| Название: | Исследование электронных свойств низкоразмерных твердотельных структур методами электростатической силовой микроскопии |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02-Физика и астрономия |
| Научная дисциплина: | 02-205 Микроструктуры |
| Ключевые слова: | электронные свойства, низкоразмерные структуры, металлические наночастицы, вискеры, углеродные нанотрубки, атомно-силовая микроскопия, электростатическая силовая микроскопия |
| Время действия проекта: | 2006-2008 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Титков,АН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 06-02-17547 |
| Финансирование 2006 г.: | 400000 |
| Финансирование 2007 г.: | 0 |
| Финансирование 2008 г.: | 0 |
| Исполнители: |
Анкудинов,АВ: лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
Дементьев,ПА: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Дунаевский,МС: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Иванцов,ЛФ: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Кожевин,ВМ: лаб. полупроводниковой квантовой электроники (Гуревича,СА)
Крыжановский,АК: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Макаренко,ИВ: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Петров,ВН: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Явсин,ДА : лаб. полупроводниковой квантовой электроники (Гуревича,СА)
|
Проект направлен на развитие методов электростатической силовой микроскопии (ЭСМ) и их применение для исследования широкого спектра электронных свойств низкоразмерных твердотельных структур. В этой связи в качестве обьектов исследования выбраны несколько новых низкоразмерных структур с существенно отличающимися и необычными электронными свойствами, а именно: 1) монослои монодисперсных Pt, Pd и Сu металлических наночастиц (МН) на нано тонких слоях SiO2 на кремнии 2) углеродные нанотрубки (УНТ) на поверхности SiO2 и 3) нитевидные полупроводниковые нанокристаллы (НН) GaAlAs на поверхности GaAs. В атмосферных условиях нанотонкие слои МН демонстрируют хорошую поверхностную проводимость и при этом отсутствие эффекта растекания зарядов по слою после локальной зарядки его поверхности в точке. Поверхностная проводимость также необычна и меняется с температурой как exp(-T0/T)-1/2. Происхождение этих поразительных эффектов, как представляется, связано со спецификой структурного и электрического беспорядка в слоях МН, природу и влияние которого планируется изучить. Весьма интересным представляется изучение пространственного распределения в УНТ внедренных из вне электрических зарядов, а также наведенных зарядами электростатических полей в ближайшем окружении УНТ. Эти наблюдения могут создать новые возможности в изучении структуры и дефектов УНТ, протекания процессов адсорбции и поведения УКТ во внешних электрических полях. НН GaAlAs являются полупроводниковыми вискерами микронной длины и диаметром от сотен до десятков нанометров, нижним концом закрепленными на подложке GaAs. Большой интерес вызывает продольная проводимость НН GaAlAs, особенно в случае встроенных в них электрических или гетеропереходов. Привлечение ЭСМ методов должно позволить выполнение таких исследований при позиционировании зонда ЭСМ на верхнее окончание НН, что и планируется осуществить.
