Web of Science®
ФТИ в 2000–22 гг.
Статей 25425
Цитируемость
суммарная 326761
на статью 12,9
Индекс Хирша 169
G-индекс 286
Scopus®
ФТИ в 2000–22 гг.
Статей 28655
Цитируемость
суммарная 364193
на статью 12,7
Индекс Хирша 180
G-индекс 304

Р.А. Сурис
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024

Основные результаты

Журналы

Предстоящие защиты диссертаций

Минобрнауки

Наука и университеты

Наука и университеты

Десятилетие науки и технологий

Научная электронная библиотека eLIBRARY.RU

Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 

Из событий последних месяцев

  • О выборах в действительные члены и члены-корреспонденты РАН 2025 года

    29 мая 2025 года на общем собрании членов Российской академии наук состоялись выборы академиков РАН и членов-корреспондентов РАН.

    Действительным членом РАН (академиком) избран руководитель Отделения физики плазмы, атомной физики и астрофизики Быков Андрей Михайлович.

    Членами-корреспондентами РАН избраны с.н.с. лаб. новых неорганических материалов Альмяшева Оксана Владимировна и в.н.с. лаб. атомной радиоспектроскопии Вершовский Антон Константинович.

  • Поздравляем с присуждением премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники в 2025 году!

    Решением Комитета по присуждению премий Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники от 23 апреля 2025 года в номинации естественные и технические науки – премия им. Л. Эйлера, за цикл работ «Нелинейная динамика, эффекты памяти и кинетика фононов в системах с сильным беспорядком и нанокомпозитах» — канд. физ.-мат. наук  Бельтюкову Ярославу Михайловичу.

  • Поздравление ветеранов и блокадников

    29 апреля 2025 года для наших дорогих ветеранов и блокадников в Институте состоялось торжественное мероприятие-концерт, посвященное 80-й годовщине Победы в Великой Отечественной войне, перед началом которого, с теплыми словами поздравлений выступил директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов.

    Концерт был наполнен популярными музыкальными произведениями, которые исполнили гости из Санкт-Петербургской детской школы искусств имени С.М. Слонимского и Санкт-Петербургской детской школы искусств имени А.П. Бородина. По уже доброй традиции стихи собственного сочинения прочитала Ю.А. Кропотина, всеми любимые песни военных лет под гитару исполнили Б.А. Матвеев, С.В. Иванов и В.А. Еремичев. Свои подарки подготовили и дети наших сотрудников - рисунки, посвященные Дню Победы.

    Подробнее

    Выстоявшие,

    Выстрадавшие,

    Свой родимый край

    Через смерть и страх

    На своих плечах вынесшие!

    Не забудем ввек,

    Сохраним в сердцах

    Мы шинели ваши, в солнечных лучах выцветшие,

    И победы ваши, словно из легенд вышедшие,

    И портреты ваши, гордой чистотой дышащие.

    Незабудками зарастут окопы,

    От осколков зла мы очистим тропы,

    Но забыть не сможем дни войны великой,

    В день Победы вспомним мы павших лики,

    Корку хлеба вспомним - сто граммов в день,

    И домов руины, и смерти тень.

    Чтобы в мире жить, будем мы тверды,

    Сохраним мы честь, не боясь беды!

    Чтобы подвиг ваш вдохновлял народ,

    Будем помнить мы сорок пятый год!

     

    Юлия Кропотина 

  • Итоги 8-го симпозиума «Полупроводниковые лазеры: физика и технология».

    15 – 18 апреля 2025 г. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе (16–18 апреля) и СПб Отделении РАН (15 апреля) прошел 8-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». Симпозиум был посвящен 95-летию Нобелевского лауреата Ж.И. Алферова и памяти выдающегося ученого–физика, внесшего огромный вклад в развитие физики полупроводников, академика Р.А. Суриса.

    Подробнее

    В симпозиуме участвовало 140 человек из Санкт-Петербурга, Москвы, Нижнего Новгорода, Новосибирска, Воронежа, Саратова, Обнинска, Минска, Могилева. Половина участников была моложе 35 лет. Было сделано 59 докладов, из них 36 устных и 23 стендовых. Были вручены две Молодежные премии: А.А. Разовой из ИФМ РАН (Нижний Новгород) за устный доклад «Микролазеры инфракрасного диапазона на основе гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe» и П.С. Гавриной из ФТИ им. А.Ф. Иоффе за стендовый доклад «Влияние длины резонатора на уровень пиковой мощности лазеров-тиристоров при генерации импульсов длительностью единицы наносекунд».

    В рамках симпозиума был организован круглый стол «III-N дисковые микролазеры на кремнии: от оптической к токовой накачке», в котором участвовали сотрудники как российских, так и белорусских организаций.

    Благодарим всех за участие в 8-м симпозиуме «Полупроводниковые лазеры: физика и технология».

  • С днем космонавтики!

    12 апреля мы отмечаем годовщину первого полета человека в космос! День космонавтики – это день гордости за добросовестный труд и усилия наших ученых, инженеров и технологов, день гордости за нашу Родину, первой открывшей человеку путь к звездам! Под руководством Ю.А. Дунаева в ФТИ им. А.Ф. Иоффе была разработана технология тепловой защиты для головных частей космических аппаратов и баллистических ракет. Эта технология решила «проблему номер один» и позволила успешно завершить полет Юрия Гагарина.

    Подробнее о вкладе сотрудников нашего  Института в успех первого полета человека в космос можно узнать здесь.

Основные научные достижения

  • Фотоэлектрические устройства AlGaAs/GaAs для преобразования лазерного излучения (800-860 нм) сверхвысокой плотности
  • Полевые транзисторы на основе гетероструктур 2D-полупроводник — эпитаксиальный фторид для микроэлектроники нового поколения
  • Малощумяшие диодные оптопары на основе InAs
  • Монодисперсные композитные частицы на основе нанопористого оксида кремния для диагностики и терапии онкологических заболеваний
  • Анализ резкости границ раздела в короткопериодных сверхрешетках GaN/AlN по данным спектроскопии КРС
  • Сканирующая NV спектроскопия как инновационный метод изучения и диагностики природных алмазов и их скрытокристаллических форм
  • Деформационная инженерия экситонных и экситон-поляритонных состояний в наноструктурах на основе слоистых полупроводников
  • Керамические материалы на основе многокомпонентных СВЧ ферритов как функциональная основа современных радиолокационных систем
  • Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров
  • Квантовая акусто-электронная диагностика двумерных систем с высокой подвижностью носителей
  • Высококачественный графен на SiC для электронных приборов нового поколения
  • Термоизоляция плазмы сферического токамака Глобус-М2 в условиях сильного магнитного поля