Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 

 

Из событий последних месяцев

  • О создании новой молодежной лаборатории

    В апреле 2024 года в рамках реализации национального проекта «Наука и университеты» в нашем Институте создана новая молодежная лаборатория.

    Заведующей лабораторией спин-фотонных полупроводниковых систем для квантовых технологий стала Успенская Юлия Александровна.

    Поздравляем коллектив лаборатории и желаем выдающихся научных достижений!

  • День космонавтики

    12 апреля 1961 года Юрий Алексеевич Гагарин первым в мире совершил полет в космос, открыв человечеству дорогу к новым горизонтам! Величайшее мировое событие стало триумфом нашей страны, нашего народа – праздником для всех и каждого, но, в особенности, для тех, кто своими усилиями в лабораториях, на заводах, на испытательных стендах, своей волей и трудом, своими знаниями и умениями создали сегодняшний День космонавтики!

  • Турнир памяти Ж.И. Алфёрова по волейболу

    Сборная команда нашего Института заняла I место и была награждена кубком первого турнира по волейболу памяти Ж.И. Алферова, прошедшем 30 марта в Академическом Университете!

    В честной борьбе работники и аспиранты ФТИ обыграли соперников из ЛЭТИ (II место), Политеха Петра Великого и АУ (разделили III место). Отметим, что наша команда показала высокий уровень сплочённости, а Шаверов Артем Сергеевич был признан лучшим игроком турнира! Не последнюю роль в победе сыграла поддержка директора Института, Сергея Викторовича Иванова!

    Жмём руку всем участникам! Так держать!

    Подробнее
  • ФТИ им. А.Ф. Иоффе на выставке «Фотоника. Мир лазеров и оптики-​2024»

    В этом году 26-29 марта на территории ЦВК «ЭКСПОЦЕНТР» (г. Москва) проводилась 18‑я международная специализированная выставка лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики-​2024».

    Среди 262 стендов компаний из Армении, Республики Беларусь, Китая и России на выставочной площади присутствовал стенд ФТИ им. А.Ф. Иоффе (FC120), на котором были продемонстрированы новейшие разработки, уникальные приборы, оборудование, решения, применимые в самых разных отраслях промышленности.

    На стенде ФТИ им. А.Ф. Иоффе были представлены следующие подразделения:

    • Лаборатория полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
    • Лаборатория инфракрасной оптоэлектроники
    • Лаборатория квантоворазмерных гетероструктур
    • Лаборатория квантовой электроники

       

Основные научные достижения

  • Высокочувствительная томсоновская диагностика быстрых процессов в горячей плазме токамаков
  • Кремниевый лавинный фотодиод с эффективностью регистрации фотонов 0.65 электронов на фотон в спектральном диапазоне 114-170 нм
  • Долгоживущие квантовые состояния ансамбля кубитов в волноводе
  • Резонансная брэгговская структура GaN/AlGaN
  • Новые спиновые явления в полупроводниковых коллоидных нанокристаллах
  • Интегрально-оптический СВЧ-модулятор
  • Нестационарная фото-ЭДС на динамических решетках в широкозонных полупроводнике Ga2O3
  • Метаморфные наногетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As/GaAs для электроники и оптоэлектроники среднего ИК диапазона 2.6—4.5 мкм
  • Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs
  • Многополосное излучение наностержней типа «ядро-оболочка» с InGaN/GaN квантовыми ямами
  • Экспериментальный стенд оптически детектируемого магнитного резонанса для исследования ансамблей NV-центров в алмазных пластинах
  • Квантование экситон-поляритонного конденсата в микрорезонаторе