Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высоко -температурной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). В данной работе линейный размер выращенных образцов был ограничен только размерами подложки (15мм) (Рис.1), однако этот метод позволяет выращивать монокристаллы SiC диаметром до 4 дюймов. Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высоко качественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Методом ФЛ было установлено, что в процессе высокотемпературного роста монокристаллы hBN оказываются легированными примесью углерода (Рис.2). Дефекты, связанные с примесью углерода в hBN представляют интерес с точки зрения создания на их основе источников одиночных фотонов. Люминесценция таких дефектов в hBN является спин зависимой, что открывает перспективы их использования для квантовых технологий.

Публикации

1. Е.Н. Мохов, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, С.С. Нагалюк. Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации. Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, вып.10, с.1011-1015