При исследовании планарного квантового магнитотранспорта в одиночных разъединенных гетероструктурах GaInAsSb/p-InAs с 2D электронным каналом на гетерогранице в сильных магнитных полях до 35 Тл при Т=1.8 К впервые показано, что в ультраквантовом пределе (ν≤1) при одновременном заполнении первых уровней Ландау для 2D-электронов и пограничных состояний на гетерогранице II типа происходит переход из полуметаллического состояния (режим квантового эффекта Холла для электронов в канале на интерфейсе) в диэлектрическое состояние в условиях антипересечения дисперсионных кривых для электронных и пограничных дырочных состояний.

Впервые были проведены исследования вертикального магнитотранспорта (вектор тока направлен параллельно вектору магнитного поля и нормали к плоскости гетероперехода) в магнитных полях до 14 Тл при Т=1.4-4.2 К. Показано, что увеличение локализации двумерных электронов в полуметаллическом канале на гетерогранице приводит к образованию «мягкой» кулоновской щели в туннельной плотности состояний. Обнаружен переход в диэлектрическое состояние (жесткая энергетическая щель) при величине проводимости σ_tun~10^-8 Ом^-1, когда плотность состояний на уровне Ферми пренебрежимо мала по сравнению с интервалом энергий между соседними уровнями Ландау в магнитном поле.