• Год:2011
    Авторы:Грехов,ИВ; Костина,ЛС; Рожков,АВ
    Подразделения:

    Основным активным элементом современных мощных полупроводниковых преобразователей, через которые проходит более 60% всей вырабатываемой электроэнергии в мире, является биполярно-полевой транзистор, IGBT. Российская преобразовательная техника развивается, в основном, за счет импорта этих прибров, годовой объем которого превышает 2 млрд. долларов. В ФТИ им. Иоффе создан отечественный аналог IGBT — интегральный тиристор (ИТ), элементарными ячейками чипа которого являются микротиристоры, одновременное управление которыми производится одним полевым транзистором. Были разработаны также чип ультрабыстрого диода с «мягким» восстановлением, включаемый встречно-параллельно ИТ в силовом модуле, а также чип полевого транзистора для управления ИТ. Динамические характеристики прибора соответствуют характеристиками IGBT ведущих фирм мира, а статические потери в 1.5-2 раза меньше. Существенное упрощение конструкции силовых чипов дало возможность организовать их производство на сохранившихся в России технологических линиях ВЗПП-Микрон с топологическим разрешением 1.5-2 мкм. Таким образом, положено начало созданию производства силовых модулей на основе Российских чипов, т.е. созданию в России собственной силовой микроэлектроники.

    На рис. показан опытный образец силового модуля с полевым управлением на ток 600 А и напряжение 4.5 кВ на основе чипов Российского производства.