Прием в аспирантуру 2025

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей 25425
Цитируемость
суммарная 326761
на статью 12,9
Индекс Хирша 169
G-индекс 286
Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей 28655
Цитируемость
суммарная 364193
на статью 12,7
Индекс Хирша 180
G-индекс 304

Основные результаты

Журналы

Предстоящие защиты диссертаций

Минобрнауки

Наука и университеты

Наука и университеты

Десятилетие науки и технологий

Научная электронная библиотека eLIBRARY.RU

Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 

Из событий последних месяцев

  • Конференция «Надёжность полупроводниковых лазеров и приборов на их основе. Современные методы повышения надёжности»

    9 июня 2025 г. в стенах ФТИ им. А.Ф. Иоффе прошла научно-техническая конференция «Надёжность полупроводниковых лазеров и приборов на их основе. Современные методы повышения надёжности» организованная Институтом и компанией ООО «Остек-ЭК».

    Конференция содержала как научные доклады, так и вопросы масштабирования научных достижений, внедрение разработанных подходов и методик в массовое производство. Активно обсуждались возможные форматы взаимодействия между научными лабораториями, представителями производства, организациями, предоставляющими высокотехнологичное оборудование, и конечными потребителями.

    Спикерами на конференции являлись ведущие специалисты ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ООО «Остек-ЭК», АО «ЗНТЦ», Сколтех и ООО «ИННФОКУС».

    Организаторы конференции в лице фирмы ООО «Остек-ЭК» и лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (зав. лаб. Пихтин Н.А.) надеются на продолжение данного формата конференции и создания регулярных встреч.

  • О выборах в действительные члены и члены-корреспонденты РАН 2025 года

    29 мая 2025 года на общем собрании членов Российской академии наук состоялись выборы академиков РАН и членов-корреспондентов РАН.

    Действительным членом РАН (академиком) избран руководитель Отделения физики плазмы, атомной физики и астрофизики Быков Андрей Михайлович.

    Членами-корреспондентами РАН избраны с.н.с. лаб. новых неорганических материалов Альмяшева Оксана Владимировна и в.н.с. лаб. атомной радиоспектроскопии Вершовский Антон Константинович.

  • Поздравляем с присуждением премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники в 2025 году!

    Решением Комитета по присуждению премий Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся результаты в области науки и техники от 23 апреля 2025 года в номинации естественные и технические науки – премия им. Л. Эйлера, за цикл работ «Нелинейная динамика, эффекты памяти и кинетика фононов в системах с сильным беспорядком и нанокомпозитах» — канд. физ.-мат. наук  Бельтюкову Ярославу Михайловичу.

  • Поздравление ветеранов и блокадников

    29 апреля 2025 года для наших дорогих ветеранов и блокадников в Институте состоялось торжественное мероприятие-концерт, посвященное 80-й годовщине Победы в Великой Отечественной войне, перед началом которого, с теплыми словами поздравлений выступил директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе С.В. Иванов.

    Концерт был наполнен популярными музыкальными произведениями, которые исполнили гости из Санкт-Петербургской детской школы искусств имени С.М. Слонимского и Санкт-Петербургской детской школы искусств имени А.П. Бородина. По уже доброй традиции стихи собственного сочинения прочитала Ю.А. Кропотина, всеми любимые песни военных лет под гитару исполнили Б.А. Матвеев, С.В. Иванов и В.А. Еремичев. Свои подарки подготовили и дети наших сотрудников - рисунки, посвященные Дню Победы.

    Подробнее

    Выстоявшие,

    Выстрадавшие,

    Свой родимый край

    Через смерть и страх

    На своих плечах вынесшие!

    Не забудем ввек,

    Сохраним в сердцах

    Мы шинели ваши, в солнечных лучах выцветшие,

    И победы ваши, словно из легенд вышедшие,

    И портреты ваши, гордой чистотой дышащие.

    Незабудками зарастут окопы,

    От осколков зла мы очистим тропы,

    Но забыть не сможем дни войны великой,

    В день Победы вспомним мы павших лики,

    Корку хлеба вспомним - сто граммов в день,

    И домов руины, и смерти тень.

    Чтобы в мире жить, будем мы тверды,

    Сохраним мы честь, не боясь беды!

    Чтобы подвиг ваш вдохновлял народ,

    Будем помнить мы сорок пятый год!

     

    Юлия Кропотина 

  • Итоги 8-го симпозиума «Полупроводниковые лазеры: физика и технология».

    15 – 18 апреля 2025 г. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе (16–18 апреля) и СПб Отделении РАН (15 апреля) прошел 8-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». Симпозиум был посвящен 95-летию Нобелевского лауреата Ж.И. Алферова и памяти выдающегося ученого–физика, внесшего огромный вклад в развитие физики полупроводников, академика Р.А. Суриса.

    Подробнее

    В симпозиуме участвовало 140 человек из Санкт-Петербурга, Москвы, Нижнего Новгорода, Новосибирска, Воронежа, Саратова, Обнинска, Минска, Могилева. Половина участников была моложе 35 лет. Было сделано 59 докладов, из них 36 устных и 23 стендовых. Были вручены две Молодежные премии: А.А. Разовой из ИФМ РАН (Нижний Новгород) за устный доклад «Микролазеры инфракрасного диапазона на основе гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe» и П.С. Гавриной из ФТИ им. А.Ф. Иоффе за стендовый доклад «Влияние длины резонатора на уровень пиковой мощности лазеров-тиристоров при генерации импульсов длительностью единицы наносекунд».

    В рамках симпозиума был организован круглый стол «III-N дисковые микролазеры на кремнии: от оптической к токовой накачке», в котором участвовали сотрудники как российских, так и белорусских организаций.

    Благодарим всех за участие в 8-м симпозиуме «Полупроводниковые лазеры: физика и технология».

Основные научные достижения

  • Мощные квантово-каскадные лазеры среднего инфракрасного диапазона
  • Высоковольтные полупроводниковые коммутаторы мощных быстро нарастающих импульсов тока
  • Зонная структура, фононный спектр и термоэлектрические свойства Ag3CuS2
  • Системы слежения за Солнцем и мониторинга параметров концентраторных солнечных батарей
  • Зависимость сверхпроводящих свойств твердых растворов (PbzSn1-z)0.95In0.05Te от состава материала и гидростатического сжатия
  • Пространственное и временное распределение энергии в солнечных импульсных вспышках на основе многоволновых наблюдений и 3D моделирования
  • Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров
  • Термоизоляция плазмы сферического токамака Глобус-М2 в условиях сильного магнитного поля
  • Раскрытие энергетической щели в спектре топологических поверхностных состояний BiSbTeSe2 в результате ферромагнитного переупорядочения поверхности
  • Новый контрастный агент для магниторезонансной томографии на основе наноалмазов
  • Эффект аномального рассеяния пучков СВЧ волн обыкновенной поляризации в периферийном транспортном барьере токамака
  • Экситонная люминесценция в нанотрубках на основе дихалькогенидных соединений