Название:	Спиновая память в полупроводниковых азотосодержащих твёрдых растворах A3B5 и квантово-размерных гетероструктурах на их основе
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02-Физика и астрономия
Научная дисциплина:	02-205 Микроструктуры 02-202 Полупроводники 02-208 Магнитные явления 02-320Когерентная и нелинейная оптика 02-330Физика лазеров
Ключевые слова:	полупроводник, спин, квантово-размерные эффекты, эпитаксия, спектроскопия
Время действия проекта:	2005-2007
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Калевич,ВК
Подразделения:
Код проекта:	05-02-17784
Финансирование 2005 г.:	390000
Финансирование 2006 г.:	0
Финансирование 2007 г.:	0
Исполнители:	Афанасьев,ММ Голуб,ЛЕ: сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА) Егоров,АЮ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Ивченко,ЕЛ: сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА) Малеев,НА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Ширяев,АЮ

В связи с идеей спинового компьютера в последние годы повышенн ый интерес физиков привлекают спиновые свойства носителей зар яда в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах. Знач ительные усилия направлены на поиск полупроводниковых соединен ий, допускающих большую спиновую поляризацию и длинные времена спиновой релаксации, разработку оптических методов создания и контроля спиновой поляризации, а также выявление оптимальных условий длительного сохранения спиновой памяти. Предлагаемый проект посвящен экспериментальному и теоретическому исследова ниям оптической спиновой поляризации и спиновой релаксации эл ектронов в азотосодержащих твердых растворах GaAsN, GaAsInN, G aPN и квантовых ямах на их основе. Выполнение данной задачи будет проводиться по следующим основн ым направлениям: 1) Отработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии и выращ ивание упруго-напряженных слоев твердых растворов GaAsN, InGaA sN, GaPN и их квантово-размерных гетероструктур с относительно высоким (до 4 %) содержанием азота. 2) Экспериментальное исследование зависимости оптической ориен тации и спиновой памяти в указанных соединениях от содержания азота, уровня легирования донорами, энергии квантов и интенсив ности возбуждающего света, температуры кристалла. Измерение ве личины электронного g-фактора. 3) Теоретический анализ особенностей оптической ориентации эле ктронных спинов в азотсодержащих полупроводниках и полупроводн иковых гетероструктурах. Выявление доминирующих механизмов спи новой релаксации и их относительной роли при изменении содержа ния азота и температуры. Расчет величины и анизотропии электро нного g-фактора в твердом растворе GaAsN в зависимости от соде ржания азота.