Достигнут фундаментальный предел импульсной оптической мощности, ограниченный конечной величиной времени энергетической релаксации носителей заряда в активной области. Предложен и реализован способ радикального увеличения оптической мощности импульсного полупроводникового лазера последовательной эпитаксиальной интеграцией нескольких туннельно-связанных лазерных гетероструктур. Созданы лазерные матрицы с мощностью излучения более 2.5 кВт с апертуры в 1 мм² для оптических систем метрологии, дальнометрии, навигации и медицинской аппаратуры.