/
Группа МОС-гидридной эпитаксии и исследования свойств наногетероструктур на основе нитридов III группы
Ключевые специалисты:
Руководитель группы: Цацульников Андрей Федорович, д.ф.-м.н., с.н.с.,
тел.: +7 (812) 297-3182
факс: +7 (812) 297-1017
e-mail: andrew@beam.ioffe.ru
Лундин Всеволод Владимирович, к.ф.-м.н., с.н.с.,
тел.: +7 (812) 297-6866
факс: +7 (812) 297-1017
e-mail: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Сахаров Алексей Валентинович, к.ф.-м.н., с.н.с.,
тел.: +7 (812) 297-3182
факс: +7 (812) 297-1017
e-mail: val@beam.ioffe.ru
Впервые в России работы по росту нитридов III группы методом МОС-гидридной эпитаксии из металлорганических соединений были начаты в ФТИ им. А.Ф. Иоффе в 1995 году. К настоящему времени создан существенный задел в области разработки технологии различных типов гетероструктур, включая приборные гетероструктур для опто- и микроэлектроники. Сотрудники лаборатории имеют опыт эксплуатации различных типов установок МОС-гидридной эпитаксии, включая зарубежные установки компаний Aixtron (Германия) и Veeco (США). Совместно с Научно-технологическим центром микроэлектроники и субмикронных гетероструктур разработана и успешно эксплуатируется эпитаксиальная установка Dragon-125 собственной оригинальной конструкции. Разработка технологии и оборудования поддерживается компанией ООО "Софт-Импакт" – STR Group, Inc, которая является мировым лидером в области моделирования процессов МОС-гидридной эпитаксии.
Основные направления научной деятельности:
Базовые исследования технологии МОС-гидридной эпитаксии III-N соединений.
Разработка конструкции и технологии III-N гетероструктур для светоизлучающих приборов, излучающих в УФ и видимом диапазонах, и источников белого света на их основе.
Разработка гетероструктур AlGaN/AlN/GaN и AlInN/AlN/GaN для транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) и МИС на подложках сапфира, кремния и карбида кремния с использованием легирования буферных слоев атомами C и Fe, включая in-situ нанесение Si3N4 диэлектрического покрытия на поверхности гетероструктур.
Селективная МОС-гидридная эпитаксия.
Разработка установок МОС-гидридной эпитаксии для роста III-N гетероструктур.
