Продемонстрирован эффективный процесс изготовления датчиков магнитного поля на основе наночастиц 6H-SiC с вакансионными центрами кремния, совмещенных с зондами атомно-силового микроскопа. Измерение магнитного поля такими датчиками происходит с помощью метода оптически детектируемого магнитного резонанса и эффекта антипересечения глубоких уровней со спином 3/2. Наночастица 6H-SiC устанавливалась на острие кантилевера. Преимущество таких сенсоров по сравнению с промышленными аналогами заключается в отсутствии у наночастиц SiC собственного магнитного поля. Исключение необходимости в дополнительной радиочастотной накачке за счет использования эффекта антипересечения уровней и фотолюминесценция в ближней инфракрасной области открывает возможность регистрировать распределение магнитного поля в биологических средах.

Публикации

1. К.В. Лихачев и др., Письма в ЖЭТФ, 116, 11, 810 (2022)