.1117/12.840950.
850 nm VCSEL operating error-free at 40 Gbit/s. Westbergh, P., Gustavsson, J. S., Kögel, B., Haglund, Å., Larsson, A., Mutig, A., . . . Bimberg, D. (2010). Paper presented at the Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference, 154-155, (2010).
DOI: 10.1109/ISLC.2010.5642706.
40Gbit/s error-free operation of oxide-confined 850nm VCSEL. Westbergh, P., Gustavsson, J. S., Kögel, B., Haglund, A., Larsson, A., Mutig, A., . . . Joel, A. Electronics Letters, 46(14), 1014-1016, (2010).
DOI: 10.1049/el.2010.1405.
Monolithic electro-optically modulated vertical cavity surface emitting laser with 10 Gb/s open-eye operation. Germann, T. D., Strittmatter, A., Mutig, A., Nadtochiy, A. M., Lott, J. A., Blokhin, S. A., . . . Bimberg, D. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 7(10), 2552-2554, (2010).
DOI: 10.1002/pssc.200983889.
Oxide confined 850 nm VCSELs for high speed datacom applications. Moser, P., Mutig, A., Lott, J. A., Blokhin, S., Fiol, G., Nadtochiy, A. M., . . . Bimberg, D. Paper presented at the Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering, 7720, (2010).
DOI: 10.1117/12.854276.
Optical anisotropy of InAs quantum dots. Blokhin, S. A., Nadtochiy, A. M., Krasivichev, A. A., Karachinsky, L. Y., Vasil'ev, A. P., Maximov, M. V., . . . Ustinov, V. M. Technical Physics Letters, 36(12), 1079-1081, (2010).
DOI: 10.1134/S1063785010120047.
«Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n-структурах с квантовыми точками In(Ga)As» Е.С.Шаталина, С.А.Блохин А.М.Надточий, А.С.Паюсов, А.В.Савельев, М.В.Максимов, А.Е.Жуков, Н.Н.Леденцов, А.Р.Ковш, С.С.Михрин, В.М.Устинов, Физика Техника Полупроводников, 44(10)б 1348-1352 (2010).
«Analysis of mechanisms of carrier emission in the p-i-n structures with In(Ga)As quantum dots» E.S.Shatalina, S.A.Blokhin, A.M.Nadtochy, A.S.Payusov, A.V.Savelyev, M.V.Maximov, A.E.Zhukov, N.N.Ledentsov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, V.M.Ustinov, Semiconductors 44 (10), 1308-1312 (2010).
DOI: 10.1134/S106378261010012X.
«Monolithic electro-optically modulated vertical cavity surface emitting laser with 10 Gb/s open-eye operation» T.D.Germann, A.Strittmatter, A.Mutig, A.M.Nadtochiy, J.A.Lott, S.A.Blokhin, L.Ya.Karachinsky, V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, U.W.Pohl, D.Bimberg, Physica Status Solidi C, 7(10), pp. 2552–2554 (2010).
DOI: 10.1002/pssc.200983889.
«Оптическая анизотропия InAs квантовых точек» С.А.Блохин, А.М.Надточий, А.А.Красивичев, Л.Я.Карачинский, А.П.Васильев, М.В.Максимов, А.Е.Жуков, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Письма в Журнал технической физики, т. 36(23), с. 24-30 (2010).
«Optical anisotropy of InAs quantum dots» S.A.Blokhin, A.M.Nadtochiy, A.A.Krasivichev, L.Ya.Karachinsky, A.P.Vasil’ev, M.V.Maximov, A.E.Zhukov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, Technical Physics Letters 36 (12), 1079-1081 (2010).
DOI: 10.1134/S1063785010120047.
S.A.Blokhin, A.Mutig, A.M.Nadtochiy, G.Fiol, J.A.Lott, V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, «Frequency response of oxide-confined 850 nm VCSELs», 18th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” St Petersburg, Russia, June 21–26, 2010.
«High-speed 850 nm oxide-confined VCSELs for DATACOM applications» A.Mutig, S.Blokhin, A.M.Nadtochiy, G.Fiol, J.A.Lott, V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov and D. Bimberg, Proceedings of SPIE 7615, 76150N.
Photonics West 2010, San Francisco, CA, 23-28 January 2010.
DOI: 10.1117/12.840950.
“Electro-optically modulated (EOM) distributed Bragg reflector (DBR) vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs)” J. A. Lott, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, Tim D. Germann, J.-H. Schulze, A. Strittmatter, A. Mutig, D. Bimberg, L. Ya. Karachinsky, S. A. Bokhin, Proceedings of SPIE 7597-27.
Photonics West 2010, San Francisco, CA, 23-28 January 2010.
Optical components for very short reach applications at 40 Gb/s and beyond» N.N.Ledentsov, J.A.Lott, V.A.Shchukina, D.Bimberg, A.Mutig, T.D.Germann, J.-R.Kropp, L.Y.Karachinsky, S.A.Blokhin, AM.Nadtochiy, « Proceedings of SPIE 7597, 75971F.
Photonics West 2010, San Francisco, CA, 23-28 January 2010.
DOI: 10.1117/12.847330.
S.A.Blokhin, A.Mutig, A.M.Nadtochiy, G.Fiol, L.Ya.Karachinsky, J.A.Lott, V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, «High-speed (up to 40 Gb/s) vertical cavity surface emitting lasers for short-distance optical interconnects», 14th International Conference "Laser Optics 2010", St.Petersburg, Russia, June 28 - July 02, 2010.
T. D. Germann, J.-H. Schulze, A. Mutig, S. A. Blokhin, J. A. Lott, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, U. W. Pohl, D. Bimberg, “Realization of Monolithic Electro-Optically Modulated Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers”, Proc. 15th ICMOVPE Lake Tahoe, NV 23-28 May 2010.
J. A. Lott, N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, A. Mutig, S. A. Blokhin, A. M. Nadtochiy, G. Fiol, and D. Bimberg, “850 nm VCSELs for up to 40 Gbit/s Short Reach Data Links”, Lasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference: 2010 Laser Science to Photonic Applications, CLEO/QELS 2010; San Jose, CA; United States; 16 -21 May 2010.
“Oxide confined 850 nm VCSELs for high speed datacom applications” P. Moser, A. Mutig, S. A. Blokhin, A. M. Nadtochy, G. Fiol, J. A. Lott, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, Proceedings of SPIE 7720, 772001W.
Photonics Europe, Brussels, Belgium, 12-16 April 2010.
DOI: 10.1117/12.854276.
“Directly and electrooptically-modulated Bragg reflector vertical cavity surface emitting lasers for high-speed and short-reach optical links”, Invited, J. A. Lott, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, T. D. Germann, J.-H. Schulze, A. Mutig, P. Moser, P. Wolf, G. Fiol, D. Bimberg, Proceedings of SPIE 7720.
Photonics Europe, Brussels, Belgium, 12-16 April 2010.
J.-H. Schulz, T. D. Germann, A. Mutig, A.M. Nadtochy, J. A. Lott, S. A. Blokhin1, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, U. W. Pohl, and D. Bimberg, “Monolithic electro-optically modulated vertical cavity surface emitting” HL 48.6 Semiconductor Lasers, German Physical Society Meeting, Regensburg, Germany, 22-26 March 2010.
A. Mutig, J. A. Lott, S. A. Blokhin, G. Fiol, A. M. Nadtochiy, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, “High speed VCSELs for short reach DATACOM applications” HL 14.6 Nanophotonics Devices, German Physical Society Meeting, Regensburg, Germany, 22-26 March 2010.
“Highly temperature-stable modulation characteristics of multioxide aperture high-speed 980 nm vertical cavity surface emitting lasers” A.Mutig, J.A.Lott, S.A.Blokhin, P.Wolf, P.Moser, W.Hofmann, A.M.Nadtochiy, A.Payusov, D.Bimberg, Applied Physics Letters 97 (15), 151101 (2010).
А. А. Красивичев, А. М. Надточий, С. А. Блохин, Л. Я. Карачинский, А. П. Васильев, М. В. Максимов, А.Е. Жуков, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, «Анизотропия оптических свойств квантовых точек In(Ga)As», Конференция по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада, Санкт-Петербург, 27—28 октября 2010 года.
А.С. Паюсов, А.М.Надточий, С.А. Блохин, М.В. Максимов, «Исследование высокочастотных свойств вертикально-излучающих лазеров диапазона 850 нм с оксидной апертурой», XII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 25—29 октября 2010 года.
С.А.Блохин, Л.Я.Карачинский, А.М.Надточий, М.В.Максимов, А.Мутиг, Г.Фиол, Д.Бимберг, Д.А.Лотт, В.А.Щукин, Н.Н.Леденцов, «Сверхскоростные оптические линии связи нового поколения на основе вертикально-излучающих лазеров диапазона 850 нмs», 2-ой Всероссийский симпозиум по полупроводниковым лазерам, Санкт-Петербург, 10-12 ноября 2010.
Н.А.Малеев, С.А.Блохин, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, «Мощные одномодовые и сверхбыстродействующие вертикально-излучающие лазеры», 2-ой Всероссийский симпозиум по полупроводниковым лазерам, Санкт-Петербург, 10-12 ноября 2010.
«Бистабильный режим генерации вертикально излучающего лазера с насыщающимся поглотителем» С.В.Федоров, С.А.Блохин, Л.Я.Карачинский, Оптика и спектроскопия, 109, 324-331, 2010.
«Bistable lasing of the vertical cavity surface emitting laser with a saturable absorber» S.V.Fedorov, S.A.Blokhin, L.Y.Karachinskiĭ, Optics and Spectroscopy 109 (2), 290-297 (2010).
DOI: 10.1134/S0030400X10080230.
V.M.Lantratov, S.A.Mintairov, S.A.Blokhin, N.A.Kalyuzhnyy, N.N.Ledentsov, M.V.Maximov, A.M.Nadtochiy, A.S.Pauysov, A.V.Sakharov, M.Z.Shvarts, «AlGaAs/GaAs photovoltaic cells with InGaAs quantum dots», 5th Forum on New Materials, part of CIMTEC 2010-12 International Ceramics Congress and 5th Forum on New Materials, Montecatini Terme, Italy, June 13-18, 2010.
AlGaAs/GaAs photovoltaic cells with InGaAs quantum dots V.M.Lantratov, S.A.Mintairov, S.A.Blokhin, N.A.Kalyuzhnyy, N.N.Ledentsov, M.V.Maximov, A.M.Nadtochiy, A.S.Pauysov, A.V.Sakharov, M.Z.Shvarts, Advances in Science and Technology, 74, 231-236 (2010).
DOI: 10.4028/www.scientific.net/AST.74.231.
DOI: 10.1134/ .
DOI: 10.1134/ .
В.В.Гончаров, М.Н.Корытов, П.Н.Брунков, В.В.Лундин, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, С.Г.Конников Исслодование формирования квантовых точек InGaN на поверхности GaN // Известия академии наук, серия физическая. 2009. - Т. 73. №1. - С. 40-42.
V.V. Goncharov, M.N. Korytov, P.N. Brunkov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul’nikov, S.G. Konnikov Study of the Formation of InGaN Quantum Dots on GaN Surface // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2009. - V.73. №1. - P. 36–38.
Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, В.С. Сизов, А.Ф. Цацульников Формирование индий-обогащенных островковых структур методом in-situ наномаскирования // Письма в Журнал Технической Физики. 2009. - Т. 35. №21. - С. 88-95.
Zavarin E.E.; Sakharov A.V., Lundin W.V., Davydov D.V., Sizov V.S., Brunkov P.N., Goncharov V.V., Tsatsulnikov A.F. Indium-rich island structures formed by in-situ nanomasking technology // Technical Physics Letters. 2009. - V.35. №11. - P. 1016-1019.
DOI: 10.1134/S1063785009110133.
Optimization of III-N heterostructures growth by MOVPE via surface processes control (Invited) / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.E. Nikolaev, A.V.Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.V. Lobanova, A.S. Segal // 13th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, 7-10 June 2009) // Booklet of Extended abstracts
Low-temperature growth kinetics in III-nitride and III-V MOVPE / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, V.M. Lantratov, N.A.Kalyuzhnyy, S.A.Mintairov, A.S. Segal, E.V. Yakovlev, O.V. Bord // 13th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, 7-10 June 2009) // Booklet of Extended abstracts
MOVPE growth and advanced characterization of InAlN/GaN distributed Bragg reflectors / W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Sinitsyn, A. V. Sakharov, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, S. I. Troshkov, M. A. Yagovkina, E. V. Yakovlev, R. A. Talalaev, D. V. Davydov, A. V. Lobanova, N. A. Cherkashin, M. J. Hytch, P. N. Brunkov, and A. F. Tsatsulnikov // 13th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, 7-10 June 2009) // Booklet of Extended abstracts
В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, Г.А. Михайловский, П.Н.Брунков, В.В.Гончаров, Б.Я.Бер, Д.Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN:Mg, выращенных методом МО ГФЭ // Физика и Техника Полупроводников. 2009. - Т. 43. №7. - С. 996-1001.
Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Nikolaev A.E., Mikhailovsky G.A., Brunkov P.N., Goncharov V.V, Ber B.Y., Kazantsev D.Y., Tsatsulnikov A.F., Effect of carrier gas and doping profile on the surface morphology of MOVPE grown heavily doped GaN:Mg layers // Semiconductors. 2009. - V.43. №7. - P. 963-967.
DOI: 10.1134/S1063782609070276.
Сахаров А. В., Лундин В. В., Заварин Е. Е., Синицын М. А., Николаев А. Е., Усов С. О., Сизов В. С., Михайловский Г. А., Черкашин Н. А., Hytch M., Hue F., Яковлев Е. В., Лобанова А.В., Цацульников А. Ф. Влияние релаксации напряжений на формирование активной области InGaN/(Al)GaN гетероструктур для светодиодов зеленого диапазона // Физика и Техника Полупроводников. 2009. - Т. 43. №6. - С. 841-846.
Tsatsulnikov A.F., Lundin W.V., Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Nikolaev A.E., Usov S.O., Sizov V.S., Mikhailovsky G.A., Cherkashin N.A., Hytch M., Hue F., Yakovlev E.V., Lobanova A.V., Tsatsulnikov A.F. Effect of strain relaxation on active-region formation in InGaN/(Al)GaN heterostructures for green LEDs // Semiconductors. 2009. - V.43. №6. - P. 812-817.
DOI: 10.1134/S1063782609060232.
В.С. Сизов, А. А. Гуткин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, П. Н. Брунков, А.Ф. Цацульников Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приборов на основе InGaN квантовых точек в матрице GaN или AlGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2009. - Т. 43. №6. - С. 836-840.
Sizov V.S., Gutkin A.A., Sakharov A.V., Lundin V.V., Brunkov P.N., Tsatsul`nikov A.F. Phase separation and nonradiative carrier recombination in active regions of light-emitting devices based on InGaN quantum dots in a GaN or AlGaN matrix // Semiconductors. 2009. - V.43. №6. - P. 807-811.
DOI: 10.1134/S1063782609060220.
Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Кютт Р.Н., Леденцов Н.Н. Оптические и рентгеноструктурные исследования многослойных структур на основе твердых растворов InGaN/GaN // Физика Твердого Тела. 2009. - Т. 51. №8. - С. 1523-1529.
Usov S. O., Tsatsul’nikov A. F., Zavarin E. E., Kyutt R. N., Ledentsov N. N. Optical and X-ray diffraction studies of multilayer structures based on InGaN/GaN solid solutions // Physics of the Solid State. 2009. - V.51(8). - P. 1615-1621.
DOI: 10.1134/S1063783409080162.
Создание светодиодов зеленого диапазона на основе соединений InGaN/GaN / С. О. Усов, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, Н. А. Черкашин, Н. Н. Леденцов // Тезисы конференции (школы‐семинара) по физике и астрономии для молодых ученых Санкт‐Петербурга и Северо‐запада «ФизикА.СПб» (Санкт-Петербург, 26–28 октября 2009г.). – Санкт-Петербург, 2009. – C. 66-68.
Surface monitoring of HEMT structures. Baranov, E. I., Ber, B. Y., Vasil'ev, A. P., Chernyakov, A. E., Kolmakov, A. G., Kazanthev, D. Y., . . . Yakimov, E. B. Superlattices and Microstructures, 45(4-5), 332-336, (2009).
DOI: 10.1016/j.spmi.2008.10.034.
22-Gb/s long wavelength VCSELs. Hofmann, W., Müller, M., Nadtochiy, A., Meltzer, C., Mutig, A., Böhm, G., . . . Chang-Hasnain, C. Optics Express, 17(20), 17547-17557, (2009).
DOI: 10.1364/OE.17.017547.
Oxide-confined 850 nm VCSELs operating at bit rates up to 40 Gbit/s. Blokhin, S. A., Lott, J. A., Mutig, A., Fiol, G., Ledentsov, N. N., Maximov, M. V., . . . Bimberg, D. Electronics Letters, 45(10), 501-503, (2009).
DOI: 10.1049/el.2009.0552.
Frequency response of large aperture oxide-confined 850 nm vertical cavity surface emitting lasers. Mutig, A., Blokhin, S. A., Nadtochiy, A. M., Fiol, G., Lott, J. A., Shchukin, V. A., . . . Bimberg, D. Applied Physics Letters, 95(13), (2009).
DOI: 10.1063/1.3231446.
AlGaAs/GaAs photovoltaic cells with an array of InGaAs QDs. Blokhin, S. A., Sakharov, A. V., Nadtochy, A. M., Pauysov, A. S., Maximov, M. V., Ledentsov, N. N., . . . Shvarts, M. Z. Semiconductors, 43(4), 514-518, (2009).
DOI: 10.1134/S1063782609040204.
«AlGaA/GaAs фотоэлектрические преобразователи с массивом InGaAs квантовых точек» С.А.Блохин, А.В.Сахаров, А.М.Надточий, А.С.Паюсов, М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов, А.Р.Ковш, С.С.Михрин, В.М.Лантратов, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, М.З.Шварц, Физика Техника Полупроводников, 43 (4), 537-542 (2009).
«AlGaAs/GaAs photovoltaic cells with an array of InGaAs QDs» S.A.Blokhin, A.V.Sakharov, A.M.Nadtochy, A.S.Pauysov, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, V.M.Lantratov, S.A.Mintairov, M.Z.Shvarts, Semiconductors 43 (4), 514-518 (2009).
DOI: 10.1134/S1063782609040204.
“Quantum dot insertions in VCSELs from 840 to 1300 nm: growth, characterization, and device performance” N.N.Ledentsov, J.A.Lott, V.A.Shchukin, H.Quast, F.Hopfer, G.Fiol, A.Mutig, P.Moser, T.Germann, A.Strittmatter, L.Y.Karachinsky, S.A.Blokhin, I.I.Novikov A.M.Nadtochi, N.D.Zakharov, P.Werner, D.Bimberg, Proceedings of SPIE 7224, 72240P (2009).
Photonics West 2009, 24-29 January 2009, San Jose, USA.
DOI: 10.1117/12.810192.
N. N. Ledentsov, J. A. Lott, V. A. Shchukin, F. Hopfer, G. Fiol, A. Mutig, D. Bimberg, S. A. Blokhin, L. Y. Karachinsky, I. I. Novikov, and A. M. Nadtochi[y], “Novel trends in high-speed VCSELs” (Invited Paper D2-2) Semiconductor Conference Dresden 2009, Dresden, Germany, 29-30 April 2009.
N. N. Ledentsov, J. A. Lott, V. A. Shchukin, A. Mutig, T. Germann, G. Fiol, D. Bimberg, S. A. Blokhin, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, and A. M. Nadtochiy, “Ultrafast nanophotonicdevices for optical interconnects”, Proc. Advanced Research Workshop (FTM-6) Future Trends in Microelectronics: Unmapped Roads, Sardinia, Italy, 14-19 June 2009.
“20 Gbit/s error free transmission with ~850 nm GaAs-based vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) containing InAs-GaAs submonolayer quantum dot insertions” J.A.Lott, V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, A.Stinz, F.Hopfer, A.Mutig, G.Fiol, D.Bimberg, S.A.Blokhin, L.Ya.Karachinskiy, I.I.Novikov, M.V.Maximov, N.D.Zakharov, P.Werner, Proceedings of SPIE 7211, 721114 (2009)
Photonics West 2009, 24-29 January 2009, San Jose, USA.
”Oxide-confined 850nm VCSELs operating at bit rates up to 40Gbit/s” S.A.Blokhin, J.A.Lott, A.Mutig, G.Fiol, N.N.Ledentsov, M.V.Maximov, A.M.Nadtochiy, V.A.Shchukin, D.Bimberg, Electronics Letters 45 (10), 501-503 (2009).
DOI: 10.1049/el.2009.0552.
S.A.Blokhin, A.V.Sakharov, A.M.Nadtochiy, A.S.Pauysov, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, V.M.Lantratov, S.A.Mintairov, N.A.Kaluzhniy, M.Z.Shvarts, “AlGaAs/GaAs photovoltaic cells with InGaAs quantum dots”, Proceedings of 17th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 22–27 June, 2009, Minsk, Belarus, pp.270-271, (устный/oral).
D. Bimberg, S. A. Blokhin, A. Mutig, A. M. Nadtochiy, G. Fiol, P. Moser, D. Arsenijević, F. Hopfer, V. A. Shchukin, J. A. Lott, and N. N. Ledentsov, “Nano-VCSELs for the terabus”, 17th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, Minsk, Belarus, 22-27 June 2009.
S.A.Blokhin, J.A.Lott, G.Fiol, N.N.Ledentsov, M.V.Maximov, A.Mutig, A.M.Nadtochiy, L.Ya.Karachinsky, I.I.Novikov, V.A.Shchukin and D.Bimberg, “High-speed (~40Gbit/s) oxide-confined 850nm VCSELs”, доклад на конференции 17th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 22–27 June 2009, Minsk, Belarus, (стенд/poster).
N.N.Ledentsov, J.A.Lott, V.A.Shchukin, A.Mutig, G.Fiol, D.Bimberg, S.A.Blokhin, L.Y.Karachinsky, A.M.Nadtochi, “Ultra-high speed components for data network”, iNOW2009 International Nano-optoelectronics workshop 2009, 2-15 August 2009, Stockholm (Sweden) and Berlin (Germany), pp.91-92.
T.D.Germann, A.Strittmatter, A.Mutig, A.M.Nadtochi, J.A.Lott, S.A.Blokhin, L.Y.Karachinsky V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, “Development of an electro-optically modulated vertical cavity surface emitting laser demonstrating 10Gb/s open-eye operation”, iNOW2009 International Nano-optoelectronics workshop 2009, 2-15 August 2009, Stockholm (Sweden) and Berlin (Germany), pp.181-182.
P. Moser, A. Mutig, G. Fiol, D. Arsenijevic, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, F. Hopfer and D. Bimberg, "High temperature stable 980 nm VCSEL: 20 Gbit/s operation at 120 °C", International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW), Stockholm-Berlin, August 2009.
Ledentsov, F. Hopfer and D. Bimberg, "Small signal analysis of high temperature stable 980 nm VCSELs", International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW), Stockholm-Berlin, August 2009
P.Wolf, S.A.Blokhin, J.A.Lott, A.Mutig, G.Fiol, N.N.Ledentsov, A.M.Nadtochi, V.A.Shchukin, D.Bimberg, “40Gb/s operation of 850nm VCSELs”, iNOW2009 International Nano-optoelectronics workshop 2009, 2-15 August 2009, Stockholm (Sweden) and Berlin (Germany), pp.305-306.
Л.Я.Карачинский, С.А.Блохин, Д.А.Лотт, М.В.Максимов, А.Мутиг, А.М.Надточий, И.И.Новиков, В.А.Щукин, Д.Бимберг, Н.Н.Леденцов, «Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм со скоростью передачи данных 39 Гбит/с», приглашенный доклад на конференции IX Российская Конференция по Физике Полупроводников, 28 Сентября–3 Октября 2009, Новосибирск–Томск, Россия, (приглашенный/Invited, устный/oral).
С.А.Блохин, В.М.Лантратов, М.З.Шварц, А.Р.Ковш, М.В.Максимов, А.М.Надточий, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, Н.Н.Леденцов, «In(Ga)As квантовые точки как активная среда для фотоэлектрических преобразователей в системе материалов AIIIBV», IX Российская Конференция по Физике Полупроводников, 28 Сентября – 3 Октября , 2009, Новосибирск - Томск, Россия, стр.235, (стенд/poster).
С.А.Блохин, А.М.Надточий, Л.Я.Карачинский, И.И.Новиков, М.В.Максимов, А.Мутиг, Г.Фиол, Д.Бимберг, Д.А.Лотт, В.А.Щукин и Н.Н.Леденцов, «Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с для новых поколений линий оптической связи», МЕЖДУНАРОДНЫЙ ФОРУМ по НАНОТЕХНОЛОГИЯМ Rusnanotech, 6–8 Октября 2009, Москва, Россия, (стенд/poster).
А.М.Надточий, С.А.Блохин, И.И.Новиков, М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов, «Вертикально излучающий лазер на основе субмонослойных квантовых точек InAs/AlGaAs диапазона 850 нм для высокоскоростной (20 Гб/c) передачи данных», Конференция по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада, Санкт-Петербург, 29—30 октября 2009 года.
Е.С.Шаталина, А.С.Паюсов, М.В.Максимов, А.М.Надточий, С.А.Блохин, «Сравнительный анализ механизмов эмиссии носителей из In(Ga)As квантовых точек», Конференция по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада, Санкт-Петербург, 29—30 октября 2009 года.
С.А.Блохин, А.М.Надточий, Е.С.Шаталина, А.С.Паюсов, М.В.Максимов, С.А.Минтаиров, Н.А.Калюжный, В.М.Лантратов, Н.Н.Леденцов, «AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур с вертикально-связанными InGaAs квантовыми точками», Конференция по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада, Санкт-Петербург, 29—30 октября 2009 года.
T. D. Germann, A. Strittmatter, A. Mutig, A. M. Nadtochiy, J. A. Lott, S. A. Blokhin, L. Ya. Karachinsky, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, U. W. Pohl, and D. Bimberg, “Monolithic electro-optically modulated vertical cavity surface emitting laser with 10 Gb/s open-eye operation”, 36th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2009), Santa Barbara, CA, 30 August - 02 September 2009.
A.Mutig, S.A.Blokhin, A.M.Nadtochiy, G.Fiol, J.A.Lott, V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, ”Frequency response of large aperture oxide-confined 850 nm vertical cavity surface emitting lasers”, Applied Physics Letters 95(13), 131101 (2009).
DOI: 10.1063/1.3231446.
«Генерация π-мод в полупроводниковых поверхностно-излучающих лазерах с вертикальным резонатором» Г.С.Соколовский, В.В.Дюделев, А.М.Монахов, А.Ю.Савенко, С.А.Блохин, А.Г.Дерягин, С.А.Золотовская, А.Г.Кузьменков, С.Н.Лосев, В.В.Лучинин, Н.А.Малеев, Э.У.Рафаилов, В.Сиббет, В.И.Кучинский, Письма в Журнал Технической Физики, 35 (12), 20-27 (2009).
«Generation of π-modes in semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers» G.S.Sokolovskii, V.V.Dudelev, A.M.Monakhov, A.Yu.Savenko, S.A.Blokhin, A.G.Deryagin, S.A.Zolotovskaya, A.G.Kuzmenkov, S.N.Losev, V.V.Luchinin, N.A.Maleev, E.U.Rafailov, W.Sibbett, V.I.Kuchinskii, Technical Physics Letters 35 (12), 1133-1136 (2009)
DOI: 10.1134/S1063785009120189.
Лабораторная MOVPE установка для III-N соединений Постановка задачи и опыт создания / В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, А. Е. Николаев, Д. В. Давыдов, А. Ф. Цацульников // Тезисы докладов Международного семинара по опто- и наноэлектронике (С-Петербург, 27 октября 2008 г.). – С-Петербург, 2008. – C. 46.
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, Е.Ю. Лундина, А.В. Сахаров, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках // Письма в Журнал Технической Физики. 2008. - Т. 34. №21. - С. 39-45.
W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Sinitsyn, A. E. Nikolaev, E. Yu. Lundina, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul’nikov InGaAlN Heterostructures for LEDs Grown on Patterned Sapphire Substrates // Technical Physics Letters. 2008. - V.34. №11. - P. 924–926.
DOI: 10.1134/S1063785008110072.
В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, М.А.Синицын, М.А.Яговкина, А.Ф.Цацульников Газофазная эпитаксия нитрида алюминия из триметилалюминия и молекулярного азота // Письма в Журнал Технической Физики. 2008. - Т. 34. №21. - С. 7-14.
W.V. Lundin, E.E.Zavarin, M.A.Sinitsyn, M.A.Yagovkina, A.F.Tsatsul’nikov Vapor phase epitaxy of aluminum nitride from trimethylaluminum and molecular nitrogen // Technical Physics Letters. 2008. - V.34. №11. - P. 908–911.
DOI: 10.1134/S1063785008110023.
MOVPE of AlN using molecular nitrogen as nitrogen precursor / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, M.A.Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov // Proceedings of the 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Metz, France, 1-6 June 2008). – Metz, 2008.
W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.E. Nikolaev, E.Yu. Lundina, A.V.Sakharov, A.F. Tsatsulnikov Formation of textured sapphire substrates by self-arrangement process and wet etching for InGaAlN LEDs, Proceedings of the 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Metz, France, 1-6 June 2008) // Journal of Crystal Growth. 2008. - V. 310. №23. - P. 5151-5153.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.055.
E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.V. Kondratyev, A.S. Segal, A.V. Lobanova, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsulnikov, A.E. Nikolaev Hydrogen effects in III-nitride MOVPE, Proceedings of the 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Metz, France, 1-6 June 2008) // Journal of Crystal Growth. 2008. - V. 310. №23. - P. 4862-4866.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.099.
A. Kondratyev, R. Talalaev, A. Segal1, E. Yakovlev, W. Lundin, E. Zavarin, M. Sinitsyn, A. Tsatsulnikov, A.E. Nikolaev Effect of Metallic Surface Coverage on Material Quality in III-Nitride MOVPE // Physica Status Solidi (c). 2008. - V. 5. №6. - P. 1691-1694.
DOI: 10.1002/pssc.200778589.
Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Леденцов Н.Н. Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2008. - Т. 42. №6. - С. 736-741.
Usov S. O., Tsatsul’nikov A. F., Lundin V. V., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Sinitsyn M. A., Ledentsov N. N. Energy Characteristics of Excitons in Structures Based on InGaN Alloys // Semiconductors. 2008. - V.42. №6. - P. 720-725.
DOI: 10.1134/S1063782608060146.
В.В.Лундин, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, А.Ф.Цацульников Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на стенках мезаполосков // Физика и Техника Полупроводников. 2008. - Т. 42. №2. - С. 233-238.
W.V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul’nikov Effect of hydrogen on anisotropy of the p -GaN growth rate in the case of side-wall MOCVD // Semiconductors. 2008. - V.42. №2. - P. 232-237.
DOI: 10.1134/S1063782608020218.
Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Леденцов Н.Н. Фотолюминесценция локализованных экситонов в квантовых точках InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2008. - Т. 42. №2. - С. 187-191.
Usov S. O., Tsatsul’nikov A. F., Lundin W.V., Sakharov A. V., Zavarin E. E., Ledentsov N. N. Photoluminescence of localized excitons in InGaN quantum dots // Semiconductors. 2008. - V.42. - P. 188-191.
DOI: 10.1134/S1063782608020115.
В.С.Сизов, А.Ф.Цацульников, В.В.Лундин Нановключения InGaN в матрице AlGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2008. - Т. 42. №7. - С. 804-809.
V. S. Sizov, A. F. Tsatsul’nikov, V. V. Lundin Energy InGaN Nanoinclusions in an AlGaN Matrix // Semiconductors. 2008. - V.42. №7. - P. 788–793.
DOI: 10.1134/S1063782608070075.
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, Е.Ю. Лундина, А.В. Сахаров, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 35-36.
МО ГФЭ AlN из триметилалюминия и молекулярного азота / В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, М.А.Синицын, М.А.Яговкина, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 33-34.
Влияние водорода на рост нитридов методом МО ГФЭ / Е.В. Яковлев, Р.А. Талалаев, А.С. Сегаль, А.В. Лобанова, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Ф. Цацульников, А.Е. Николаев // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 61-62.
О роли водорода в формировании эпитаксиальных слоев GaN / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, Н.А. Черкашин, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 65-66.
Ультрафиолетовые светодиоды, выращенные на подложках AlN / В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, М.А.Синицын, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, А.Ф.Цацульников, Т.Ю.Чемекова, Е.Н.Мохов, О.В. Авдеев, С.С. Нагалюк, Ю.Н. Макаров // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 100-101.
Исследования транспорта носителей и безызлучательной рекомбинации в слоях квантовых точек InGaN/GaN(AlGaN) / В.С. Сизов, А. В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В. В. Лундин // Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (С-Петербург, 18-20 Июня 2008г.). – С-Петербург, 2008. – C. 200-201.
Energy characteristics of excitons in InGaN/GaN heterostructures / S.O. Usov, A.F. Tsatsul’nikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, N.N. Ledentsov // Proceedings of the SPIE Photonics Europe 2008 (Strasbourg, France, 7-10 April, 2008) // SPIE Proceedings. Optical Micro- and Nanometrology in Microsystems Technology II. 25 April 2008. - V. 6995. - P. 699515/1-12.
DOI: 10.1117/12.780789.
Usov S.O., Tsatsul’nikov A.F., Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Ledentsov N.N. Studies of Photoluminescence Spectra of InGaN/GaN Heterostructures / Photoluminescence Research Progress // Edited by Harry K. Wright and Grace V. Edwards. - Nova Science Publishers Inc., 2008. P. 307-323. Chap. 7. ISBN 978-1-60456-538-6.
High-spatial-resolution near-field photoluminescence and imaging of whispering-gallery modes in semiconductor microdisks with embedded quantum dots. Mintairov, A. M., Chu, Y., He, Y., Blokhin, S., Nadtochy, A., Maximov, M., . . . Merz, J. L. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 77(19), (2008).
DOI: 10.1103/PhysRevB.77.195322.
Methods of controlling the emission wavelength in InAs/GaAsN/InGaAsN heterostructures on GaAs substrates. Mamutin, V. V., Egorov, A. Y., Kryzhanovskaya, N. V., Mikhrin, V. S., Nadtochy, A. M., & Pirogov, E. V. Semiconductors, 42(7), 805-812, (2008).
DOI: 10.1134/S1063782608070105.
Effect of structural design on the optical properties of strain-compensated InAs/InGaAsN/GaAsN superlattices. Mamutin, V. V., Egorov, A. Y., Kryzhanovskaya, N. V., Nadtochy, A. M., & Payusov, A. S. Technical Physics Letters, 34(2), 146-149, (2008).
DOI: 10.1007/s11455-008-2018-2.
Effect of excitation level on the optical properties of GaAs/AlGaO microdisks with an active region containing InAs quantum dots. Nadtochiy, A. M., Blokhin, S. A., Sakharov, A. V., Kulagina, M. M., Zadiranov, Y. M., Gordeev, N. Y., . . . Bimberg, D. Semiconductors, 42(10), 1228-1233, (2008).
DOI: 10.1134/S1063782608100151.
“High-spatial-resolution near-field photoluminescence and imaging of whispering-gallery modes in semiconductor microdisks with embedded quantum dots” A.M.Mintairov, Y.Chu, Y.He, S.Blokhin, A.Nadtochy, M.Maximov, V.Tokranov, S.Oktyabrsky, J.L.Merz, Physical Review B, 77, 195322 (2008).
DOI: 10.1103/PhysRevB.77.195322.
“Single lobe single wavelength lasing in ultra-broad area vertical cavity surface-emitting lasers based on the integrated filter concept” S.A.Blokhin, L.Ya.Karachinsky, I.I.Novikov, N.Yu.Gordeev, A.V.Sakharov, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, Yu.M.Shernyakov, M.V.Maximov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, D.Bimberg, Journal of Quantum Electronics, 44, 724-731 (2008).
DOI: 10.1109/JQE.2008.923551.
«Влияние уровня возбуждения на оптические свойства GaAs-AlGaO-микродиска на основе InAs квантовых точек» А.М.Надточий, С.А.Блохин, А.В.Сахаров, М.М.Кулагина, Ю.М.Задиранов, Н.Ю.Гордеев, М.В.Максимов, В.М.Устинов, Н.Н.Леденцов, Е.Шток, Т.Варминг, Д.Бимберг, Физика Техника Полупроводников, 42(10), 1252-1257 (2008).
«Effect of excitation level on the optical properties of GaAs/AlGaO microdisks with an active region containing InAs quantum dots» A.Nadtochy, S.A.Blokhin, A.V.Sakharov, M.M.Kulagina, Yu.M.Zadiranov, N.Yu.Gordeev, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, N.N.Ledentsov, E.Stock, T.Warming, D.Bimberg, Semiconductors 42, 1228-1233 (2008).
DOI: 10.1134/S1063782608100151.
“Characteristics of InGaAs Submonolayer Quantum-Dot and InAs Quantum-Dot Photonic-Crystal Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers” Yang, H.-P.D.; I-Chen Hsu; Ya-Hsien Chang; Fang-I Lai; Hsin-Chieh Yu; Lin, G.; Ru-Shang Hsiao; Maleev, N.A.; Blokhin, S.A.; Hao-Chung Kuo, Chi, J.Y, Journal of Lightwave Technology, 26 (11), 1387 – 1395 (2008).
DOI: 10.1134/S1063782608100151.
Usov S.O., Tsatsulnikov A.F., Lundin V.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Sizov D.S., Musikhin Yu.G., Bert N.A., Arakcheeva E.M., Ledentsov N.N. Analysis of the local indium composition in an ultrathin InGaN layers // Semicond. Sci. Technol. 2007. - V. 22. - P. 528-532.
DOI: 10.1088/0268-1242/22/5/012.
Анализ опыта запуска и эксплуатации полупромышленной MOVPE устновки AIX2000HT В ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 163-164.
Создание установки для выращивания III-N соединений методом ГФЭМОС / Заварин Е.Е., Лундин В.В., Синицын М.А., Цацульников А.Ф. // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 16-17.
Исследование температурных зависимостей спектров фотолюминесценции квантовых точек InGaN / С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Е.М. Аракчеева, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 137-138.
Sizov D.S., Sizov V.S., Lundin V.V., Zavarin E.E., Tsatsul`nikov A.F., Musikhin Yu.G., Vlasov A.S., Ledentsov N.N., Mintairov A.M., Sun K., Merz J. Investigations of InGaN/GaN and InGaN/InGaN QDs grown in a wide pressure MOCVD reactor // International Journal of Nanoscience. 2007. - V.6. №5. - P. 327-332.
DOI: 10.1142/S0219581X07004882.
Non-polar a-(In)GaN heterostructures / W.V.Lundin, E.E.Zavarin, A.E.Nikolaev, M.A.Sinitsyn, A.V.Sakharov, D.S.Sizov, R.A. Talalaev , A.V. Lobanova, and A.F.Tsatsulnikov // 12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Booklet of Extended abstracts (Bratislava, Slovakia, 3-6 June, 2007). – Bratislava, 2007. – PP. 57-60.
MOVPE growth of III-N heterostructures for optoelectronic and electronic applications on SiC substrates / W.V.Lundin, A.E.Nikolaev, E.E.Zavarin, M.A.Sinitsyn, A.V.Sakharov, A.F.Tsatsulnikov // 12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Booklet of Extended abstracts (Bratislava, Slovakia, 3-6 June, 2007). – Bratislava, 2007. – PP. 147-149.
Исследование свойств высокосоставных InGaN нановключений в матрице AlGaN / В.С. Сизов, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 135-136.
Сенсибилизация излучения и механизмы миграции электронных возбуждений в квантовых ямах InGaN/GaN, легированных Eu. / В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, В.В. Лундин // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 129-130.
Гетероструктуры InGaAlN для HEMT-транзисторов / А.В.Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е.Заварин, М.А.Синицин, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 46-47.
Структуры на основе нитрида галлия для оптоэлектроники и микроэлектроники / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, Д.С. Сизов, М.А. Синицын // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 39-40.
Неполярные a-(In)GaN гетероструктуры / Е.Е.Заварин, В.В.Лундин, М.А.Синицын, А.Е.Николаев, А.В.Сахаров, Д.С.Сизов, М.М.Кулагина, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 22-23.
Разработка технологии выращивания эпитаксиальных III-N структур на SiC подложках для синих светодиодов методом MOCVD / В.В. Лундин, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 14-15.
Исследование температурных зависимостей спектров фотолюминесценции квантовых точек InGaN / С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Е.М. Аракчеева, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Москва, 31 января–2 февраля 2007г.). – Москва, 2007. – C. 137-138.
Д.С.Сизов, Е.Е.Заварин, Н.Н.Леденцов, В.В.Лундин, Ю.Г.Мусихин, В.С.Сизов, Р.А.Сурис, А.Ф.Цацульников Неравновесная заселенность носителей в структурах с глубокими квантовыми точками InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2007. - Т. 41. №5. - С. 595-608.
D. S. Sizov, E. E. Zavarin, N. N. Ledentsov, V. V. Lundin, Yu. G. Musikhin, V. S. Sizov, R. A. Suris, A. F. Tsatsul’nikov Nonequilibrium Population of Charge Carriers in Structures with InGaN Deep Quantum Dots // Semiconductors. 2007. - V.41. №5. - P. 595–589.
DOI: 10.1134/S1063782607050193.
Усов С.О. Эффекты локализации экситонов в квантовых точках InGaN // Сборник Международной зимней школы по физике полупроводников / Научные сообщения молодых ученых (С.-Петербург, Зеленогорск, 1 - 5 марта 2007г.). – Зеленогорск, 2007. – C. 19-20.
The impact of thermal effects on emission characteristics of asymmetrical AlGAO-waveguide microdisks based on quantum dots. Blokhin, S. A., Sakharov, A. V., Nadtochy, A. M., Kulagina, M. M., Zadiranov, Y. M., Gordeev, N. Y., . . . Bimberg, D. Applied Physics Letters, 91(12), (2007).
DOI: 10.1063/1.2785127.
“Impact of thermal effects on performance of vertical-cavity surface-emitting lasers based on sub-monolayer InGaAs quantum dots” S.A.Blokhin, A.V.Sakharov, N.A.Maleev, M.M.Kulagina, Y.M.Shernyakov, I.I.Novikov, N.Yu.Gordeev, M.V.Maximov, A.G.Kuzmenkov, V.M.Ustinov, N.N.Ledentsov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, G.Lin, J.Y.Chi, Semiconductor Science and Technology , 22, 203-208 (2007).
DOI: 10.1088/0268-1242/22/3/005.
“MBE-grown ultra-large aperture single-mode vertical-cavity surface-emitting laser with all-epitaxial filter section” S.A.Blokhin, L.Ya.Karachinsky, I.I.Novikov, S.M.Kuznetsov, N.Yu.Gordeev, Y.M.Shernyakov, A.V.Savelyev, M.V.Maximov, A.Mutig, F.Hopfer, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, I.L.Krestnikov, D.A.Livshits, V.M.Ustinov, V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, Journal of Crystal Growth, 301-302, 945-950 (2007).
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.309.
“Beam profile characteristics of InGaAs sub-monolayer quantum-dot photonic-crystal VCSELs” H.P.D.Yang, I-C.Hsu, F.-I.Lai, G.Lin, R.-S.Hsiao, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, H.-C.Kuo, J.Y.Chi, Optics Communicationы, 274, 94-99 (2007).
DOI: 10.1016/j.optcom.2007.01.063.
«Использование пространственно-упорядоченных массивов травленых отверстий для создания одномодовых вертикально-излучающих лазеров на основе субмонослойных InGaAs квантовых точек» А.Г.Кузьменков, С.А.Блохин, Н.А.Малеев, А.В.Сахаров, В.Г.Тихомиров, М.В.Максимов, В.М.Устинов, А.Р.Ковш, С.С.Михрин, Н.Н.Леденцов, H.P.D.Yang, G.Lin, R.S.Hsiao, J.Y.Chi, Физика Техника Полупроводников, 41(10), 1241-1246 (2007).
«The use of spatially ordered arrays of etched holes for fabrication of single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on submonolayer InGaAs quantum dots» A.G.Kuzmenkov, S.A.Blokhin, N.A.Maleev, A.V.Sakharov, V.G.Tikhomirov, M.V.Maksimov, V.M.Ustinov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, N.N.Ledentsov, H.P.D.Yang, G.Lin, R.S.Hsiao, J.Y.Chi, Semiconductors 41, 1224-1229 (2007).
DOI: 10.1134/S1063782607100181.
“The impact of thermal effects on emission characteristics of asymmetrical AlGAO-waveguide microdisks based on quantum dots” S.A.Blokhin, A.V.Sakharov, A.M.Nadtochy, M.M.Kulagina, Yu..M.Zadiranov, N.Yu.Gordeev, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, N.N.Ledentsov, E.Stock, T.Warming, D.Bimberg, Applied Physics Letters, 91, 121108 (2007).
DOI: 10.1063/1.2785127.
“Self-sustained pulsation in the oxide-confined vertical-cavity surfaceemitting lasers based on submonolayer InGaAs quantum dots” A.G.Kuzmenkov, V.M.Ustinov, G.S.Sokolovskii, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, A.G.Deryagin, S.V.Chumak, А.S.Shulenkov, S.S.Mikhrin, A.R.Kovsh, A.D.Mc Robbie, W.Sibbett, M.A.Cataluna, E.U.Rafailov, Applied Physics Letters, 91, 121106 (2007).
DOI: 10.1063/1.2784937.
“Characteristics of Broad-Area InGaAs Submonolayer Quantum-Dot Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers” H.P.D. Yang, I-C. Hsu, F.-I.Lai, G.Lin, R.-S.Hsiao, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, H.-C.Kuo, J.Y.Chi, Japan Journal of Applied Physics, 46, 6670-6672 (2007)
DOI: 10.1143/JJAP.46.6670.
“High-Power Single-Mode Submonolayer Quantum-Dot Photonic Crystal Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers” F.-I.Lai, H.P.D.Yang, G.Lin, I-C.Hsu, J.-N.Liu, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, H.C.Kuo, J.Y.Chi, Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 13, 1318-1323 (2007).
DOI: 10.1109/JSTQE.2007.906352.
S.A.Blokhin, A.V.Sakharov, A.M.Nadtochy, N.Yu.Gordeev, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, N.N.Ledentsov, E.Stock, D.Bimberg, “The impact of thermal effects on emission characteristics of AlGAO-waveguide microdisks based on quantum dots”, Proceedings Int. Workshop on Quantum Dots and Laser Applications, 12–14 July, 2007, Wroclaw, Poland, pp.49 (устный/oral).
С.А.Блохин, А.М.Надточий, А.Г.Гладышев, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, В.С.Михрин, М.В.Максимов, В.М.Устинов, Р.Л.Голяка, М.А.Москаленко, «Исследование оптических свойств InAs/InGa(Al)As квантовых точек, осажденных в метаморфную матрицу InGaAs», VIII Международный Украинско-Российский Семинар «Нанофизика и Наноэлектроника», 7–8 декабря, 2007, Киев, Украина, стр.66 (устный/oral).
G.S.Sokolovskii, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, S.A.Blokhin, A.D.McRobbie, M.A.Cataluna, A.G.Deryagin, S.V.Chumak, A.S.Shulenkov, S.S.Mikhrin, A.R.Kovsh, V.I.Kuchinskii, V.M.Ustinov, W.Sibbett, E.U.Rafailov, “Self-sustained pulsation and signal peaking in the oxide-confined VCSELs based on submonolayer InGaAs quantum dots”, CB7-6-WED, Int. Conf. on Lasers and Electro-Optics (CLEO-Europe), Munich, Germany, 17-22 June 2007. (устный/oral).
W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, M.A. Sinitsin, A.F. Tsatsul’nikov, A.V. Kondratyev, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev Effects of reactor pressure and residence time on GaN MOVPE growth efficiency // Journal of Crystal Growth. 2006. - V. 287. №2. - P. 605-609.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.084.
В.С.Сизов, Д.С.Сизов, Г.А.Михайловский, Е.Е.Заварин, В.В.Лундин, А.Ф.Цацульников, Н.Н.Леденцов Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной области // Физика и Техника Полупроводников. 2006. - Т. 40. №5. - С. 589-596.
V. S. Sizov, D. S. Sizov, G. A. Mikhailovskiœ, E. E. Zavarin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul’nikov, N. N. Ledentsov The Study of Lateral Carrier Transport in Structures with InGaN Quantum Dots in the Active Region // Semiconductors. 2006. - V.40. №5. - P. 574–580.
DOI: 10.1134/S1063782606050113.
Баранов Е.Е., Емельянов А.М., Лундин В.В., Петров В.Н., Сахаров В.И., Соболев Н.А., Титков А.Н., Шеек Е.И., Шмидт Н.М. Корреляция люминесцентных свойств с изменением характера структурной организации в сверхрешетках AlGaN/GaN после имплантации ионов эрбия и отжига // Журнал Технической Физики. 2006. - Т. 76. №12. - С. 61-64.
Baranov E.E., Emel`yanov A.M., Lundin W.V., Petrov V.N., Sakharov V.I., Serenkov I.T., Sobolev N.A., Titkov A.N., Shek E.I., Shmidt N.M. Correlation between luminescent properties and structure organization in AlGaN/GaN superlattices annealed after erbium ion implantation // Technical Physics. 2006. - V.51. №12. - P. 1600–1603.
DOI: 10.1134/S1063784206120085.
Single versus ensemble quantum dot emission in near-field spectra of InGaN QWs / A. M. Mintairov, J. L. Merz, D. S. Sizov, V. S. Sizov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Vlasov, N. N. Ledentsov // Proceedings of the 14th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 26-30 June, 2006).
Nonequilibrium carrier statistics in deep InGaN quantum dots / D. S. Sizov, W. V. Lundin, E. E. Zavarin, V. S. Sizov, A. F. Tsatsul'nikov, A. M. Mintairov, R. A. Suris, N. N. Ledentsov and J. Merz // Proceedings of the 14th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 26-30 June, 2006).
Investigations of a local indium composition in an ultrathin InGaN layers / S.O. Usov, A.F. Tsatsulnikov, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, E.M. Arakcheeva, N.N. Ledentsov // Proceedings of the 14th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 26-30 June, 2006) // P. 281-282.
Passivation of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure by a nano-crystalline GaN layer deposited under electron cyclotron resonance plasma conditions / S. Shapoval, A. Kovalchuk, V. Sirotkin, V. Zemlyakov, V. Krasnik, K. Dudinov, V. Lundin, E. Zavarin, A. Sakharov, A. Tsatsulnikov, V. Ustinov // Proceedings of the 14th International Symposium. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 26-30 June, 2006).
Mintairov A.M., Merz J.L., Sizov D.S., Sizov V.S., Lundin V.V., Usov S.O., Zavarin E.E., Tsatsul’nikov A.F., Musikhin Yu. G., Vlasov A.S., Ledentsov N.N. Near-field photoluminescence spectroscopy of InGaN quantum dots // Material Research Society Symposium Proceedings. 2006. - V. 892 - P. 843-848.
DOI: 10.1557/PROC-0892-FF32-06.
Onushkin G.A., Zakgeim A.L., Zakgeim D.A., Rozhansky I.V., Tsatsulnikov A.F., Lundin W.V., Sizov D.S. Micro-EL studying of high power blue LEDs // Physica Status Solidi (C). 2006. - V. 3. №6. - P. 2149-2152.
DOI: 10.1002/pssc.200565161.
Sizov D.S., Sizov V.S., Lundin V.V., Zavarin E.E., Tsatsul`nikov A.F., Vlasov A.S., Musikhin Yu.G., Ledentsov N.N., Mintairov A.M., Sun K., Merz J. Localization of non-equilibrium carriers in deep InGaN quantum dots and its impact on the device performance // Physica Status Solidi (a). 2006. - V. 3. №6. - P. 2043–2047.
DOI: 10.1002/pssc.200565465.
Усов С.О. Кластеры индия в структурах с InGaN квантовыми ямами и квантовыми точками // Сборник Международной зимней школы по физике полупроводников / Научные сообщения молодых ученых (С.-Петербург, Зеленогорск, 24 - 27 февраля 2006г.). – Зеленогорск, 2006. – C. 17-18.
Comparative study of GaAs-based 1.5 micron-range InAs/InGaAs and InAs/InAlAs self-assembled quantum dots. Gladyshev, A. G., Kryzhanovskaya, N. V., Nadtochy, A. M., Semenova, E. S., Zhukov, A. E., Vasil'ev, A. P., . . . Ustinov, V. M. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 203(6), 1359-1364, (2006).
DOI: 10.1002/pssa.200566178.
“Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных InGaAs КТ с ассиметричным волноводом, сформированным методом селективного оксидирования” С.А.Блохин Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, Е.М.Аракчеева, Е.М.Танклевская, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, Е.С.Семенова, М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Э.Шток, Д.Бимберг, Физика Техника Полупроводников, 40, 482-487 (2006).
«Optical studies of asymmetric-waveguide submonolayer InGaAs QD microdisks formed by selective oxidation» S.A.Blokhin, N.V.Kryzhanovskaya, A.G.Gladyshev, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, E.N.Arakcheeva, E.M.Tanklevskaya, A.E.Zhukov, A.P.Vasil'ev, E.S.Semenova, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, E.Stock, D.Bimberg, Semiconductors 40, 476-480 (2006).
DOI: 10.1134/S1063782606040191.
«Вертикально-излучающие лазеры на основе массивов субмонослойных InGaAs квантовых точек» С.А.Блохин, Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, Ю.М.Шерняков, И.И.Новиков, Н.Ю.Гордеев, В.В.Дюделев, Г.С.Соколовский, В.И.Кучинский, М.М.Кулагина, М.В.Максимов, В.М.Устинов, А.Р.Ковш, С.С.Михрин, Н.Н.Леденцов, Физика Техника Полупроводников, 40, 633-638 (2006).
«VCSELs based on arrays of sub-monolayer InGaAs quantum dots» S.A.Blokhin, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, Y.M.Shernyakov, I.I.Novikov, N.Y.Gordeev, V.V.Dyudelev, G.S.Sokolovskii, V.I.Kuchinskii, M.M.Kulagina, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, N.N.Ledentsov, Semiconductors, 40, 615-619 (2006).
DOI: 10.1134/S1063782606050186.
"Оптические исследования двумерного фотонного кристалла с InAs/InGaAs квантовыми точками в качестве активной области" С.А.Блохин О.А.Усов, А.В.Нащекин, Е.М.Аракчеева, Е.М.Танклевская, С.Г.Конников, А.Е.Жуков, М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Физика Техника Полупроводников, 40, 833-838 (2006).
«Optical studies of a two-dimensional photonic crystal with the InAs/InGaAs quantum-dot structure as an active region» S.A.Blokhin, O.A.Usov, A.V.Nashchekin, E.M.Arakcheeva, E.M.Tanklevskaya, S.G.Konnikov, A.E.Zhukov, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, Semiconductors 40, 812-817 (2006).
DOI: 10.1134/S1063782606070141.
"Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске с квантовыми точками" Н.В.Крыжановская, С.А.Блохин, А.Г.Гладышев, Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, Е.М.Аракчеева, Е.М.Танклевская, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, Е.С.Семенова, М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Э.Шток, Д.Бимберг, Физика Техника Полупроводников, 40, 1128-1131 (2006).
«Room-temperature 1.3-mkm lasing in a microdisk with quantum dots» N.V.Kryzhanovskaya, S.A.Blokhin, A.G.Gladyshev, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, E.M.Arakcheeva, E.M.Tanklevskaya, A.E.Zhukov, А.P.Vasil'ev, E.S.Semenova, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, E.Stock, D.Bimberg, Semiconductors 40, 1101-1104 (2006).
S.A.Blokhin, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, A.V.Sakharov, M.M.Kulagina, Yu.M.Shernyakov, I.I.Novikov, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, N.N.Ledentsov, G.Lin, J.Y.Chi, “High-performance vertical-cavity surface-emitting lasers based on sub-monolayer InGaAs quantum dots”, Proceedings of Int. Workshop on Semiconductor Quantum Dot based Devices and Applications, 16–17 March, 2006, Paris, France, рр.45-46 (устный/oral).
«Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик в полупроводниковых вертикально-излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs квантовых точек» С.А.Блохин А.В.Сахаров, Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, И.И.Новиков, Н.Ю.Гордеев, Ю.М.Шерняков, М.В.Максимов, В.М.Устинов, А.Р.Ковш, С.С.Михрин, Н.Н.Леденцов, G. Lee, J.Y.Chi, Физика Техника Полупроводников, 40, 1264-1269 (2006).
«Study of temperature dependence of threshold characteristics in semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers based on submonolayer InGaAs quantum dots» S.A.Blokhin, A.V.Sakharov, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, I.I.Novikov, N.Y.Gordeev, Y.M.Shernyakov, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, N.N.Ledentsov, G.Lin, J.Y.Chi, Semiconductors 40, 1232-1236 (2006).
S.A.Blokhin, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, A.V.Sakharov, M.M.Kulagina, Yu.M.Shernyakov, I.I.Novikov, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, N.N.Ledentsov, G.Lin, J.Y.Chi, “High-performance vertical-cavity surface-emitting lasers based on sub-monolayer InGaAs quantum dots”, Proceedings of 14th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 26–30 June, 2006, St-Petersburg, Russia, pp.9-10 (устный/oral).
A.G.Kuzmenkov, S.A.Blokhin, N.A.Maleev, A.P.Vasil’ev, A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, “Optimal composition of microcavity structures with selectively oxidized apertures and DBR’s”, Proceedings of 14th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 26–30 June, 2006, St-Petersburg, Russia, pp.105-106 (стенд/poster).
“Single-mode InGaAs submonolayer quantum dot photonic crystal VCSELs” H.P.D.Yang, I.C.Hsu, F.I.Lai, G.Lin, R.S.Hsiao, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, H.C.Kuo, S.C.Wang, J.Y.Chi, Semiconductor Science and Technology , 21, 1176-1180 (2006).
DOI: 10.1088/0268-1242/21/8/033.
J.Y.Chi, G.Lin, H.P.Yang, K.F.Lin, H.C.Yu, P.C.Peng, H.C.Kuo, S.A.Blokhin, A.R.Kovsh, “Advanced Semiconductor Light Emitters with InAs/InGaAs Quantum Dot Active Region”, Proceedings of MBE Taiwan 2006, 1-3 June, 2006, Jhongli, Taiwan, (устный/oral, приглащенный/invited).
H.P.D.Yang, I.C.Hsu, F.I.Lai, G.Lin, R.S.Hsiao, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, A.R.Kovsh, H.C.Kuo, S.C.Wang, J.Y.Chi, “Single Mode InGaAs Sub-Monolayer Quantum-Dot Photonic-Crystal VCSELs”, Proceedings of MBE Taiwan 2006, 1-3 June, 2006, Jhongli, Taiwan, PTh27 (стенд/poster).
H.P.D.Yang, I.C.Hsu, F.I.Lai, G.Lin, R.S.Hsiao, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, H.C.Kuo, S.C.Wang, J.Y.Chi, “Single Mode InGaAs Sub-Monolayer Quantum-Dot Photonic-Crystal VCSELs”, Proceedings of 11th Opto-Electronics and Communications Conference., 3–7 July, 2006, Kaoshiung, Taiwan, 4c2-5 (устный/oral).
G.Lin, K.F.Lin, J.Y.Chi, S.A.Blokhin, N.A.Maleev, V.M.Ustinov, “Investigation of Sub-monolayer QD VCSELs in Extended Temperature Range”, Proceedings of 11th Opto-Electronics and Communications Conference., 3–7 July, 2006, Kaoshiung, Taiwan, 4c2-4 (устный/oral).
“Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Sub-Monolayer InGaAs Quantum Dots” S.A.Blokhin, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, A.V.Sakharov, M.M.Kulagina, Y.M.Shernyakov, I.I.Novikov, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, N.N.Ledentsov, G.Lin, J.Y.Chi, Journal Quantum Electronics, 42, 851-858 (2006).
DOI: 10.1109/JQE.2006.880125.
S.A.Blokhin, L.Ya.Karachinsky, I.I.Novikov, S.M.Kuznetsov, Y.M.Shernyakov, A.V.Savelyev, M.V.Maximov, A.Mutig, F.Hopfer, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, I.L.Krestnikov, D.A.Livshits, V.M.Ustinov, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, “MBE-grown ultra-large aperture single-mode vertical-cavity surface-emitting laser with all-epitaxial filter section”, Proceedings of 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 3–8 September, 2006, Tokyo, Japan, pp.105 (устный/oral).
“Characteristics of Single-Mode InGaAs Submonolayer Quantum-Dot Photonic-Crystal Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers” H.-P.D.Yang, I-C.Hsu, F.-I.Lai, G.Lin, R.-S.Hsiao, N.A.Maleev, S.A.Blokhin, H.-C.Kuo, J.Y.Chi, Japan Journal of Applied Physics, 45, 9078-9082 (2006).
DOI: 10.1143/JJAP.45.9078.
В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, Д.С.Сизов Влияние газа-носителя на процесс газотранспортной эпитаксии нитрида галлия из металлорганических соединений // Письма в Журнал Технической Физики. 2005. - Т. 31. №7. - С. 52-56.
W. V. Lundin, E. E. Zavarin, D. S. Sizov Influence of the Carrier Gas Composition on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Gallium Nitride // Technical Physics Letters. 2015. - V.31. №4. - P. 293–294.
DOI: 10.1134/1.1920375.
In-situ investigations of GaN chemical unstability during MOCVD / Zavarin E.E., Sizov D.S., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Talalaev, R.A., Kondratyev A.V., Bord O.V. // Proceedings of the international symposium EUROCVD 15: fifteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition (Bochum, Germany, 5-9 September, 2005). – Bochum, 2005. - V.2005-09. – PP. 299-305.
Reactor pressure and residence time effects in GaN MOVPE / W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Kondratyev, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev // Proceedings of the 11th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Booklet of Extended abstracts (Lausanne, Switzerland, 5-8 June, 2005). – Lausanne, 2005. – PP. 353-355.
Effect of Hydrogen on GaN and AlGaN Growth by MOVPE / W.V.Lundin, R.A.Talalaev, E.E.Zavarin, D.S.Sizov, M.A.Sinitsyn, A.F.Tsatsulnikov // Proceedings of the 11th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Booklet of Extended abstracts (Lausanne, Switzerland, 35-8 June, 2005). – Lausanne, 2005. – PP. 331-333.
О некоторых аспектах влияния технологии обработки сапфировых подложек на эффективность электролюминесценции светодиодных структур / А.Ю. Игнатов, В.В. Гринько, М.М. Сабельникова, В.С. Постолов, В.И. Поляков, Г.А. Онушкин, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 12-13.
Waferscan – новая система сканирующей in-situ рефлектометрии для планетарных реакторов / Д.С.Сизов, В.В.Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 46-47.
Влияние водорода на процесс роста GaN и AlGaN методом ГФЭ МОС / В.В.Лундин, Р.А.Талалаев, Е.Е.Заварин, Д.С.Сизов, М.А.Синицын, А.Ф.Цацульников // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 50-51.
Исследование деформаций в гексагональных сверхрешетках GaN/Al(Ga)N методом рамановской спектроскопии / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, И.Н. Гончарук, М.А. Яговкина, М.П. Щеглов, Е.Е. Заварин, М.А. Синицин, В.В. Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 66-67.
Зарядовые аккумуляционные слои, индуцированные адсорбцией Cs и Ba на поверхности n-GaN(0001): фотоэмиссионные исследования / Г.В.Бенеманская, В.С.Вихнин, Г.Э.Франк-Каменецкая, В.В.Лундин, Н.М.Шмидт // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 78-79.
Структурные исследования сверхрешеток AlGaN/GaN имплантантированных ионами ER3+ / Р.Н.Кютт, Н.А.Соболев, Г.Н.Мосина, В.В.Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 90-91.
Исследование инжекции носителей в InGaN/GaN светодиодах и роль утечек в ВАХ и эффективности излучения / Д.С. Сизов, Г.А. Онушкин, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, А.М. Аракчеева, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 96-97.
Пространственное распределение локализованных состояний и характеристики излучения в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN / В.В.Криволапчук, М.М.Мездрогина, В.В.Лундин // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 101-102.
Полупрозрачные омические контакты для мощных нитридных светодиодов и проблемы однородности электролюминесценции / Г.А.Онушкин, В.В.Лундин, Е.Ю. Лундина, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 3-5 Июля 2005г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 132-133.
Д.С.Сизов, В.С.Сизов, В.В.Лундин, А.Ф.Цацульников, Е.Е.Заварин, Н.Н.Леденцов Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока // Физика и Техника Полупроводников. 2005. - Т. 39. №11. - С. 1350-1353.
D.S. Sizov, V.S. Sizov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsul’nikov, E.E. Zavarin, N.N. Ledentsov Studies of the electron spectrum in structures with InGaN quantum dots using photocurrent spectroscopy // Semiconductors. 2005. - V.39. №11. - P. 1304–1307.
DOI: 10.1134/1.2128455.
А.М.Емельянов, Н.А.Соболев , Е.И.Шек, В.В.Лундин, А.С.Усиков, Е.О.Паршин Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2005. - Т. 39. №9. - С. 1080-1082.
A.M. Emel’yanov, N.A. Sobolev, E.I. Shek, V.V. Lundin, A.S. Usikov, E.O. Parshin Influence of an increase in the implantation dose of erbium ions and annealing temperature on photoluminescence in AlGaN/GaN superlattices and GaN epitaxial layers // Semiconductors. 2005. - V.39. №9. - P. 1045–1047.
DOI: 10.1134/1.2042596.
Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN/GaN // Физика и Техника Полупроводников. 2005. - Т. 39. №4. - С. 492-496.
D.S. Sizov, V.S. Sizov, E.E. Zavarin, V.V. Lundin, A.V. Fomin, A.F. Tsatsul’nikov, N.N. Ledentsov A study of carrier statistics in InGaN/GaN LED structures // Semiconductors. 2005. - V.39. №4. - P. 467-471.
DOI: 10.1134/1.1900264.
Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2005. - Т. 39. №2. - С. 264-268.
D.S. Sizov, V.S. Sizov, E.E. Zavarin, V.V. Lundin, A.V. Fomin, A.F. Tsatsul’nikov, N.N. Ledentsov Kinetics and inhomogeneous carrier injection in InGaN nanolayers // Semiconductors. 2005. - V.39. №2. - P. 249–253.
DOI: 10.1134/1.1864208.
A. I. Besyulkin, A. P. Kartashova, A. G. Kolmakov, V. V. Krivolapchuk, W. V. Lundin, M. M. Mezdrogina, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, A. A. Sitnikova, A. L. Zakgeim, E. E. Zavarin, R. V. Zolotareva Surface control of light-emitting structures based on III-nitrides // Physica Status Solidi (c). 2005. - V. 2. №2. - P. 837-840.
DOI: 10.1002/pssc.200460340.
Мощные синие InGaN флип-чип светодиоды с отражающими контактами сделанные из российских материалов / Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Онушкин Г.А., Закгейм Д.А., Смирнова И.П., Гуревич С.А., Закгейм А.Л., Васильева Е.Д., Иткинсон Г.В. // Сборник статей 5-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» (Минск, Беларусь, 1-5 Июня 2005г.). – Минск, 2005. – C. 139-142.
И.П. Сошников, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Фомин, D. Litvinov, E. Hahn, D.Gerthsen Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах // Физика и Техника Полупроводников. 2005 - Т. 39. №1. - С. 112-114.
I.P. Soshnikov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul’nikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.A. Zavarin, A.V. Fomin, D. Litvinov, E. Hahn, D. Gerthsen Special Features of Structural Interaction in (AlGaIn)N / GaN Heterostructures Used as Dislocation Filters // Semiconductors. 2005. - V.39. №1. - P. 100–102.
DOI: 10.1134/1.1852655.
Смирнов М.Б., Карпов С.В., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Заварин Е.Е., Лундин В.В. Колебательные спектры сверхрешеток AlN/GaN: теория и эксперимент // Физика Твердого Тела. 2005. - Т. 47. №4. - С. 716-727.
Smirnov M.B., Karpov S.V., Davydov V.Y., Smirnov A.N., Zavarin E.E., Lundin V.V. Vibrational spectra of AlN/GaN superlattices: Theory and experiment // Physics of the Solid State. 2005. - V.47. №4. - P. 742-753.
DOI: 10.1134/1.1913991.
Криволапчук В.В., Кожанова Ю.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М., Родин С.Н. Параметры вюрцитных кристаллов нитрида галлия, легированных тулием // Физика Твердого Тела. 2005. - Т. 47. №7. - С. 1203-1206.
Krivolapchuk V.V., Kozhanova Y.V., Lundin V.V., Mezdrogina M.M., Rodin S.N. Parameters of thulium-doped gallium nitride crystals with wurtzite structure // Physics of the Solid State. 2005. - V.47. №7. - P. 1245-1248.
DOI: 10.1134/1.1992599.
Криволапчук В.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М. Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN // Физика Твердого Тела. 2005. - Т. 47. №7. - С. 1338-1342.
Krivolapchuk V.V., Lundin V.V., Mezdrogina M.M. The role of built-in electric fields in the InGaN/GaN quantum-well emission // Physics of the Solid State. 2005. - V.47. №7. - P. 1388-1392.
DOI: 10.1134/1.1992623.
Davydov V.Y., Smirnov A.N., Smirnov M.B., Karpov S.V., Yagovkina M.A., Besulkin A.I., Lundin W.V. Optical phonons in hexagonal GaN/AlN and GaN/AlGaN superlattices // Physica Status Solidi (c). 2005. - V. 2. №7. - P. 2389-2393.
DOI: 10.1002/pssc.200461454.
“Конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров” Н.А.Малеев, А.Г.Кузьменков, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, А.С.Шуленков, С.В.Чумак, Е.В.Никитина, С.А.Блохин, М.М.Кулагина, Е.С.Семенова, Д.А.Лившиц, М.В.Максимов, В.М.Устинов, Физика Техника Полупроводников, 39, 487-491 (2005).
«Design and fabrication technology for arrays for vertical-cavity surface-emitting lasers» N.A.Maleev, A.G.Kuz’menkov, A.E.Zhukov, A.P.Vasil'ev, A.S.Shulenkov, S.V.Chumak, E.V.Nikitina, S.A.Blokhin, M.M.Kulagina, E.S.Semenova, D.A.Livshits, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, Semiconductors 39, 462-466 (2005).
DOI: 10.1134/1.1900263.
“Исследование механических напряжений в селектино-оксидированных GaAs/(AlGa)xOy структурах” С.А.Блохин, А.Н.Смирнов, А.В.Сахаров, А.Г.Гладышев, Н.В.Крыжановская, Н.А.Малеев, А.Е.Жуков, Е.С.Семенова, Д.А.Бедарев, Е.В.Никитина, М.М.Кулагина, М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Физика Техника Полупроводников, 39, 782-787 (2005).
«Stresses in selectively oxidized GaAs/(AlGa)(x)O-y structures» S.A.Blokhin, A.N.Smirnov, A.V.Sakharov, N.V.Kryzhanovskaya, A.G.Gladyshev, N.A.Maleev, A.E.Zhukov, E.S.Semenova, D.A.Bedarev, E.V.Nikitina, M.M.Kulagina, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, Semiconductors 39, 748-753 (2005).
DOI: 10.1134/1.1992627.
“Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре в квантовых точках InAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs” Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, С.А.Блохин, М.В.Максимов, Е.С.Семенова, А.П.Васильев, А.Е.Жуков, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Д.Бимберг, Физика Техника Полупроводников, 39, 1230-1235 (2005).
«Nonequilibrium room-temperature carrier distribution in InAs quantum dots overgrown with thin AlAs/InAlAs layers» N.V.Kryzhanovskaya, A.G.Gladyshev, S.A.Blokhin, M.V.Maximov, E.S.Semenova, A.P.Vasil'ev, A.E.Zhukov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, D.Bimberg, Semiconductors 39, 1188-1193 (2005).
A.G.Gladyshev, A.V.Savelyev, N.V.Kryzhanovskaya, S.A.Blokhin, A.P.Vasil`ev, E.S.Semenova, A.E.Zhukov, R.P.Seisyan, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, Modeling of excitation dependences of the photoluminescence from InAs quantum dots, Proceedings of 13th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 20–25 June, 2005, St-Petersburg, Russia, pp.14-15.
N.V.Kryzhanovskaya, A.G.Gladyshev, S.A.Blokhin, A.P.Vasil’ev, E.S.Semenova, A.E.Zhukov, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, N.N.Ledentsov and D.Bimberg, Temperature stability of optical properties of InAs quantum dots overgrown by AlAs/InAlAs layers, Proceedings of 13th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 20–25 June, 2005, St-Petersburg, Russia, pp.18-19.
S.V.Chumak, N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, A.S.Shulenkov, A.E.Zhukov, A.P.Vasil'ev, S.A.Blokhin, M.M.Kulagina, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, Matrix of vertical-cavity surface-emitting lasers with combined AlGaO/GaAs–AlGaAs/GaAs DBRs, Proceedings of 13th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 20–25 June, 2005, St-Petersburg, Russia, pp.100-101
A.V.Nashchekin, E.M.Arakcheeva, S.A.Blokhin, M.V.Maximov, E.M.Tanklevskaya, O.A.Usov, S.A.Gurevich, S.G.Konnikov, V.M.Ustinov, N.N.Ledentsov, Fabrication and optical properties of 2D PhCs with active area based on InAs/InGaAs QDs, Proceedings of 13th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 20–25 June, 2005, St-Petersburg, Russia, pp.117-118.
S.A.Blokhin, A.N.Smirnov, A.G.Gladyshev, N.V.Kryzhanovskaya, N.A.Maleev, A.E.Zhukov, A.G.Kuzmenkov, A.P.Vasil'ev, E.S.Semenova, E.V.Nikitina, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, Mechanical stress in selective oxidized GaAs/(AlGa)xOy structures, Proceedings of 13th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 20–25 June, 2005, St-Petersburg, Russia, pp.312-313.
N.A.Maleev, A.G.Kuzmenkov, A.E.Zhukov, A.R.Kovsh, А.P.Vasil'ev, S.A.Blokhin, M.M.Kulagina, А.S.Shulenkov, S.V.Chumak, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, Intra-cavity contacted quantum well and quantum dot VCSELs with AlGaO/GaAs and AlGaAs/GaAs DBR, Proceedings of 5th Belarussian–Russian Workshop, 1–5 June, 2005, Minsk, Belarus, pp.164-167.
С.А.Блохин, А.Н.Смирнов, А.Г.Гладышев, Н.В.Крыжановская, Н.А.Малеев, А.Е.Жуков, Е.С.Семенова, Е.В.Никитина, М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Исследование GaAs/(AlGa)xOy структур полученных методом селектино-оксидирования слоев AlGaAs, VII Российская Конференция по Физике Полупроводников, 18–23 Сентября, 2005, Москва, Россия, стр.314.
A.G. Milekhin, M.Yu. Ladanov, W.V. Lundin, A.I. Besulkin, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, C. Himcinschi, M. Friedrich, D.R.T. Zahn IR reflection of optical phonons in GaN/AlGaN superlattices, Proceedings of the 11th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter (Phonons2004) (St Petersburg, Russia, 25-30 July 2004) // Physica Status Solidi (c). 2004. - V. 1. №11. - P. 2733–2736.
DOI: 10.1002/pssc.200405306.
D.A. Zakheim, I.P. Smirnova, E.M. Arakcheeva, M.M. Kulagina, S.A. Gurevich, I.V. Rozhansky, V.W. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, A.V. Fomin, A.L. Zakheim, E.D. Vasil'eva, G.V. Itkinson Fabrication of high-power flip-chip blue and white LEDs operating under high current density // Physica Status Solidi (c). 2005. - V. 1. №10. - P. 2401–2404.
DOI: 10.1002/pssc.200404993.
A.V. Kondratyev, R.A. Talalaev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul’nikov, E.E. Zavarin, A.V. Fomin, D.S. Sizov Aluminum incorporation control in AlGaN MOVPE: experimental and modeling study // Journal of Crystal Growth. 2004. - V. 272. №1-4. - P. 420–425.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.016.
В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.В. Фомин, Д.С. Сизов Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // Физика и Техника Полупроводников. 2004. - Т. 38. №6. - С. 705-708.
Tsatsulnikov A.F., Lundin W.V., Sakharov A.V., Nikolaev A.E., Growth of AlGaN epitaxial layers and AlGaN/GaN superlattices by metal-organic chemical vapor deposition // Semiconductors. 2004. - V.38. №6. - P. 678–682.
DOI: 10.1134/1.1766372.
Н.М. Шмидт, М.Е. Левинштейн, В.В. Лундин, А.И. Бесюлькин, П.С. Копьев, S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры // Физика и Техника Полупроводников. 2004. - Т. 38. №9. - С. 1036-1038.
N.M. Shmidt, M.E. Levinshtein, W.V. Lundin, A.I. Besyul’kin, P.S. Kop’ev, S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur Low-Frequency Noise in Gallium Nitride Epitaxial Layers with Different Degrees of Order of Mosaic Structure // Semiconductors. 2004. - V.38. №9. - P. 998–1000.
DOI: 10.1134/1.1797474.
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.Г. Гладышев, А.В. Сахаров, М.Ф. Кокорев, Н.М. Шмидт, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, Р. Каканаков Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // Физика и Техника Полупроводников. 2004. - Т. 38. №11. - С. 1364-1367.
Выращивание эпитаксиальных структур на основе GaN методом ГФЭ МОС / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 22-23.
Исследование вхождения алюминия при вариации параметров роста в ГФЭ МОС AlGaN / А.В. Кондратьев, Р.А. Талалаев, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.В. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.В. Фомин, Д.С. Сизов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 32-33.
Химическая нестабильность GaN в водород – азот - аммиачных смесях и ее влияние на процесс роста при эпитаксии из металло-органических соединений / Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, Д.С. Сизов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 47-48.
Рамановские спектры гексагональных сверхрешеток GaN/AlN в микроскопической и феменологической моделях / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, И.Н. Гончарук, А.И. Бесюлькин, В.В. Лундин, М.Б. Смирнов, С.В. Карпов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 52-53.
Спектры фотоэмиссии эпитаксиальных слоев GаN с разным структурным совершенством / Г.В. Бенеманская, А.И. Бесюлькин, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Г.Е. Франк-Каменецкая, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 73-74.
Свойства эпитаксиальных структур для светодиодов на основе GaN / А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Д.С. Сизов, В.С. Сизов, А.В. Фомин, Ю.Г. Мусихин, D. Gerthsen, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, A. Hoffmann, D. Bimberg // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 80-81.
Стационарные и время разрешенные спектры фото- и электролюминесценции в структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN / В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, Д.С. Сизов, А.В. Иванов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 82-83.
Исследование спонтанного излучения в структурах, содержащих сверхтонкие слои InGaN в матрице GaN / Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, Г.А. Онушкин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 92-93.
Исследование микроэлектролюминесцентных характеристик мощных AlGaInN меза- планарных светодиодов / Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 96-97.
Корреляция низкочастотного шума в эпитаксиальных слоях нитрида галлия со степенью их структурного совершенства / Н.М. Шмидт, М.Е. Левинштейн, В.В. Лундин, А.И. Бесюлькин, П.С. Копьев, S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 118-119.
Эффект фотоусиления в HEMT- структурах AlGaN/GaN / Д.С. Сизов, А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, В.С. Сизов, М.А. Синицын, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 135-136.
Эффективность светодиодов на основе MQW InGaN/GaN с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры / Е.Е. Заварин, А.Л. Закгейм, А.П. Карташова, А.Г. Колмаков, В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, А.В. Сахаров, Д.С. Сизов, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 7-9 Июня 2004г.). – Москва, 2004. – C. 145-146.
W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul’nikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, A.V.Fomin, D.S. Sizov MOCVD growth of AlGaN epilayers and AlGaN/GaN SLs in a wide composition range / edited by Shur M.S., Žukauskas A. // UV Solid-State Light Emitters and Detectors. NATO Science Series (Series II: Mathematics, Physics and Chemistry). - Springer, Dordrecht. 2005. - V. 144. - P. 223-231.
DOI: 10.1007/978-1-4020-2103-9_17.
"Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу InxGa1-xAs на подложке GaAs" Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, С.А.Блохин, Ю.Г.Мусихин, А.Е.Жуков, М.В.Максимов, Н.Д.Захаров, А.Ф.Цацульников, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, P.Werner, F.Guffart, D.Bimberg, Физика Техника Полупроводников, 38, 867-871 (2003)
"Optical and structural properties of InAs quantum dot arrays grown in an InxGa1-xAs matrix on a GaAs substrate" N.V.Kryzhanovskaya, A.G.Gladyshev, S.A.Blokhin, Y.G.Musikhin, A.E.Zhukov, M.V.Maximov, N.D.Zakharov, A.F.Tsatsul’nikov, N.N.Ledentsov, P.Werner, F.Guffart, D.Bimberg, Semiconductors 38, 833-836 (2004)
DOI: 10.1134/1.1777610.
“Metam Metamorphic growth for application in long-wavelength (1.3–1.55 µm) lasers and MODFET-type structures on GaAs substrates” E.S.Semenova, A.E.Zhukov, S.S.Mikhrin, A.Y.Egorov, V.A.Odnoblyudov, A.P.Vasil'ev, E.V.Nikitina, A.R.Kovsh, N.V.Kryzhanovskaya, A.G.Gladyshev, S.A.Blokhin, Y.G.Musikhin, M.V.Maximov, Y.M.Shernyakov, V.M.Ustinov, N.N.Ledentsov, Nanotechnology, 15, S283-S287 (2004).
DOI: 10.1088/0957-4484/15/4/031.
N.V.Kryzhanovskaya, A.G.Gladyshev, S.A.Blokhin, Yu.G.Musikhin, A.E.Zhukov, M.V.Maximov, N.D.Zakharov, A.F.Tsatsul’nikov, N.N.Ledentsov, P.Werner, F.Guffart and D.Bimberg, Optical and structural properties of InAs quantum dot arrays grown in InGaAs matrix on GaAs substrate, Proceedings of 12th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 21–25 June, 2004, St-Petersburg, Russia, pp.227-228.
V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, M.B. Smirnov, S.V. Karpov, I.N. Goncharuk, R.N. Kyutt, M.V. Baidakova, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, H. Harima, K. Kisoda Lattice dynamics and Raman spectra of strained hexagonal GaN/AlN and GaN/AlGaN superlattices // Proceedings of the 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5) (Nara, Japan, 25-30 May 2003) // Physica Status Solidi (c). 2003. - V. 0(7). - P. 2035-2038.
DOI: 10.1002/pssc.200303311.
P. Girard, Ph. Cadet, M. Ramonda, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, W.V. Lundin, M.S. Dunaevskii, A.N. Titkov Atomic and electrostatic force microscopy observations on gallium nitride // Physica Status Solidi (a). 2016. - V. 195. №3. - P. 508-515.
DOI: 10.1002/pssa.200306144.
Особенности системы протяженных дефектов в нитридах III группы / А.В. Анкудинов, А.Г. Колмаков, А.В. Лоскутов, В.В. Лундин, В.В. Ратников, Н.М. Шмидт, А.А. Ситникова, А.Н. Титков, А.С. Усиков, Е.В. Якимов, Р.В. Золотарева // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 92.
Сверхрешетки GaN/AlN и GaN/AlxGa1 – xN: динамика решетки / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, М.Б. Смирнов, С.В. Карпов, И.Н. Гончарук, М.П. Щеглов, М.В. Байдакова, В.В. Лундин // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 310.
Исследование влияния начальной стадии роста на структурные и оптические свойства GaN / Е.Е. Заварин, Д.С. Сизов, А.И. Бесюлькин, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, В.С. Сизов, А.Ф. Цацульников // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 456.
Низкотемпературная методика приготовления поверхности GaN(0001) / О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 462.
Оптические свойства нитридов III-группы с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры / А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, А.П. Карташова, А.Г. Колмаков, В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, А.В. Сахаров, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 467.
Спектры и кинетика спада фотолюминесценции в кристаллах GaN, легированных Er и Sm / В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 27-31 Октября 2003г.). – Санкт-Петербург, 2005. – C. 472.
Мозаичная структура и оптические свойства III-нитридов / Н.М. Шмидт, А.Н. Бесюлькин, М.С. Дунаевский, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.С. Усиков, Е.Е. Заварин, G. Aliev, D. Wolverson, А.Г. Колмаков, А.В. Лоскутов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 17-18.
Распределение областей с эффективной безызлучательной рекомбинацией в эпитаксиальных слоях GaN с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры / Н.М. Шмидт, А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.С. Усиков, А.Г. Колмаков, А.В. Лоскутов, Е.В. Якимов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 19-20.
Приповерхностные дефекты с глубокими уровнями в эпитаксиальных слоях GaN / О.А. Солтанович, Е.Б. Якимов, Н.М. Шмидт, А.С. Усиков, В.В. Лундин // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 23-24.
Спектры и кинетика спада фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Sm / В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, Ю.В. Жиляев, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 30-31.
Фотолюминесценция в имплантированных ионами Er сверхрешетках AlGaN/GaN и монокристаллических слоях GaN / Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.С. Усиков, Н.М. Шмидт, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 32-33.
Динамика решетки и спектры КРС гексагональных сверхрешеток GaN/AlN и GaN/AlGaN / А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, И.Н. Гончарук, Р.Н. Кютт, М.В. Байдакова, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.Б. Смирнов, С.В. Карпов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 49-50.
Формирование минизон в сверхрешетках p-AlGaN/GaN / М.Ф. Кокорев, Д.В. Пахнин, В.В. Лундин, Jim. Y. Chi // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 51-52.
Параметры эпитаксиальных слоёв III-нитридов и приборных структур, связанные с качеством подготовки сапфировых подложек / Н.М. Шмидт, А.А. Анкудинов, С.Ю. Белова, А.Н. Бесюлькин, М.С. Дунаевский, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, В.В. Ратников, А.В. Сахаров, А.А. Титков, А.С. Усиков, С.П. Черных // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 70-71.
Начальные стадии роста GaN c использованием низкотемпературных слоев (Al)GaN и AlN / Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, А.И. Бесюлькин, Д.С. Сизов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 91-92.
Выращивание эпитаксиальных слоев AlN и гетероструктур AlN/GaN на сапфировых подложках методом ГФЭ МОС / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, Д.С. Сизов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 93-94.
Гетероструктуры с высокой подвижностью электронов на основе III-N, выращенные методом ГФЭ МОС / В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.Г. Гладышев, А.В. Сахаров, Н.М. Шмидт, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов., М.Ф. Кокорев // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 103-104.
Приготовление поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с ОЭС / О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 133-134.
Формирование зарощенных мезаполосковых III-N структур с помощью комбинации сухого и жидкостного травления с последующим заращиванием / В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.И. Бесюлькин, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, С.А. Гуревич, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, Н.Н. Леденцов, Jim Y. Chi and Ru Chin Tu // Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 3-4 Февраля 2003г.). – Санкт-Петербург, 2003. – C. 135-136.
Optical phonons in hexagonal GaN/AlN and GaN/AlxGa1-xN superlattices: Theory and experiment / V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, I.N. Goncharuk, R.N. Kyutt, M.P. Scheglov, M.V. Baidakova, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.B. Smirnov, S.V. Karpov, H. Harima // Proceedings of the 11th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 23-28 June 2003). - Saint-Petersburg, 2003. – P. 72-74.
A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, M.G. Mil'vidskii, S.J. Pearton, A.S. Usikov, N.M. Shmidt, A.V. Osinsky, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin Deep levels studies of AlGaN/GaN superlattices // Solid-State Electronics. 2003. - V. 47. №4. - P. 671-676.
DOI: 10.1016/S0038-1101(02)00319-2.
Гетероструктуры GaN/AlGaN с высокой подвижностью электронов, полученные МОГФЭ / А.И.Бесюлькин, А.Г.Гладышев, Е.Е.Заварин, В.В.Лундин, А.В.Сахаров, М.А.Синицын, Н.М.Шмидт, А.Ф.Цацульников, Н.Н.Леденцов, М.Ф.Кокорев // Тезисы докладов «XIII Отраслевого координационного семинара по СВЧ технике» ФГУП «НПП Салют» (Нижний Новгород, 27-29 августа 2003г.). – Нижний Новгород, 2003.
Метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры InAlAs / InGaAs / InAlAs с высокой подвижностью электронов на подложках GaAs Е.С.Семенова, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, С.С.Михрин, А.Р.Ковш, В.М.Устинов, Ю.Г.Мусихин, С.А.Блохин, А.Г.Гладышев, Н.Н.Леденцов, Физика Техника Полупроводников, 37, 1127 (2003).
«Metamorphic modulation-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with high electron mobility grown on GaAs substrates» E.S.Semenova, A.E.Zhukov, A.P.Vasil'ev, S.S.Mikhrin, A.R.Kovsh, V.M.Ustinov, Y.G.Musikhin, S.A.Blokhin, A.G.Gladyshev, N.N.Ledentsov, Semiconductors 37, 1104-1106 (2003).
DOI: 10.1134/1.1610128.
W.V.Lundin, A.S.Usikov Influence of MOCVD growth conditions on properties of III-nitride multylayer structures / edited by T.Paskova, B.Monemar // Vacuum Science and Technology: Nitrides as Seen by the Technology. - Kerala, India. 2002. - P. 167-182. ISBN: 81-7736-198-8.
I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul’nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen Quantum dot origin of luminescence in InGaN-GaN structures // Physical Review B. 2002. - V. 66. №15. - P. 155310.
DOI: 10.1103/PhysRevB.66.155310.
I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.F. Tsatsulnikov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Time-resolved studies of InGaN/GaN quantum dots // Physica Status Solidi (a). 2002. - V. 192. №3. - P. 49–53.
DOI: 10.1002/1521-396X(200207)192:1<49::AID-PSSA49>3.0.CO;2-B.
V.Yu. Davydov, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.A. Klochikhin, J. Aderhold, J. Graul, O. Semchinova, H. Harima Composition dependence of optical phonon energies and Raman line broadening in hexagonal AlxGa1-xN alloys // Physical Review B. 2002. - V. 65. №12. - P. 125203.
DOI: 10.1103/PhysRevB.65.125203.
Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul’nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Influence of metalorganic chemical vapor deposition growth conditions on In-rich nanoislands formation in InGaN/GaN structures // Applied Physics Letters. 2002. - V. 80. №12. - P. 2099-2101.
DOI: 10.1063/1.1462868.
V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, I.N. Goncharuk, R.N. Kyutt, M.P. Scheglov, M.V. Baidakova, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.B. Smirnov, S.V. Karpov, H. Harima Raman spectroscopy as a tool for characterization of strained hexagonal GaN/AlxGa1-xN superlattices / Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2002) in Aachen (Aachen, Germany, 22-25 July 2002) // Physica Status Solidi (b). 2002. - V. 234. №3. - P. 975-979.
DOI: 10.1002/1521-3951(200212)234:3<975::AID-PSSB975>3.0.CO;2-L.
A.S. Usikov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, N.M. Shmidt, A.I. Pechnicov, Y. Shapovalova, G. Gainer Growth and characterization of LEDs structures by MOCVD on HVPE grown GaN templates / Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2002) in Aachen (Aachen, Germany, 22-25 July 2002) // Physica Status Solidi (c). 2002. - V. 0. №1. - P. 39-42.
DOI: 10.1002/pssc.200390072.
A. Reznitsky, A. Klochikhin, S. Permogorov, L. Tenishev, W. Lundin, A. Usikov, M. Schmidt, C. Klingshirn Localization of Excitons at Small In Clusters in Diluted InGaN Solid Solutions / Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2002) in Aachen (Aachen, Germany, 22-25 July 2002) // Physica Status Solidi (c). 2002. - V. 0. №1. - P. 280-283.
DOI: 10.1002/pssc.200390043.
N.M. Shmidt, G. Aliev, A.N. Besyul’kin, J. Davies, M.S. Dunaevsky, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, D. Wolverson, E.E. Zavarin Mosaic structure and optical properties of III-nitrides / Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2002) in Aachen (Aachen, Germany, 22-25 July 2002) // Physica Status Solidi (c). 2002. - V. 0. №1. - P. 558–562.
DOI: 10.1002/pssc.200390113.
Исследование свойств слоев GaN, AlGaN и гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом МОГФЭ на подложках GaN / А.С. Усиков, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.С. Бесюлькин, А.В. Сахаров, А.И. Печников, И.П. Никитина, А.В. Фомин, В.В. Третьяков, В.А. Дмитриев // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 3-4.
Сверхрешетки AlGaN/GaN, выращивание и свойства / А В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.С. Бесюлькин, М.Ф. Кокорев, Р.Н. Кютт, В.Ю. Давыдов, В.В. Третьяков, Д.В. Пахнин, А.С. Усиков // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 10-11.
InGaN/AlGaN/GaN лазеры с оптическим возбуждением / В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.С. Усиков, Д.А. Бедарев, А.Ф. Цацульников, Ru Chin Tu, Jim Y. Chi // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 18-19.
Сине-зеленый оптически накачиваемый InGaN/AlGaN/GaN лазер / А.В. Сахаров, А.С. Усиков, В.В. Лундин, Д.А. Бедарев, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.С. Бесюлькин, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 19-20.
Оптические и акустические фононы в напряженных гексагональных сверхрешетках GaN/AlGaN / В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин, И.Е. Козин, И.Н. Гончарук, А.Н. Смирнов, Р.Н. Кютт, М.П. Щеглов, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.С. Усиков // Тезисы докладов 1-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» Московский Государственный Университет им. М.В.Ломоносова (Москва, 1-2 Ноября 2001г.). – Москва, 2001. – C. 27-28.
Raman studies as a tool for characterization of strained hexagonal GaN/AlxGa1-xN superlattices / Davydov V.Yu., Smirnov A.N., Goncharuk I.N., Kyutt R.N., Scheglov M.P., Baidakova M.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Smirnov M.B., Karpov S.V., Harima H. // Proceedings of the 10th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 17–21 June 2002). - Saint-Petersburg, 2002. – P. 164–167.
Исследование многослойных InGaN/AlGaN гетероструктур, выращенных методом МОГФЭ в различных режимах / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.С. Усиков, Е.Е. Заварин, А.С. Бесюлькин, Д.А. Бедарев, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов // Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10-14 Сентября 2001г.). – Нижний Новгород, 2001. – C. 387.
Локализация экситонов в твердых растворах со статистическим беспорядком или с частичным фазовым распадом: свидетельство образования фрактальных структур / А.Н. Резницкий, А.А. Клочихин, Л.Н. Тенишев, С.А. Пермогоров, В.В. Лундин, А.С. Усиков, С.В. Сорокин, С.В. Иванов, M.Schmidt, E.Kurtz, H.Kalt, C.Klingshirn // Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10-14 Сентября 2001г.). – Нижний Новгород, 2001. – C. 135.
A.G. Kolmakov, V.V. Emtsev, W.V. Lundin, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, A.N. Titkov, A.S. Usikov A new approach to analysis of mosaic structure peculiarities of gallium nitride epilayers / Proceedings of the 21st International Conference on Defects in Semiconductors (Giessen, Germany, 16 - 20 July 2001) // Physica B. 2001. - V. 308-310. - P. 1141-1144.
DOI: 10.1016/S0921-4526(01)00917-6.
W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, M.F. Kokorev, R.N. Kyutt, V.Yu. Davydov, V.V. Tretyakov, D.V. Pakhnin, A.S. Usikov Growth and characterization of AlGaN/GaN superlattices // Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №2. - P. 885-888.
DOI: 10.1002/1521-396X(200112)188:2<885::AID-PSSA885>3.3.CO;2-B.
W.V. Lundin, A.V. Sakharov. A.S. Usikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsulnikov, Ru Chin Tu, Sun Bin Yin, Jim Y. Chi Growth, optical and structural characterization of InGaN/GaN/AlGaN optically pumped lasers // Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №1. - P. 73-77.
DOI: 10.1002/1521-396X(200111)188:1<73::AID-PSSA73>3.0.CO;2-5.
A.V. Sakharov, A.S. Usikov, W.V. Lundin, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsulnikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg Laser-like emission in the blue-green spectral range from InGaN/GaN/AlGaN structures under optical pumping // Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №1. - P. 91-94.
DOI: 10.1002/1521-396X(200111)188:1<91::AID-PSSA91>3.0.CO;2-D.
A.V. Sakharov, A.S. Usikov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, Ru Chin Tu, Sun Bin Yin, Jim Y. Chi Comparative study of InGaN/GaN structures grown by MOCVD using various growth sequences // Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №1. - P. 95-98.
DOI: 10.1002/1521-3951(200111)228:1<95::AID-PSSB95>3.3.CO;2-H.
V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, I.E. Kozin, V.V. Emtsev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, R.N. Kyutt, M.P. Scheglov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.S. Usikov Optic and acoustic phonons in strained hexagonal GaN/AlGaN multilayer structures // Physica Status Solidi (a). 2001. - V. 188. №2. - P. 863-866.
DOI: 10.1002/1521-396X(200112)188:2<863::AID-PSSA863>83.0.CO;2-%23.
A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.S. Usikov, N.M. Shmidt, W.V. Lundin Deep centers spectra and scanning electron microscope studies of p-GaN films prepared by metallorganic chemical vapor deposition on sapphire // Solid-State Electronics. 2001. - V. 45. №2. - P. 255-259.
DOI: 10.1016/S0038-1101(00)00257-4.
N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, A.D. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S.Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin Correlation of mosaic-structure peculiarities with electric characteristics and surface multifractal parameters for GaN epitaxial layers // Nanotechnology. 2001. - V. 12. №4. - P. 471-474.
DOI: 10.1088/0957-4484/12/4/318.
D.V. Davydov, V.V. Emtsev, A.A. Lebedev, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, E.E. Zavarin Electron traps in undoped GaN layers subjected to gamma-irradiation and annealing / edited by G. Pensl, D. Stephani, M. Hundhausen // Materials Science Forum. - Kerala, India. 2001. - V. 353-356. -P. 799-802.
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.799.
A Georgakilas, K Amimer, P Tzanetakis, Z Hatzopoulos, M Cengher,B Pecz, Zs Czigany, L Toth, M.V Baidakova, A.V Sakharov, V.Yu Davydov Correlation of the structural and optical properties of GaN grown on vicinal (0 0 1) GaAs substrates with the plasma-assisted MBE growth conditions // Journal of Crystal Growth. 2001. - V. 227–228. - P. 410–414.
DOI: 10.1016/S0022-0248(01)00734-5.
B.M. Ataev, W.V. Lundin, V.V. Mamedov, A.M. Bagamadova, E.E. Zavarin Low-pressure chemical vapour deposition growth of high-quality ZnO films on epi-GaN/alpha-Al2O3 // Journal of Physics: Condensed Matter. 2001. - V. 13. №9. - P. L211-L214.
DOI: 10.1088/0953-8984/13/9/103.
Б.М.Атаев, И.К.Камилов, В.В.Лундин, В.В.Мамедов, А.К.Омаев, Ш.-М.О.Шахшаев Получение гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/α-Al2O3 высокого совершенства методом химического транспорта // Письма в Журнал Технической Физики. 2001. - Т. 27. №2. - С. 30-35.
B. M. Ataev, I.K. Kamilov, W. V. Lundin, V. V. Mamedov, A.K. Omaev, Sh.-M. O. Shakhshaev High-quality ZnO/GaN/α-Al2O3 heteroepitaxial structures grown by CVD // Technical Physics Letters. 2001. - V.27. №1. - P. 55–57.
DOI: 10.1134/1.1345165.
Exciton localization by clusters in diluted bulk InGaN and two-dimensional ZnCdSe solid solutions / A. Klochikhin, A. Reznitsky, L. Tenishev, S. Permogorov, W. Lundin, A. Usikov, S. Sorokin, S. Ivanov, M. Schmidt, H. Kalt, C. Klingshirn // Proceedings of the 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 18-22 June 2001). - Saint-Petersburg, 2001. – P. 554-557.
Localized excitons in random and partly phase separated solid solutions: evidence of fractal structure of islands / A. Reznitsky, A. Klochikhin, L. Tenishev, S. Permogorov S. Sorokin, S. Ivanov, W. Lundin, A. Usikov, E. Kurtz, H. Kalt and C. Klingshirn // Proceedings of the 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 18-22 June 2001). - Saint-Petersburg, 2001. – P. 534-537.
Correlation of mosaic structure peculiarities with electric characteristics and surface multifractal parameters for GaN epitaxial layers / A.G. Kolmakov, N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.D. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin // Proceedings of the 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 18-22 June 2002). - Saint-Petersburg, 2002. – P. 135-138.
Raman studies of acoustical phonons in strained hexagonal GaN/AlGaN superlattices / V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, I. E. Kozin, I. N. Goncharuk, A. N. Smirnov, R. N. Kyutt, M. P. Scheglov, A. V. Sakharov, V. V. Tretyakov, A. V. Ankudinov, M. S. Dunaevskii, W. V. Lundin, E. E. Zavarin, A. S. Usikov // Proceedings of the 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 18-22 June 2001). - Saint-Petersburg, 2001. – P. 154-157.
Рост слоев и структур нитридов III группы эпитаксией из металлорганических соединений в физико-техническом институте / А.С. Усиков, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 2.
Исследование многослойных структур GaN/AlxGa1-xN методом раман-спектроскопии / В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин, И.Н. Гончарук, А.Н. Смирнов, А.С. Усиков, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, М.В. Байдакова, М.П. Щеглов, J. Stemmer, H. Klausing, D. Mistele // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 10.
Влияние прерывания роста и состава газовой среды на оптические и структурные свойства InGaN/(Al)GaN многослойных структур / Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Д.А. Бедарев, А.Ф. Цацульников, А.С. Усиков, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 75.
Светодиоды на основе InGaN/GaN/AlGaN гетероструктур / А.С. Усиков, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Н.М. Шмидт // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 79.
Особенности фазовой сепарации в светодиодных структурах InGaN/GaN/AlGaN / В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Д.А. Бедарев, А.И. Бесюлькин, Н.Н. Леденцов, А.С. Усиков // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 82.
Фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе GaN для установок очистки воды / Н.М. Шмидт, В.М. Андреев, А.А. Власов, Е.Е. Заварин, Ю.М. Задиранов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, О.В. Титкова, А.С. Усиков, В.М. Щеглов, В.П. Фоканов, А.В. Шалларь // Тезисы докладов 4-го Всероссийского совещания, “Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы”, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт-Петербург, 18-19 Сентября 2000г.). – Санкт-Петербург, 2000. – C. 118.
Н.М. Шмидт, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.С. Усиков, Е.Е. Заварин, А.В. Говорков, А.Я. Поляков, Н.Б. Смирнов Фотодетекторы ультрафиолетового диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaN и AlxGa1-xN // Прикладная физика. 2000. - Т. 5. - С. 95-100.
N.M. Shmidt, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin, A.V. Govorkov, A.Ya. Polyakov, N.B. Smirnov Ultra-violet photodetectors based on GaN and AlxGa1-xN epitaxial layers / Proceedings of the 16th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices (Moscow, Russia, 25-27 May 2000) // Proceedings of the SPIE. 2000. - V. 4340. - P. 92-96.
DOI: 10.1117/12.407713.
N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M. Strassburg, R. Engelhardt, S. Rodt, R. Heitz, U.W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen Quantum dots formed by ultrathin insertions in wide-gap matrices // Thin Solid Films. 2000. - V.367. №1-2. - P. 40-47.
DOI: 10.1016/S0040-6090(00)00659-3.
I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul’nikov, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, I.P. Soshnikov, D. Gerthsen, A.C. Plaut, J. Holst, A. Hoffmann, D. Bimberg Lasing in Vertical Direction in Structures with InGaN Quantum Dots // Physica Status Solidi (a). 2000. - V. 180. №1. - P. 91-96.
DOI: 10.1002/1521-396X(200007)180:1<91::AID-PSSA91>3.0.CO;2-J.
Influence of Growth Interruptions and Gas Ambient on Optical and Structural Properties of InGaN/GaN Multilayer Structures / A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A.Bedarev, A.F.Tsatsul’nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg // Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), (Nagoya, Japan, 24-27 September 2000). - Nagoya, 2000.
Influence of the thick GaN buffer growth conditions on the electroluminescence properties of GaN/InGaN multilayer heterostructures / A.S. Usikov, W.V. Lundin, D.A. Bedarev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, A.F.Tsatsul’nikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg // Proceedings of the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), (Nagoya, Japan, 24-27 September 2000). - Nagoya, 2000.
Study of the III-nitrides MOCVD growth process with in-situ optical reflectance monitoring / W.V.Lundin, A.S.Usikov, E.E.Zavarin, D.A.Bedarev, A.I.Besulkin, A.V.Sakharov, N.N. Ledentsov, A.Hoffmann, D.Bimberg, Zh.I. Alferov // Booklet of the 4th European GaN Workshop (Nottingham, UK, 2-5 July 2000). - Nottingham, 2000. – P. 6.
Effect of annealing on phase separation in ternary III–N alloys / A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, E.E. Zavarin, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, Zh.I. Alferov // Proceedings of the 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 19-23 June 2000). - Saint-Petersburg, 2000. – P. 216-218.
Optical phonons in hexagonal GaN/AlxGa1-xN multilayered structures / V.Yu. Davydov, A.A. Klochikchin, S.V. Goupalov, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, M.V. Baidakova, J. Stemmer, H. Klausing, D. Mistele, O. Semchinova // Proceedings of the 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 19-23 June 2000). - Saint-Petersburg, 2000. – P. 208-210.
И.Л. Крестников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Ю.Г. Мусихин, А.П. Карташова, А.С. Усиков, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, И.П. Сошников, E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Litvinov, D. Gerthsen, A.C. Plaut, A. Hoffmann, D. Bimberg Лазерная генерация в вертикальном направлении в структурах InGaN/GaN/AlGaN с квантовыми точками InGaN // Физика и Техника Полупроводников. 2000. - Т. 34. №4. - С. 496-503.
I. L. Krestnikov, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, Yu. G. Musikhin, A. P. Kartashova, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul’nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, I. P. Soshnikov, E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenauer, D. Litvinov, D. Gerthsen, A. C. Plaut, A. A. Hoffmann, D. Bimberg Lasing in the Vertical Direction in InGaN/GaN/AlGaN Structures with InGaN Quantum Dots // Semiconductors. 2000. - V.34. №4. - P. 481-487.
DOI: 10.1134/1.1188011.
A.Y. Polyakov, A.S. Usikov, B. Theys, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, F. Jomard, N.M. Shmidt, W.V. Lundin Effects of proton implantation on electrical and recombination properties of n-GaN // Solid-State Electronics. 2000. - V. 44. №11. - P. 1971-1983.
DOI: 10.1016/S0038-1101(00)00159-3.
А.С. Усиков, В.В. Третьяков, А.В. Бобыль, Р.Н. Кютт , В.В. Лундин , Б.В. Пушный , Н.М. Шмидт Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции по шлифу эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN на сапфире // Физика и Техника Полупроводников. 2000. - Т. 34. №11. - С. 1300-1305.
A.S. Usikov, V.V. Tret’yakov, A.V. Bobyl’, R.N. Kyutt, W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, N.M. Shmidt Internal microstrain and distribution of composition and cathodoluminescence over lapped Al(x)Ga(1-x)N epilayers on sapphire // Semiconductors. 2000. - V.34. №11. - P. 1248-1254.
DOI: 10.1134/1.1325417.
A.F. Tsatsul’nikov, I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.P. Kartashova, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Strittmatter, A. Hoffmann, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, A. Plaut Formation of GaAsN nanoinsertions in a GaN matrix by metal-organic chemical vapour deposition // Semicondor Science and Technology. 2000. - V.15. №7. - P. 766-769.
DOI: 10.1088/0268-1242/15/7/318.
И.П. Сошников, В.В. Лундин, А.С. Усиков, И.П. Калмыкова, Н.Н. Леденцов, A. Rosenauer, B. Neubauer, D. Gerthsen Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD // Физика и Техника Полупроводников. 2000. - Т. 34. №6. - С. 647-651.
I.P. Soshnikov, V.W. Lundin, A.S. Usikov, I.P. Kalmykova, N.N. Ledentsov, A. Rosenauer, B. Neubauer, D. Gerthsen Specifics of MOCVD formation of InxGa1-xN inclusions in a GaN matrix // Semiconductors. 2000. - V.34. №6. - P. 621-625.
DOI: 10.1134/1.1188041.
Н.А. Соболев, А.М.Емельянов, В.В.Лундин, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, А.С. Усиков Влияние отжига на оптические и структурные свойства GaN:Er // Физика и Техника Полупроводников. 1999. - Т. 33. №6. - С. 674-676.
N.A. Sobolev, V.V. Lundin, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, A.S. Usikov, A.M. Emel’yanov Effect of annealing on the optical and structural properties of GaN:Er // Semiconductors. 1999. - V.33. №6. - P. 624-626.
DOI: 10.1134/1.1187742.
Д.А. Бедарев, С.О. Когновицкий, В.В. Лундин Фотоиндуцированная самоорганизация галлиевых нанопроволок на поверхности GaN // Письма в Журнал Технической Физики. 1999. - Т. 25. №10. - С. 13-18.
D.A. Bedarev, S.O. Kognovitskii, V.V. Lundin Photoinduced self-organization of gallium nanowires on a GaN surface // Technical Physics Letters. 1999. - V.25. №5. - P. 385-387.
DOI: 10.1134/1.1262491.
Growth and characterization of InGaN/GaN nanoscale heterostructures / W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, M.V. Baidakova, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov // Proceedings of the 7th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 14-18 June 1999). - Saint-Petersburg, 1999. – P. 485-488.
Surface-mode lasing from optically pumped InGaN/GaN heterostructures / A.V. Sakharov, W.V. Lundin, V.A. Semenov, A. S. Usikov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, Zh.I. Alferov, A. Hoffmann, D. Bimberg // Proceedings of the 7th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, (Saint-Petersburg, Russia, 14-18 June 1999). - Saint-Petersburg, 1999. – P. 124-127.
I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul’nikov, and Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Room-temperature photopumped InGaN/GaN/AlGaN vertical-cavity surface-emitting laser // Applied Physics Letters. 1999. - V. 75. №9. - P. 1192-1194.
DOI: 10.1063/1.124638.
A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul’nikov, Yu.G. Musikhin, M.V. Baidakova, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Surface-mode lasing from stacked InGaN insertions in a GaN matrix // Applied Physics Letters. 1999. - V. 74. №26. - P. 3921-3923.
DOI: 10.1063/1.124224.
N. Shmidt, V. Emtsev, A. Kryzhanovsky, R. Kyutt, W. Lundin, D. Poloskin, V. Ratnikov, A. Titkov, A. Usikov, P.Girard Mosaic Structure and Si Doping Related Peculiarities of Charge Carriers Transport in III-V Nitrides / Proceedings of the Third International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) // Physica Status Solidi (b). 1999. - V. 216. №1. - P. 581–586.
DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<581::AID-PSSB581>3.0.CO;2-G.
N. Shmidt, D. Davydov, V. Emtsev, I. Krestnikov, A. Lebedev, W. Lundin, D. Poloskin, A. Sakharov, A. Usikov, A. Osinsky Effect of Annealing on Defects in as-grown and g-ray Irradiated n-GaN Layers / Proceedings of the Third International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) // Physica Status Solidi (b). 1999. - V. 216. №1. - P. 533–536.
DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<533::AID-PSSB533>3.0.CO;2-S.
I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Photopumped InGaN/GaN/AlGaN Vertical Cavity Surface Emitting Laser Operating at Room Temperature / Proceedings of the Third International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) // Physica Status Solidi (b). 1999. - V. 216. №1. - P. 511–516.
DOI: (SICI)1521-3951(199911)216:1<511::AID-PSSB511>3.0.CO;2-7.
A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin, M.V. Baidakova, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg Optical Properties of Structures with Single and Multiple InGaN Insertions in a GaN Matrix / Proceedings of the Third International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) // Physica Status Solidi (b). 1999. - V. 216. №1. - P. 435–440.
DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<435::AID-PSSB435>3.0.CO;2-O.
W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.V. Sakharov, V.V. Tretyakov, D.V. Poloskin, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann Growth and Characterization of Thick Si-doped AlGaN Epilayers on Sapphire Substrates / Proceedings of the Third International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS'99) (Montpellier, France, 4-9 July 1999) // Physica Status Solidi (a). 1999. - V. 176. - P. 379–384.
DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<379::AID-PSSA379>3.0.CO;2-V.
А.В. Сахаров, В.В. Лундин, В.А. Семенов, А.С. Усиков, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, М.В. Байдакова Лазерная генерация в вертикальном направлении в многослойных квантово-размерных InGaN/GaN гетероструктурах // Письма в Журнал Технической Физики. 1999. - Т. 25. №12. - С. 1-9.
A.V. Sakharov, V.V. Lundin, V.A. Semenov, A.S. Usikov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul’nikov, and M.V. Baidakova Lasing in the vertical direction in quantum-size InGaN/GaN multilayer heterostructures // Technical Physics Letters. 1999. - V.25. №6. - P. 462-465.
DOI: 10.1134/1.1262517.
А.Ф. Цацульников, Б.Я. Бер, А.П. Карташова, Ю.А. Кудрявцев, Н.Н. Леденцов, В.В. Лундин, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, А.С. Усиков, Ж.И. Алферов, A. Hoffmann Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // Физика и Техника Полупроводников. 1999. - Т. 33. №7. - С. 791-794.
A.F. Tsatsul’nikov, B.Ya. Ber, A.P. Kartashova, Yu.A. Kudryavtsev, N.N. Ledentsov, V.V. Lundin, M.V. Maksimov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov Investigation of MOVPE-grown GaN layers doped with As atoms // Semiconductors. 1999. - V.33. №7. - P. 728-730.
DOI: 10.1134/1.1187770.
Characterization of the InGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD in argon ambient / A.S. Usikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, I.L. Krestnikov, M.V. Baidakova, V.V. Ratnikov // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 57-60.
Growth and characterization of GaN and AlGaN layers doped with Si / W.V. Lundin N.M. Shmidt, A.S. Usikov, A. Kryzhanovskii, D.V. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.F. Sakharov, A.N. Titkov, V.V. Tretyakov // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 53-56.
MOVPE growth of strain compensated Al0.15Ga0.85N/GaN Bragg mirrors on Al0.08Ga0.92N buffer layers / W.V. Lundin, A.S. Usikov, I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul’nikov, M.V. Baidakova, V.V. Tret’iakov, N.N. Ledentsov // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 49-53.
Catalytic effects in low-temperature MOVPE-growth of GaN nucleation layers on sapphire substrates / W.V. Lundin, A.S. Usikov, A.V. Sakharov, V.V. Ratnikov // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 45-48.
Incorporation of As in GaN layers during MOCVD growth / A.F. Tsatsul’nikov, B.Ya. Ber, A.P. Kartashova, Yu.A. Kudravtsev, N.N. Ledentsov, W.V. Lundin, M.V. Maximov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, A. Hoffmann, D.Bimberg // Booklet of 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, (Prague, Czech Republic, 8-11 June 1999). - Prague, 1999. – P. 41-44.
Лазерная генерация в вертикальном направлении в гетероструктурах InGaN/GaN с распределенными Брэгговскими отражателями и без них / А.В. Сахаров, В.В. Лундин, И.Л. Крестников, А.П. Карташова, В.А. Семенов, А.С. Усиков, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, А. Хоффманн, Д. Бимберг // Тезисы докладов IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 25-29 Октября 1999г.). – Новосибирск, 1999. – C. 266.
А.С. Усиков, В.В. Третьяков, В.В. Лундин, Ю.М. Задиранов, Б.В. Пушный, С.Г. Конников Исследование методом микрокатодолюминесценции ростовых особенностей эпитаксиальных GaN слоев на сапфире // Письма в Журнал Технической Физики. 1999. - Т. 25. №7. - С. 9-17.
A.S. Usikov, V.V. Tret'yakov, V.V. Lundin, Yu.M. Zadiranov, B.V. Pushniy, S.G. Konnikov Investigation of the growth characteristics of epitaxial GaN layers on sapphire by microcathodoluminescence // Technical Physics Letters. 1999. - V.25. №4. - P. 253-256.
DOI: 10.1134/1.1262443.
В.Ю. Давыдов, В.В. Лундин, А.Н. Смирнов, Н.А. Соболев, А.С. Усиков, А.М. Емельянов, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN в области длин волн 1.0-1.6 мкм // Физика и Техника Полупроводников. 1999. - Т. 33. №1. - С. 3-8.
V.Y. Davydov, W.V. Lundin, A.N. Smirnov, N.A. Sobolev, A.S. Usikov, A.M. Emel’yanov, M.I. Mockoviichuk, E.O. Parshin Influence of rapid high-temperature anneals on the photoluminescence of erbium-doped GaN in the wavelength interval 1.0-1.6 mm // Semiconductors. 1999. - V.33. №1. - P. 1-5.
DOI: 10.1134/1.1187636.
N.M. Shmidt, A.V. Lebedev, W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, V.V. Ratnikov, T.V. Shubina, A.A. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, G. Pozina, B. Monemar Effect of Si doping on structural, photo-luminescence and electric properties of GaN / Proceedings of the E-MRS’98 (Strasbourg, France, 16-19 June 1998) // Materials Science and Engineering: B. 1999. - V. 59. №1-3. - P. 195-197.
DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00400-0.
Патент РФ, № 2673515, патент на изобретение «Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы и устройство для его осуществления», Базаревский Д.С., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Талалаев Р.А., Цацульников А.Ф., Яковлев Е.В., дата приоритета 02.02.2017.
Патент РФ, № 169283, патент на полезную модель «Гетероструктурный полевой транзистор InGaAlN/As», Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., дата приоритета 15.11.2016.
Патент РФ, № 169284, патент на полезную модель «Гетероструктурный полевой транзистор», Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Усов С.О., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., дата приоритета 15.11.2016.
Патент РФ, № 2650352, патент на изобретение «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения», Соколовский Г.С., Савченко Г.М., Дюделев В.В., Лундин В.В., Аверкиев Н.С., Сахаров А.В., дата приоритета 27.10.2016.
Патент РФ, № 2642472, патент на изобретение «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения», Соколовский Г.С., Савченко Г.М., Дюделев В.В., Лундин В.В., Аверкиев Н.С., Сахаров А.В., дата приоритета 05.10.2016.
Патент РФ, № 2650597, патент на изобретение «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения», Соколовский Г.С., Савченко Г.М., Дюделев В.В., Лундин В.В., Аверкиев Н.С., Сахаров А.В., дата приоритета 16.12.2015.
Патент РФ, № 2611555, патент на изобретение «Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами», С.А. Блохин, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, В.М. Устинов, дата приоритета 17.12.2015.
Патент РФ, № 2543696 C2, патент на изобретение «Способ формирования массивов квантовых точек повышенной плотности», Калюжный Н.А., Надточий А.М., Жуков А.Е., Максимов М.В., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., дата приоритета 12.07.2013.
Патент РФ, № 2558264 C1, патент на изобретение «Полупроводниковая структура для фотопреобразующего и светоизлучающего устройств», Надточий А.М., Максимов М.В., Жуков А.Е., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., дата приоритета 26.03.2014.
Патент РФ, № 2504048, патент на изобретение «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель», Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., дата приоритета 18.06.2012.
Патент РФ, патент на полезную модель № 124441 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель», Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., дата приоритета 18.06.2012.
Патент РФ, № 119165, патент на полезную модель «Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура (варианты)», Лундин В.В., Заварин Е.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Николаев А.Е., Карпов С.Ю., дата приоритета 03.04.2012.
Патент РФ, № 102849, патент на полезную модель «Светоизлучающий кристалл», Лундин В.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Николаев А.Е., дата приоритета 06.10.2010.
Патент РФ, № 2426197, патент на изобретение «Нитридное полупроводниковое устройство», Ли С.С., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Николаев А.Е., Хан Д.В., Парк Х.С., дата приоритета 04.03.2010.
Патент РФ, № 2414549, патент на изобретение «Способ выращивания слоя нитрида галлия и способ получения нитридного полупроводникового устройства», Ким Ч.С., Яковлев Е.В., Лундин В.В., Талалаев Р.А., дата приоритета 19.02.2009.
Патент РФ, № 2371806, патент на изобретение «Способ изготовления нитридного полупроводника и нитридного полупроводникового устройства p-типа», Парк Х.С., Синицын М.А., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Николаев А.Е., Ли С.С., дата приоритета 20.03.2008.
Патент РФ, № 2369942, патент на изобретение «Светоизлучающий прибор на основе нитридного полупроводника», Ли С.С., Синицын М.А., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульников А.Ф., Николаев А.Е., Парк Х.С., дата приоритета 21.02.2008.
Патент РФ, № 2257640, патент на изобретение «Способ изготовления светоизлучающей структуры и светоизлучающая структура», В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, дата приоритета 28.04.2004.
Patent on invention US patent 6993055 “Resonant cavity device array for WDM application and the fabrication method of the same”, Wang J.S., Wu Y.-T., Maleev N.A., Sakharov A.V., Kovsh A.R., priority date 13.12.2002.
Патент РФ, № 2205468, патент на изобретение «Способ изготовления светоизлучающей структуры на квантовых точках и светоизлучающая структура», В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, дата приоритета 09.07.2002.
Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2017630014 «Тестовый кристалл для контроля технологических параметров при изготовлении СВЧ микросхем на нитриде галлия», Цацульников А.Ф.
