| Название: | Напряженно- компенсированные сверхрешетки для расширения частотного диапазона полупроводниковых лазеров |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-204 Поверхность и тонкие пленки 02-205 Микроструктуры |
| Ключевые слова: | полупроводники, сверхрешетки, молекулярно -пучковая эпитаксия |
| Время действия проекта: | 2006-2008 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Мамутин,ВВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 06-02-16958 |
| Финансирование 2006 г.: | 500000 |
| Исполнители: |
Бондаренко,ОВ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Егоров,АЮ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Крыжановская,НВ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Малеев,НА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Михрин,ВС: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Мусихин,ЮГ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Шерняков,ЮМ : лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
|
Проект направлен на исследование физических свойств и методов создания нового класса светоизлучающих структур с использованием напряженно-компенсированных сверхрешеток (strain-compensated superlattices) с расширенным диапазоном длин волн в системе материалов InGaAsN/GaAs. Решение этой задачи осложняется отсутствием на сегодняшний день технологии создания структур InGaAsN с высоким содержанием азота, необходимым для увеличения длины волны, которое приводит к существенному ухудшению структурных и оптических характеристик. Это ухудшение можно компенсировать использованием азотсодержащих сверхрешеток которое при относительно низком содержании азота, не ухудшающем их качества, приводит к эффективному увеличению длины волны излучения, соответствующему значительному увеличению концентрации азота в \"обычных\" структурах. Предполагается, что использование таких сверхрешеток позволит существенно расширить спектр излучения и, как минимум, управляемо изменять длину волны излучения в диапазоне 1.3- 1.6 мкм при комнатной температуре и уменьшить или аннулировать эффекты, связанные с образованием локализованных состояний, вызванных неоднородным распределением атомов азота в слоях и значительно увеличить их структурное совершенство и излучательную эффективность. Предлагаемый проект направлен на изучение свойств квантоворазмерных гетроструктур и сверхрешеток GaAsN/InGaAsN c компенсацией напряжений, включающее в себя изучение структурных и оптических свойств указанных соединений, в частности структуры энергетических зон, что потребует принципиально новых подходов к росту, составу и дизайну таких структур на основе арсенида галлия.
