Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 25425 |
Цитируемость | |
суммарная | 326761 |
на статью | 12,9 |
Индекс Хирша | 169 |
G-индекс | 286 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 28655 |
Цитируемость | |
суммарная | 364193 |
на статью | 12,7 |
Индекс Хирша | 180 |
G-индекс | 304 |
C 15 по 17 марта 2017 года в ФТИ им. А.Ф. Иоффе прошла Международная научная школа «Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур», участие в которой приняли более 90 человек.
Лекции для участников школы читались 5 ведущими иностранными экспертами из Германии, Франции и Финляндии и 10 российскими учеными из передовых технологических центров, таких как ИФП СО РАН (Новосибирск), НИЯУ МИФИ (Москва) и ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
C 19 по 22 марта 2017 года в парк-отеле «Золотая Долина» (Коробицыно, Лен. область) прошел 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) (EuroMBE19), собравший 130 участников из 15 стран.
В рамках симпозиума состоялась выставка оборудования МПЭ и сопутствующих технологий и материалов, в которой приняли участие 11 ведущих иностранных и российских компаний, среди которых RIBER, Veeco, Wafer Technology, SemiTEq, Azelis и др.
С программой и тезисами докладов симпозиума можно ознакомиться на сайте.
О симпозиуме
Этому мероприятию предшествовали симпозиумы в Л’Алп д’Юэз (Франция, 2011), Леви (Финляндия, 2013) и Канацей (Италия, 2015) в серии, начавшейся в 1981.
В симпозиуме приняло участие более 130 участников из 13 стран Европы, а также США и Китая, которые представили 15 приглашенных, 32 устных и около 60 стендовых докладов. Число участников из РФ превысило 40 человек. В выставке оборудования МПЭ и сопутствующих технологий и материалов симпозиума приняли участие 11 ведущих иностранных и российских компаний, среди которых RIBER, Veeco, Wafer Technology, SemiTEq, Azelis и др.
Симпозиум проводился при частичной поддержке РНФ (грант 15-12-30022) и РФФИ.
О школе
Круг рассмотренных в рамках Школы технологий включал молекулярно-пучковую и газофазную эпитаксии из металлорганических соединений, а также сублимационные, лазерные и химические методы осаждения.
Среди новых материалов, помимо низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур на основе классических соединений А3В5, выращиваемых на гомоэпитаксиальных подложках и на Si, рассматривались наноструктуры на основе нитридов III группы, гетероструктуры широкозонных и узкозонных соединений А2В6, оксидов железа, наноструктуры на основе Si-Ge, эпитаксиальные пленки графена, пленки органических соединений и композитов на их основе.
Школа также проводилась при поддержке гранта РНФ 15-12-30022.