• Год:2012
    Авторы:Яковлев,ЮП; Андреев,ИА; Куницына,ЕВ; Михайлова,МП; Ильинская,НД; Яссиевич,ИН
    Подразделения:

    На основе узкозонных полупроводников III-V и их твердых растворов созданы лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения GaInAsSb и умножения GaAlSb («резонансного»состава), работающие при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.6—4.0 мкм и обладающие сверхнизким коэффициентом избыточного шума F~1.6 (M=10). C использование новых конструктивных решений - разделение фоточувствительной и контактной мез с применением технологии «air-bridge» контакта разработаны сверхбыстродействующие GaInAsSb/GaAlAsSb и InAsSb/InAsSbP p-i-n фотодиоды для спектрального диапазона 1.1—4.0 мкм, что позволило снизить величину емкости фотодиодов и достигнуть рекордного быстродействия 50-150 пс (полоса пропускания ≥ 2-5 ГГц).

    Иллюстрации

    Обнаружительная способность быстродействующих фотодиодов с красными границами спектральной чувствительности 2.4, 2.5, 3.6, 4.3 и 4.8 мкм Изображение фотодиода «мостиковой» конструкции, полученное с помощью растрового электронного микроскопа (a) микрофотография фотодиода, (b) 1 — меза с контактной площадкой, 2 — светочувствительная меза, 3 — фронтальный мостиковый контакт
    Осциллограмма импульса фототока p-i-n GaSb/GaSbInAs/GaAlAsSb гетерофотодиода при засветке лазерным импульсом излучения с длиной волны 1.3 мкм Коэффициенты ионизации (a) InAs светлые кружки — b темные кружки — a; (b) Ga1-xAlxSb — светлые, темные кружки — x = 0; светлые, темные треугольники — x = 0.07; сетлые, темные квадраты — x = 0.2 светлые символы — b, темные символы — a