Обнаружено, что оптические и электрические свойства нанокомпозитов InN/In радикально отличаются от свойств полупроводниковой матрицы. Показано, что в данных материалах происходит плазмонное усиление на два порядка интенсивности оптических процессов, различаются энергии краев фототока и поглощения, а также обнаружены аномальные зависимости коэффициента Холла от магнитного поля, проводимости от температуры и магнитного поля.