Прием в аспирантуру 2025

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей 25425
Цитируемость
суммарная 326761
на статью 12,9
Индекс Хирша 169
G-индекс 286
Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей 28655
Цитируемость
суммарная 364193
на статью 12,7
Индекс Хирша 180
G-индекс 304

Основные результаты

Журналы

Предстоящие защиты диссертаций

Минобрнауки

Наука и университеты

Наука и университеты

Десятилетие науки и технологий

Научная электронная библиотека eLIBRARY.RU

Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 

Из событий последних месяцев

  • 145 лет со дня рождения академика А.Ф. Иоффе

    Сегодня, 29 октября 2025 года, исполняется 145 лет со дня рождения выдающегося российского и советского учёного, организатора науки, обыкновенно именуемого «отцом советской физики», академика, вице-президента АН СССР, Героя Социалистического Труда, Лауреата Сталинской и Ленинской премий, одного из создателей отечественной школы физиков, пионера исследований полупроводников и инициатора исследований атомного ядра, основателя нашего Института — академика Абрама Фёдоровича Иоффе!

    Подробнее...

  • Выставка Иосифа Зисмана «Форма цвета»

    Приглашаем Вас на открытие выставки работ художника Иосифа Зисмана «Форма цвета», которое состоится завтра, во вторник, 28 октября, в 17:30 в читальном зале Библиотеки.

  • Первый отечественный матричный фотоприемник на основе коллоидных квантовых точек

    В ГНЦ РФ «НПО «Орион» совместно с лабораторией фотоприемников на квантовых точках ФТИ им. А.Ф. Иоффе (рук. К.В. Рейх) и МФТИ, при поддержке Фонда перспективных исследований, создана первая в России фотоприемная матрица на коллоидных квантовых точках формата 640×512 с шагом пикселей 15 мкм, позволяющая регистрировать излучение в расширенном спектральном диапазоне от видимого до коротковолнового инфракрасного 0.4–2.0 мкм.

    Подробнее...

  • Визит Министра науки и высшего образования РФ В.Н. Фалькова

    26 сентября 2025 г. ФТИ им. А.Ф. Иоффе посетил Глава Минобрнауки России, Валерий Николаевич Фальков. В ходе визита, Министр ознакомился с результатами работы молодежных лабораторий нашего Института — в лаборатории лазерных излучателей для компактных атомных сенсоров В.Н. Фалькову были представлены разработки уникальных вертикально-излучающих лазеров для создания квантовых стандартов частоты, компактных оптических гироскопов и магнетометров и высокоскоростной передачи данных. В лаборатории материалов и процессов водородной энергетики – технологии получения многокомпонентных ферритов и создания керамических изделий на их основе для решения задач импортозамещения и опережающего развития в области СВЧ-радиоэлектроники.

    Также Глава Минобрнауки посетил лабораторию квантовой фотоники, которая является лидером в России по молекулярно-пучковой эпитаксии и квантовой фотонике и успешно выполняет проекты Дорожной карты ГК «Росатом» по квантовым вычислениям и ОАО «РЖД» по квантовым коммуникациям 2025-2030 гг.

    Директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов также рассказал о планах по развитию нашего Института, о реализации проекта по созданию Центра современной импортозамещающей гетероструктурной электронной компонентной базы, основная задача которого – проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, направленных на создание отечественных аналогов импортной электроники и разработка новых полупроводниковых приборов.

    «Институт достаточно динамично развивается. Мы как учредители готовы вас поддержать, в том числе по вопросам, связанным с инфраструктурным развитием. Но помимо этого, первое и самое главное – это идеи, люди, то видение, куда развивается Физтех», – сказал В.Н. Фальков.

    Подробнее...

  • О круглом столе «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы» форума «Микроэлектроника 2025»

    В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы», проводившегося на форуме «Микроэлектроника 2025» директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе,  член-корреспондент РАН С.В. Иванов выступил с докладом о текущих разработках нашего Института в области широкозонной фотоники и электроники на основе перспективных материалов: нитрида галлия, карбида кремния и оксида галлия.

    Подробнее в материале пресс-службы РАН

Основные научные достижения

  • Обнаружение ферромагнитно связанных пар марганца в ван-дер-ваальсовом слоистом кристалле сульфида галлия методом высокочастотного ЭПР
  • Спектроскопия одиночных квантовых точек в квантовых нитях
  • Монослойные гетероструктуры GaN/AlN для ультрафиолетовой фотоники
  • Керамические материалы на основе многокомпонентных СВЧ ферритов как функциональная основа современных радиолокационных систем
  • Исследования энергичных ионов на отечественных компактных установках, открывающие возможность создания нейтронного источника на основе сферического токамака
  • Динамика взаимодействий важных для биологии молекул, возбуждаемых фемтосекундными импульсами лазера
  • Высокотемпературная суперлинейная люминесценция в светодиодных гетероструктурах II типа на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами в зоне проводимости
  • Метаморфные гетероструктуры In0.75Ga0.25As/InAlAs/GaAs для HEMT-транзисторов нового поколения
  • Автокапсулированные наночастицы металла в матрицах на основе гидросиликатных наносвитков
  • Определение эффективности захвата возбуждения излучательных уровней редкоземельных ионов при возбуждении электронным пучком