Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 


Из событий последних месяцев

  • Визит Министра науки и высшего образования РФ В.Н. Фалькова

    26 сентября 2025 г. ФТИ им. А.Ф. Иоффе посетил Глава Минобрнауки России, Валерий Николаевич Фальков. В ходе визита, Министр ознакомился с результатами работы молодежных лабораторий нашего Института — в лаборатории лазерных излучателей для компактных атомных сенсоров В.Н. Фалькову были представлены разработки уникальных вертикально-излучающих лазеров для создания квантовых стандартов частоты, компактных оптических гироскопов и магнетометров и высокоскоростной передачи данных. В лаборатории материалов и процессов водородной энергетики – технологии получения многокомпонентных ферритов и создания керамических изделий на их основе для решения задач импортозамещения и опережающего развития в области СВЧ-радиоэлектроники.

    Также Глава Минобрнауки посетил лабораторию квантовой фотоники, которая является лидером в России по молекулярно-пучковой эпитаксии и квантовой фотонике и успешно выполняет проекты Дорожной карты ГК «Росатом» по квантовым вычислениям и ОАО «РЖД» по квантовым коммуникациям 2025-2030 гг.

    Директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов также рассказал о планах по развитию нашего Института, о реализации проекта по созданию Центра современной импортозамещающей гетероструктурной электронной компонентной базы, основная задача которого – проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, направленных на создание отечественных аналогов импортной электроники и разработка новых полупроводниковых приборов.

    «Институт достаточно динамично развивается. Мы как учредители готовы вас поддержать, в том числе по вопросам, связанным с инфраструктурным развитием. Но помимо этого, первое и самое главное – это идеи, люди, то видение, куда развивается Физтех», – сказал В.Н. Фальков.

    Подробнее...

  • О круглом столе «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы» форума «Микроэлектроника 2025»

    В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы», проводившегося на форуме «Микроэлектроника 2025» директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе,  член-корреспондент РАН С.В. Иванов выступил с докладом о текущих разработках нашего Института в области широкозонной фотоники и электроники на основе перспективных материалов: нитрида галлия, карбида кремния и оксида галлия.

    Подробнее в материале пресс-службы РАН

  • В стране созрел класс потребителей отечественной компонентной базы

    Под таким заголовком опубликовано интервью директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе, член-корр. РАН С.В. Иванова, которое он дал «Известиям» на полях Форума «Микроэлектроника-2025» и рассказал передовых разработках нашего Института в области оптической микроэлектроники.

    Подробнее...

  • XIX Межгосударственная конференция «Термоэлектрики и их применения»

    С 25 по 28 августа 2025 года состоялась XIX Межгосударственная конференция «Термоэлектрики и их применения»  (ISCTA 2025). Организаторами конференции выступили ФТИ им. А.Ф. Иоффе, АУ  им. Ж.И. Алфёрова, Объединённый Научный Совет РАН «Энергетические системы и комплексы», Российское Термоэлектрическое Общество.

    В конференции приняли участие ученые, инженеры, аспиранты и студенты ведущих академических и отраслевых институтов и университетов, государственных и частных компаний, а также ученые из ближнего и дальнего зарубежья. Всего в конференции приняло участие 105 человек из 14 городов России и двух стран.

    28 августа 2025 года в рамках конференции состоялся круглый стол «Актуальные прикладные проблемы в области термоэлектрического преобразования-взаимодействие науки и промышленности» на который были приглашены ведущие научные специалисты и руководители компаний занимающихся выпуском термоэлектрических преобразователей. В рамках этого мероприятия обсуждались вопросы практического взаимодействия научных лабораторий, ведущих исследования в области термоэлектрического преобразования, и организаций, ведущих прикладные разработки, в которых используются или могут быть использованы термоэлектрические технологии.

  • О сотрудничестве с Институтом физики плазмы Китайской академии наук

    14 августа в офисе Частного учреждения ГК «Росатом» «Проектный центр ИТЭР» (г. Москва) состоялось подписание «Меморандума о взаимопонимании» относительно тесного сотрудничества в области физики плазмы, управляемого термоядерного синтеза (УТС) и сопутствующих диагностических технологий между Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе РАН, в лице директора С.В. Иванова, и Институтом физики плазмы Китайской академии наук (ФП КАН, AS IPP, Хэфэй), в лице директора ФП КАН Yuntao Song (Юнтао Сун). Данный Меморандум предполагает участие в совместных научных исследованиях по УТС, в том числе, разработке токамаков BEST и Глобус-3, развитии высшего образования в области УТС и обмене научными кадрами. На торжественной церемонии присутствовали Директор ЧУ «Проектный центр ИТЭР» А.В. Красильников, мэр г. Хэфэй Luo Yunfeng (Ло Юньфэй), а также директор АО «НИКИЭТ им. Н.А. Доллежаля» А.В. Каплиенко и президент Союза развития наукоградов России В.В. Сиднев. В ходе переговоров стороны также рассмотрели возможности расширения сотрудничества между ФТИ им. А.Ф. Иоффе и другими физическими институтами научно-технологического центра Хэфэя. Стороны обменялись также приглашениями к взаимным визитам руководства и специалистов ФТИ им. А.Ф. Иоффе и ASIPP.

Основные научные достижения

  • Толстые гомоэпитаксиальные пленки, выращенные на подложке (2 ̅01) β-Ga2O3 методом mist-CVD
  • Металлоорганический перовскитный перезаписываемый мемристор для нейроморфных операций
  • Мощные квантово-каскадные лазеры среднего инфракрасного диапазона
  • Зависимость сверхпроводящих свойств твердых растворов (PbzSn1-z)0.95In0.05Te от состава материала и гидростатического сжатия
  • Спектр экситонных состояний в атомарно тонких слоях дихалькогенидов переходных металлов и его изменение под воздействием напряжений
  • Высокоточный позиционно-чувствительный датчик с подвижной апертурой (Мультискан)
  • Способ контроля температуры рабочего торца оптоволокна лазерного ?скальпеля? и устройство для его реализации
  • Высокоэффективные фотоэлектрические преобразователи с «торцевым» вводом мощного лазерного излучения
  • Технология алмазных наночастиц высокой степени очистки с узким распределением по размерам для нового типа отражателей холодных нейтронов
  • Атмосферы и излучающие поверхности нейтронных звёзд с сильным магнитным полем
  • Разработка технологии изготовления светодиодов для кремниевой оптоэлектроники
  • Разработка детекторного кластера на основе кремниевых фотоумножителей для черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT