Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 


Из событий последних месяцев

  • Поздравляем с присуждением премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники в 2025 году!

    Решением Комитета по присуждению премий Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники от 23 апреля 2025 года в номинации естественные и технические науки – премия им. Л. Эйлера, за цикл работ «Нелинейная динамика, эффекты памяти и кинетика фононов в системах с сильным беспорядком и нанокомпозитах» — канд. физ.-мат. наук  Бельтюкову Ярославу Михайловичу.

  • Поздравление ветеранов и блокадников

    29 апреля 2025 года для наших дорогих ветеранов и блокадников в Институте состоялось торжественное мероприятие-концерт, посвященное 80-й годовщине Победы в Великой Отечественной войне, перед началом которого, с теплыми словами поздравлений выступил директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов.

    Концерт был наполнен популярными музыкальными произведениями, которые исполнили гости из Санкт-Петербургской детской школы искусств имени С.М. Слонимского и Санкт-Петербургской детской школы искусств имени А.П. Бородина. По уже доброй традиции стихи собственного сочинения прочитала Ю.А. Кропотина, всеми любимые песни военных лет под гитару исполнили Б.А. МатвеевС.В. Иванов и В.А. Еремичев. Свои подарки подготовили и дети наших сотрудников - рисунки, посвященные Дню Победы.

    Подробнее

    Выстоявшие,

    Выстрадавшие,

    Свой родимый край

    Через смерть и страх

    На своих плечах вынесшие!

    Не забудем ввек,

    Сохраним в сердцах

    Мы шинели ваши, в солнечных лучах выцветшие,

    И победы ваши, словно из легенд вышедшие,

    И портреты ваши, гордой чистотой дышащие.

    Незабудками зарастут окопы,

    От осколков зла мы очистим тропы,

    Но забыть не сможем дни войны великой,

    В день Победы вспомним мы павших лики,

    Корку хлеба вспомним - сто граммов в день,

    И домов руины, и смерти тень.

    Чтобы в мире жить, будем мы тверды,

    Сохраним мы честь, не боясь беды!

    Чтобы подвиг ваш вдохновлял народ,

    Будем помнить мы сорок пятый год!

     

    Юлия Кропотина 

  • Итоги 8-го симпозиума «Полупроводниковые лазеры: физика и технология».

    15 – 18 апреля 2025 г. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе (16–18 апреля) и СПб Отделении РАН (15 апреля) прошел 8-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». Симпозиум был посвящен 95-летию Нобелевского лауреата Ж.И. Алферова и памяти выдающегося ученого–физика, внесшего огромный вклад в развитие физики полупроводников, академика Р.А. Суриса.

    Подробнее

    В симпозиуме участвовало 140 человек из Санкт-Петербурга, Москвы, Нижнего Новгорода, Новосибирска, Воронежа, Саратова, Обнинска, Минска, Могилева. Половина участников была моложе 35 лет. Было сделано 59 докладов, из них 36 устных и 23 стендовых. Были вручены две Молодежные премии: А.А. Разовой из ИФМ РАН (Нижний Новгород) за устный доклад «Микролазеры инфракрасного диапазона на основе гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe» и П.С. Гавриной из ФТИ им. А.Ф. Иоффе за стендовый доклад «Влияние длины резонатора на уровень пиковой мощности лазеров-тиристоров при генерации импульсов длительностью единицы наносекунд».

    В рамках симпозиума был организован круглый стол «III-N дисковые микролазеры на кремнии: от оптической к токовой накачке», в котором участвовали сотрудники как российских, так и белорусских организаций.

    Благодарим всех за участие в 8-м симпозиуме «Полупроводниковые лазеры: физика и технология».

  • С днем космонавтики!

    12 апреля мы отмечаем годовщину первого полета человека в космос! День космонавтики – это день гордости за добросовестный труд и усилия наших ученых, инженеров и технологов, день гордости за нашу Родину, первой открывшей человеку путь к звездам! Под руководством Ю.А. Дунаева в ФТИ им. А.Ф. Иоффе была разработана технология тепловой защиты для головных частей космических аппаратов и баллистических ракет. Эта технология решила «проблему номер один» и позволила успешно завершить полет Юрия Гагарина.

    Подробнее о вкладе сотрудников нашего  Института в успех первого полета человека в космос можно узнать здесь.

  • Международная выставка «Фотоника. Мир лазеров и оптики»

    1–4 апреля 2025 г. в Москве в Экспоцентре прошла ежегодная 19-я Международная специализированная выставка лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики», в которой ФТИ им. А.Ф. Иоффе традиционно принял участие. В этом году свои последние разработки демонстрировали лаборатории Н.А. Пихтина (полупроводниковые лазеры и приборы на их основе), М.А. Ременного (фотоприемники и светодиоды), Г.С. Соколовского (квантово-каскадные лазеры), С.О. Слипченко (импульсные лазеры и тиристоры), А.В. Шамрая (модуляторы) и группы В.В. Забродского (лавинные фотодиоды). Кроме этого, сотрудники нашего Института приняли активное участие в деловой программе Выставки, выступая с докладами на научно-практических конференциях, круглых столах и заседаниях Советов по оптоэлектронике, радиофотонике и интегральной фотонике.

Основные научные достижения

  • Кремниевый лавинный фотодиод с эффективностью регистрации фотонов 0.65 электронов на фотон в спектральном диапазоне 114-170 нм
  • Технология алмазных наночастиц высокой степени очистки с узким распределением по размерам для нового типа отражателей холодных нейтронов
  • Оптическая ориентация ионов марганца в GaAs:Mn
  • Зарождающийся мультиферроизм в ромбическом Pnma фтороперовските NaMnF3
  • Термоизоляция плазмы сферического токамака Глобус-М2 в условиях сильного магнитного поля
  • Нестационарная фото-ЭДС на динамических решетках в широкозонных полупроводнике Ga2O3
  • Эффект несохранения топологического заряда в коаксиальном лазере
  • Обнаружение карбонат- и бикарбонат-ионов в порошках гидрированного детонационного наноалмаза
  • Певатрон в компактном скоплении звезд Вестерлунд-2
  • Инжекционные источники мощных суб-нс лазерных импульсов на основе полупроводниковых гетероструктур
  • Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства
  • Резонансная брэгговская структура GaN/AlGaN