/
Группа МОС-гидридной эпитаксии и исследования свойств наногетероструктур на основе нитридов III группы
Защиты диссертаций на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук:
Усов С.О., 2016г., «Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN»,
руководитель к.ф.-м.н. А.Ф. Цацульников.
Рожавская М. М., 2014г., «Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния»,
руководитель к.ф.-м.н. Лундин В.В.
Сизов В.С., 2010г., «Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов»,
руководитель к.ф.-м.н. А.Ф. Цацульников.
Заварин Е.Е., 2008г., «Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений»,
руководитель к.ф.-м.н. Лундин В.В.
Сизов Д.С., 2006г., «Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств»,
руководитель д.ф.-м.н. Н.Н. Леденцов.
Сахаров А.В., 2000 г. «Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы»,
руководитель д.ф.-м.н. Н.Н. Леденцов.
Преподавательская деятельность:
Лундин В.В., доцент
Санкт-Петербургский Академический университет
Научно-образовательный центр нанотехнологий РАН,
курс лекций «Газофазная эпитаксия» (с 2009 г.)
В лаборатории проходят практику студенты базовых кафедр ФТИ им. А.Ф.Иоффе различных Санкт-Петербургских ВУЗов: Балтийского государственного технического университета «Военмех» им. Д.Ф. Устинова, Санкт-Петербургского Государственного Электротехнического Университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого и Академического университета (СПбАУ РАН).
