Награды и премии за научную деятельность сотрудников лаборатории.
2018 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды с монолитной активной областью на основе III-N гетероструктур», Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Артеев Д.С.
2016 г., Диплом за лучшую презентацию «InAlN/AlN/GaN heterostructures for high electron mobility transistors»на конференции 3rd International School and Conference Saint Petersburg Open 2016 Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Усов С.О.
2015 г., Премия ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Управление модовым составом излучения полупроводниковых лазеров с широкой апертурой», Гордеев Н.Ю., Паюсов А.С., Шерняков Ю.М., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Максимов М.В.
2015 г., Сертификат «За выдающийся вклад в рецензирование», журнал Journal of Crystal Growth, Лундин В.В.
2011 г., Диплом 8-й Всероссийской Конференции «НИТРИДЫ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ – СТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ» за лучший доклад, сделанный молодым участником, Рожавская М.М.
2009 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды видимого диапазона на основе нитрида галлия», Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Сахаров А.В., С.О. Усов.
2009 г., Премия Санкт-Петербургского государственного университета «За педагогическое мастерство», Дубровский В.Г.
2009 г., Премия для молодых ученых ФТИ «за лучшую научную работу» "Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs", Надточий А.М., Шаталина Е.С., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А.
2008 г., Премия ФТИ за лучшую работу "Гигантская спиновая поляризация электронов в полупроводнике, обусловленная спин-зависимой рекомбинацией", Калевич В.К., Ивченко Е.Л., Ширяев А.Ю., Афанасьев М.М., Егоров А.Ю., Устинов В.М.
2008 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Роль водорода в процессе МО ГФЭ нитридов третьей группы», Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Синицын М.А.
2006 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН за лучшую научную работу, Дубровский В.Г.
2001 г., Best Paper Award, "Gain and threshold characteristics of long wavelength lasers based on InAs/GaAs quantum dots formed by acivated alloy phase separation", IEEE Journal of Quantum Electronics USA. M.V. Maximov, N.N. Ledenstov, D. Bimberg, L.V. Asryan, Y.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Z.I. Alferov, "Gain and threshold characteristics of long wavelength lasers based on InAs/GaAs quantum dots formed by activated alloy phase separation", IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 37, № 5. P. 676-683. (2001), DOI: 10.1109/3.918581.
2000 г., Главная премия. МАИК Наука/Интерпериодика, Устинов В.М.
1999 г., Премия ФТИ за лучшую работу "Многослойные структуры в системе InGaN/GaN/AlGaN и поверхностно-излучающие приборы на их основе", Усиков А.С., Крестников И.Л., Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н.