Всего записей: 16
-
Год: 2023 Премия: Премия им. Иоффе Название: Исследование процессов радиационного дефектообразования в карбиде кремния Авторы: Лебедев,АА; Козловский,ВВ; Стрельчук,АМ; Давыдовская,КС Подразделения: - лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
- лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
-
Год: 2021 Премия: Премия им. Иоффе Название: Новый механизм шума 1/f в полупроводниках и полупроводниковых приборах Авторы: Левинштейн,МЕ; Румянцев,СЛ Подразделения: - лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
-
Год: 2019 Премия: Премия им. Иоффе Название: Исследование электронного транспорта в полупроводниковых материалах и структурах акустическими и микроволновыми методами Авторы: Дричко,ИЛ; Дьяконов,АМ; Смирнов,ИЮ; Суслов,АВ; Гальперин,ЮМ Подразделения: - сектор физической кинетики и электроакустических явлений (Бельтюкова,ЯМ)
- лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)
- лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
-
Год: 2017 Премия: Премия им. Иоффе Название: Метастабильные полупроводниковые соединения А3-нитридов: фундаментальные оптические свойства и плазмонные эффекты Авторы: Давыдов,ВЮ; Иванов,СВ; Торопов,АА; Шубина,ТВ Подразделения: - лаб. квантовой фотоники (Торопова,АА)
- лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
-
Год: 2015 Премия: Премия им. Иоффе Название: Матрично-стабилизированные макроскопические системы нано-объектов: нанокомпозиты на основе диэлектрических пористых матриц Авторы: Вахрушев,СБ; Голубев,ВГ; Гусаров,ВВ; Кумзеров,ЮА; Курдюков,ДА; Фокин,АВ Подразделения: - лаб. физики анизотропных материалов (Соколова,ИА)
- лаб. физики аморфных полупроводников (Стовпяга,ЕЮ)
- лаб. нейтронных исследований (Вахрушева,СБ)
-
Год: 2013 Премия: Премия им. Иоффе Название: Физические основы инженерии дефектов в технологии светодиодов для кремниевой оптоэлектроники Авторы: Соболев,НА; Гусев,ОБ; Емцев,ВВ; Забродский,ВВ; Кютт,РН; Шек,ЕИ Подразделения: - лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
- лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
- лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
-
Год: 2011 Премия: Премия им. Иоффе Название: Новые механизмы генерации оптических гармоник в полупроводниках и диэлектриках Авторы: Павлов,ВВ; Калашникова,АМ; Яковлев,ДР; Байер,М; Писарев,РВ Подразделения: - лаб. оптических явлений в сегнетоэлектрических и магнитных кристаллах (Павлова,ВВ)
- лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
-
Год: 2009 Премия: Премия им. Иоффе Название: Эффекты ориентации химических связей на полупроводниковом интерфейсе Авторы: Ивченко,ЕЛ; Кочерешко,ВП; Платонов,АВ; Нестоклон,МО; Гуревич,АС Подразделения: - лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
- сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА)
-
Год: 2006 Премия: Премия им. Иоффе Название: Волны перезарядки ловушек в полупроводниках Авторы: Сурис,РА; Петров,МП; Брыксин,ВВ Подразделения: - сектор теории полупроводников и диэлектриков (Зюзина,АЮ)
- лаб. квантовой электроники (Шамрая,АВ)
- сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)
-
Год: 2005 Премия: Премия им. Иоффе Название: Гетеропереходы II типа на основе полупроводников A3B5 (система GaSb-InAs): создание, физические свойства и применение в оптоэлектронике Авторы: Михайлова,МП; Моисеев,КД; Парфеньев,РВ; Титков,АН; Яковлев,ЮП Подразделения: - лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
- лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
- лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
-
Год: 2004 Премия: Премия им. Иоффе Название: Двумерные дырочные носители заряда на поверхности теллура.(Электронный спектр, гальваномагнитные свойства и эффект слабой локализации в условиях особой роли тау-симметрии) Авторы: Аверкиев,НС; Березовец,ВА; Богомолов,ВН; Фарбштейн,ИИ; Шеланков,АЛ Подразделения: - сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)
- лаб. физики анизотропных материалов (Соколова,ИА)
- сектор физической кинетики и электроакустических явлений (Бельтюкова,ЯМ)
- лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
-
Год: 2003 Премия: Премия им. Иоффе Название: Явление дислокационно-динамической диффузии Авторы: Клявин,ОВ;Чернов,ЮМ;Мамырин,БА;Хабарин,ЛВ Подразделения: - лаб. физики профилированных кристаллов (Николаева,ВИ)
- лаб. масс-спектрометрии (Павлова,АК)
-
Год: 2002 Премия: Премия им. Иоффе Название: Распад полупроводниковых твердых растворов Авторы: Ипатова,ИП; Щукин,ВА; Малышкин,ВГ; Тарасов,ИС; Берт,НА Подразделения: - лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
- лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Год: 2001 Премия: Премия им. Иоффе Название: Пикосекундные инжекционные гетеролазеры Авторы: Портной,ЕЛ; Венус,ГБ; Дерягин,АГ; Журавлев,АБ; Кучинский,ВИ Подразделения: - лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
-
Год: 2000 Премия: Премия им. Иоффе Название: Широкозонные полупроводники с большой знергией связи - перспективные материалы для современной электроники Авторы: Баранов,ПГ; Водаков,ЮА; Мохов,ЕН; Санкин,ВИ Подразделения: - лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
- лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН)
-
Год: 1999 Премия: Премия им. Иоффе Название: Получение методами самоорганизации и исследование гетероструктур с квантовыми точками Авторы: Копьев,ПС; Леденцов,НН; Устинов,ВМ; Иванов,СВ; Щукин,ВА Подразделения: - лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)