| Название: | Исследование влияния содержания азота на структуру электронных состояний в объемных и квантоворазмерных слоях разбавленных твердых растворов GaAsN |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники |
| Ключевые слова: | полупроводниковые твердые растворы, изовалентные примеси, спектроскопия |
| Время действия проекта: | 2007-2008 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Брунков,ПН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 07-02-01231 |
| Финансирование 2007 г.: | 300000 |
| Исполнители: |
Берт,НН: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Бойцов,АВ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Гуткин,АА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Егоров,АЮ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Трофимов,АН: лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
Яговкина,МА : лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
|
Предлагаемый проект нацелен на решение фундаментальной проблемы физики полупроводников, связанной с механизмами влияния на зонную структуру объемного полупроводникового материала и его квантоворазмерных слоев высокой концентрации изовалентной примеси замещения на примере примеси азота в разбавленных твердых растворах GaAs1-yNy . Высокая электроотрицательность атомов азота в комбинации с тем, что его размеры значительно меньше размеров атомов, составляющих матрицу, приводят к сильному возмущению зонной структуры GaAs1-yNy при низком содержании азота (y < 5%). Важным проявлением этого является отклонение от правила Вегарда для слабых твердых растворов GaAs1-yNy , когда с ростом концентрации азота наблюдается значительное уменьшение (более 0.4 эВ) ширины запрещенной зоны материала. В ходе выполнения проекта с помощью исследования коротковолновой люминесценции GaAs1-yNy при высоких уровнях накачки и (или) повышенных температурах и магнито-туннельной спектроскопии будут проведены исследования резонансных локальных состояний связанных с кластерами азота N и их влияния на зонную структуру объемных и квантоворазмерных слоев GaAs1-yNy . С помощью емкостных методов будут проведены исследования гетерограниц и электронной структуры квантоворазмерных слоев в системе GaAs/ GaAs1-yNy , а также глубоких центров и изменения их параметров с концентрацией азота в объемных слоях GaAs1-yNy . Механизмы, за счет которых небольшая добавка азота в GaAs1-yNy приводит к изменению ширины запрещенной зоны и значительной модификации зоны проводимости существенным образом отличается от таковых в обычных твердых растворах, таких как AlxGa1-xAs, и их понимание является важным с фундаментальной точки зрения и открывает новые возможности для конструирования зонной структуры материалов и приборов на их основе. Значительный интерес с обеих точек зрения представляет также вопрос о влиянии азота на свойства локальных состояний.
