Название:	Численное моделирование процессов теплообмена при выращивании оксидных кристаллов большого размера из расплава методом Чохральского и разработка методов предсказания и оптимизации параметров кристаллизационных установок при увеличении диаметра выращиваемых кристаллов или модификации их свойств
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02-Физика и астрономия
Научная дисциплина:	02-212 Образование и структура кристаллов
Ключевые слова:	Рост кристаллов из расплава, оксидные кристаллы, теплообмен, перенос излучения, конвекция, моделирование, оптимизация, обратные задачи, метод Чохральского
Время действия проекта:	2007-2009
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Юферев,ВС
Подразделения:	лаб. прикладной математики и математической физики (Руколайне,СА)
Код проекта:	07-02-01147
Финансирование 2007 г.:	0
Финансирование 2008 г.:	0
Финансирование 2009 г.:	0
Исполнители:	Буденкова,ОН: лаб. прикладной математики и математической физики (Руколайне,СА) Васильев,МГ: лаб. прикладной математики и математической физики (Руколайне,СА) Калаев,ВВ: None Мамедов,ВМ: лаб. прикладной математики и математической физики (Руколайне,СА) Руколайне,СА : лаб. прикладной математики и математической физики (Руколайне,СА)

Цель проекта состоит в разработке моделей и численном изучении процессов теплообмена при выращивании оксидных кристаллов из расплава методом Чохральского с целью предсказания и оптимизации параметров технологического процесса, свойств выращиваемых кристаллов и конструкции кристаллизационных установок при увеличении диаметра и модификации свойств выращиваемых кристаллов. В проекте будет выполнено численное моделирование двух- и трехмерных процессов глобального теплообмена при выращивании оксидных кристаллов и изучены зависимости этих процессов от размеров кристалла и кристаллизационной установки, разработаны модели разращивания оксидных кристаллов, разработаны методы оптимизации элементов тепловой зоны кристаллизационных установок и параметров ростовых процессов. В результате будут получены новые знания, которые смогут быть использованы при проектировании и модификации кристаллизационных установок и технологических режимов как в случае увеличения размеров оксидных кристаллов, так и при модификации их свойств.