Проблема неоднородности внутренней структуры кристаллических материалов электронной техники не решена до сих пор. Реальные кристаллы содержат микронеоднородности с размерами от долей микрона до нескольких микрон: трещины, поры, включения и области, в которых наблюдается слабое изменение плотности по отношению к матрице. Полную картину с изображением этих дефектов можно получить неразрушающим методом фазово-контрастного изображения объектов на просвет в синхротронном излучении (СИ). Однако для определения их параметров, а именно: размеров, формы, плотности распределения, требуется развивать способы решения обратной задачи. Экспериментально исследованы монокристаллы карбида кремния (SiC) большого диаметра (6–8 дюймов) для промышленных применений. Разработана количественная фазово–контрастная технология для диагностики микропор в пространственно-неограниченном пучке СИ от источников с малым эмиттансом. Путем моделирования изображений микропор установлены закономерности их образования и эволюции при кристаллизации SiC.

Публикации

1. Т. С. Аргунова, В. Г. Кон. Исследование микропор в монокристаллах методом фазово–контрастного изображения на просвет в синхротронном излучении, Успехи Физических Наук, 2019, Том 189, 6, cтр. 643-658