Название:	Теоретический анализ влияния коллективных взаимодействий на электронные и оптические явления в полупроводниковых наноструктурах
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02-Физика и астрономия
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники 02-204 Поверхность и тонкие пленки 02-205 Микроструктуры
Ключевые слова:	полупроводники, наноструктуры, гетеропереход, квантовые ямы, квантовые точки, сверхрешетки, многочастичные эффекты, электронный транспорт, туннелирование, процессы релаксации, экситоны, трионы, полупроводниковые лазеры, каскадный лазер, нитриды
Время действия проекта:	2005-2007
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Сурис,РА
Подразделения:	сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)
Код проекта:	05-02-16679
Финансирование 2005 г.:	300000
Финансирование 2006 г.:	0
Финансирование 2007 г.:	0
Исполнители:	Бойко,АМ: сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ) Булашевич,КА: сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ) Грешнов,АА: сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ) Зегря,ГГ: сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ) Корсаков,ВБ: сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ) Сафонов,КЛ: сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ) Семина,МА: сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ) Сергеев,РА: сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ) Серов,АЮ : сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)

В последнее время все большее внимание как экспериментаторов, так и теоретиков привлекает анализ роли коллективных эффектов в полупроводниковых наноструктурах. Это и понятно - в тех устройствах, в которых наноструктуры используются (лазерах, например), концентрации носителей достаточно велики и эффекты их взаимодействия существенны. Многие наноструктуры изготавливаются на основе полярных полупроводников и здесь важную роль играют многофононные процессы взаимодействия носителей с колебаниями решетки. Для формирования наноструктур часто используются процессы их самоорганизации при росте, каковые, естественно, также носят кооперативный характер. Поэтому теоретический анализ роли коллективных эффектов в наноструктурах представляет собой важную и актуальную задачу. В предлагаемом проекта предполагается провести теоретический анализ влияния эффектов коллективного взаимодействия на:  оптические и транспортные свойства двумерного электронного газа в сильном магнитном поле  туннельные характеристики гетероструктур с квантовыми ямами в магнитном поле, лежащем в плоскости интерфейса  мощностые характеристики лазеров на квантовых ямах  электронный транспорт и излучение в сверхрешетках из квантовых точек и характеристики каскадных лазеров на таких структурах  оптические свойства светоизлучающих гетероструктур на основе нитридов третьей группы  состояния электрон-дырочных комплексов в квантовой яме и квантовой нити, локализованные на пространственных неоднородностях потенциала  состояние многоэкситонной системы в наноструктуре с пространственным разделением носителей заряда  процесс зарождения и эволюции квантовых точек SiC на Si при молекулярно-пучковой эпитаксии