• Год:2012
    Авторы:Микушкин,ВМ; Шнитов,ВВ; Дидейкин,АТ; Алексенский,АЕ; Брунков,ПН; Кириленко,ДА
    Подразделения:

    Продемонстрирована возможность управления шириной запрещённой зоны оксида графена и оксида графита в широком энергетическом интервале от ближнего ультрафиолетового до инфракрасного диапазона. Получены плёнки графена на диэлектрической поверхности, соответствующие лучшим мировым аналогам по размерам составляющих микрокристаллитов. На поверхности двуокиси кремния сформированы плёнки гидрированного графена с шириной запрещённой зоны около 0.3 эВ, что открывает возможности для разработки терагерцового «графенового» транзистора.

    Иллюстрации

    Зависимость ширины запрещённой зоны плёнки оксида графита толщиной 2–3 монослоя от температуры обработки. Электронно-микроскопическое (СЭМ) изображение свободной плёнки оксида графена, полученной термическим расщеплением интеркалированного графита.
    Электронно-микроскопическое (СЭМ) изображение чешуйки гидрированного графена на SiO2 поверхности.