Название:Квантовые явления в структурах n и р-GaAs/AlGaAs с широкой квантовой ямой и высокой подвижностью. Исследования методами акустической и микроволновой спектроскопии
Грантодатель:РФФИ
Область знаний:02 - Физика и астрономия
Научная дисциплина:02-205 Нано- и микроструктуры 02-210 Низкие температуры и сверхпроводимость 02-450 Физическая акустика
Ключевые слова:Целочисленный квантовый эффект Холла, дробный квантовый эффект Холла, двумерные структуры, низкие температуры, акустоэлектронные эффекты, микроволновая спектроскопия, композитные фермионы
Тип:исследовательский
Руководитель(и):Дричко,ИЛ
Подразделения:
Код проекта:19-02-00124
Финансирование 2019 г.:700 000
Финансирование 2020 г.:700 000
Финансирование 2021 г.:700 000
Исполнители: Гальперин,ЮМ: сектор физической кинетики и электроакустических явлений (Бельтюкова,ЯМ)
Дмитриев,АА: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
Ильинская,НД: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Смирнов,ИЮ: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
В проекте используются бесконтактные методы (акустической и микроволновой спектроскопии) для исследования высокочастотного квантового транспорта в (квази-) двумерных структурах n- и р-GaAs/GaAlAs с широкой квантовой ямой и высокой подвижностью. Множество квантовых явлений, наблюдаемых в этих объектах на постоянном токе, часто не имеют однозначной интерпретации. Применение новых методов дает возможность не только уточнить эту интерпретацию, но и обнаруживать новые эффекты. Такими эффектами, например, являются межподзонные переходы в широких квантовых ямах, своеобразное нелинейное поглощение в.ч. сигнала композитными фермионами (предсказанное Гальпериным и Бергли), осцилляции в.ч. проводимости с числами заполнения nu=Х/2, где Х - нечетное число, которое меняется от 5 до 25 при Т=310 мК. Задачей проекта является также развитие метода микроволновой спектроскопии для исследования зависимости абсолютной величины ВЧ проводимости от частоты в широком диапазоне в низкоразмерных структурах.