Разработана новая триодная методика для исследования вольт-амперных характеристик в сильных электрических полях, что позволило впервые обнаружить отрицательную дифференциальную проводимость, обусловленную блоховскими осцилляциями в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния. Пороговые поля блоховских осцилляций в политипах 8Н-, 6Н-, 4Н-SiC (110, 150 и 290 кВ/см) изменяются в соответствии с меняющейся шириной первой минизоны в этих политипах, что убедительно свидетельствует об указанной выше природе отрицательной дифференциальной проводимости. Амплитуда отрицательной проводимости по абсолютной величине равна или превосходит значение дифференциальной проводимости на положительном участке вольт-амперных характеристик, что свидетельствует о стабильном, незатухающем характере блоховских осцилляций. Полученные результаты важны для создания эффективных твердотельных источников и усилителей микроволнового и терагерцового излучения.